可编程计算阵列制造技术

本发明专利技术提出一种基于三维可写存储器（3D‑W）的可编程计算阵列。它含有一可编程计算单元阵列、一个可编程逻辑单元阵列和多个可编程连接。每个可编程计算单元含有至少一个3D‑W阵列，该3D‑W阵列存储一数学函数的查找表（LUT）。

Programmable Computing Array

【技术实现步骤摘要】
可编程计算阵列
本专利技术涉及集成电路领域，更确切地说，涉及可编程门阵列。
技术介绍
可编程门阵列属于半定制集成电路，即通过后端工艺或现场编程，实现对逻辑电路的定制化。美国专利4,870,302披露了一种可编程门阵列。它含有多个可编程逻辑单元（configurablelogicelement，或configurablelogicblock）和可编程连接（configurableinterconnect，或programmableinterconnect）。其中，可编程逻辑单元在设置信号控制下可以选择性地实现移位、逻辑非、AND（逻辑与）、OR（逻辑和）、NOR（和非）、NAND（与非）、XOR（异或）、+（算术加）、-（算术减）等功能；可编程连接在设置信号控制下可以选择性地实现两条互连线之间的连接、断开等功能。目前，很多应用均涉及复杂函数的计算。复杂函数一般含有多个自变量，它是基本函数的一种组合。基本函数含有一个或少量自变量，其例子包括超越函数，如指数（exp）、对数（log）、三角函数（sina、cos）等。为了保证执行速度，高性能应用要求用硬件来实现复杂函数。在现有的可编程门阵列本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可编程计算单元(100)，其特征在于含有：一含有晶体管的半导体衬底(0)；堆叠在该半导体衬底(0)上的一三维可写存储器（3D‑W）阵列(110)，该3D‑W阵列(110)存储一数学函数的至少部分查找表（LUT）；一设置信号(125)，当该设置信号(125)为“写”时，将一数学函数的值写入该3D‑W阵列(110)；当该设置信号(125)为“读”时，从该3D‑W阵列(110)中读出该数学函数的值。

【技术特征摘要】
1.一种可编程计算单元(100)，其特征在于含有：一含有晶体管的半导体衬底(0)；堆叠在该半导体衬底(0)上的一三维可写存储器（3D-W）阵列(110)，该3D-W阵列(110)存储一数学函数的至少部分查找表（LUT）；一设置信号(125)，当该设置信号(125)为“写”时，将一数学函数的值写入该3D-W阵列(110)；当该设置信号(125)为“读”时，从该3D-W阵列(110)中读出该数学函数的值。2.根据权利要求1所述的可编程计算单元(100)，其特征还在于：该3D-W为三维一次编程存储器（3D-OTP）。3.根据权利要求1所述的可编程计算单元(100)，其特征还在于：该3D-W为三维多次编程存储器（3D-MTP）。4.根据权利要求1所述的可编程计算单元(100)，其特征还在于：该3D-MTP为3D-XPoint、3D-RRAM和3D-memristor中的至少一种。5.一种实现一复杂数学函数的可编程计算阵列(400)，其特征在于含有：一含有至少一可编程计算单元(100)的可编程计算单元阵列(100AA-100AD)，该可编程计算单元(100)含有一三维可写存储器（3D-W）阵列(110)并存储一基本数学函数的至少部分查找表（LUT）；一含有至少一可编程逻辑单元(200)的可编程逻辑单元阵列(200AA-200AD)，该可编程逻辑单元从一逻辑运算库中选择性地实...

【专利技术属性】
技术研发人员：张国飙，
申请(专利权)人：厦门海存艾匹科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35