地址线含有不同金属材料的三维纵向多次编程存储器制造技术

本发明专利技术提出一种地址线含有不同金属材料的三维纵向多次编程存储器（3D‑MTPV）。它含有多个相互垂直堆叠的水平地址线，多个穿透水平地址线的存储井，一层覆盖存储井边墙的编程膜，多条形成在存储井中的竖直地址线。水平地址线和竖直地址线含有不同金属材料。

Three Dimensional Longitudinal Multiplexed Programming Memory with Different Metal Materials in Address Line

【技术实现步骤摘要】
地址线含有不同金属材料的三维纵向多次编程存储器
本专利技术涉及集成电路存储器领域，更确切地说，涉及多次编程存储器（multiple-timeprogrammablememory，简称为MTP；也被称为重复编程存储器）。
技术介绍
三维多次编程存储器（3D-MTP）是一种单体（monolithic）半导体存储器，它含有多个垂直堆叠的MTP存储元。3D-MTP的存储元分布在三维空间中，而传统的平面型MTP的存储元分布在二维平面上。相对于传统MTP，3D-MTP具有存储密度大、存储成本低等优点。美国专利申请US2017/0148851A1（申请人：Hsu；申请日：2016年11月23日）提出一种三维纵向多次编程存储器（3D-MTPV）。它含有多个垂直堆叠的水平地址线，多个穿透水平地址线的存储井，覆盖存储井边墙的编程膜和二极管膜（也被称为选择器selector、选向器steeringelement、准导通膜等名称），以及多条形成在存储井中的竖直地址线。在该专利申请中，为了实现存储元的编程以及避免存储元之间的干扰，每个存储元均含有单独的编程膜和单独的二极管膜。二极管膜的厚度一般较大。以P-N薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维纵向多次编程存储器（3D‑MTPV），其特征还在于含有：一含有一衬底电路(0K)的半导体衬底(0)；多层处于该衬底电路(0K)之上、垂直堆叠的水平地址线(8a‑8h)，该水平地址线(8a‑8h)含有第一金属材料；至少一穿透所述多层水平地址线(8a‑8h)的存储井(2a)；一层覆盖该存储井(2a)边墙的编程膜(6a)，在编程时其电阻可从高电阻态转变为低电阻、或从低电阻转变成高电阻；一条形成在该存储井(2a)中的竖直地址线(4a)，该竖直地址线(4a)含有第二金属材料；多个形成在该水平地址线(8a‑8h) 与该竖直地址线(4a)交叉处的MTP存储元(1aa‑1ha)；所述第一和第二金属...

【技术特征摘要】
1.一种三维纵向多次编程存储器（3D-MTPV），其特征还在于含有：一含有一衬底电路(0K)的半导体衬底(0)；多层处于该衬底电路(0K)之上、垂直堆叠的水平地址线(8a-8h)，该水平地址线(8a-8h)含有第一金属材料；至少一穿透所述多层水平地址线(8a-8h)的存储井(2a)；一层覆盖该存储井(2a)边墙的编程膜(6a)，在编程时其电阻可从高电阻态转变为低电阻、或从低电阻转变成高电阻；一条形成在该存储井(2a)中的竖直地址线(4a)，该竖直地址线(4a)含有第二金属材料；多个形成在该水平地址线(8a-8h)与该竖直地址线(4a)交叉处的MTP存储元(1aa-1ha)；所述第一和第二金属材料为不同金属材料。2.根据权利要求1所述的存储器，其特征还在于：所述第一和第二金属材料(8a,4a)具有不同功函数。3.根据权利要求1所述的存储器，其特征还在于：所述第一金属材料(8a)和所述编程膜(6a)之间的界面(7)与所述第二金属材料(4a)和所述编程膜(6a)之间的界面(5)不同。4.根据权利要求1所述的存储器，其特征还在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张国飙，
申请(专利权)人：厦门海存艾匹科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35