用于校正存储器中的数据错误的系统及方法技术方案

本发明专利技术实施例提供用于校正存储器中的数据错误的系统及方法。形成包含存储器的集成电路IC裸片。确定当经受高温时易受数据遗失的存储器位置的地址。将数据位写入到所述存储器，其中所述数据位包含写入到所述存储器位置的一组位。将所述组位写入到当经受所述高温时不易受数据遗失的所述IC裸片的存储装置。在使所述IC裸片经受高温之后，重写存储于所述地址处的所述位中的至少一者。基于写入到所述存储装置的所述组位而重写所述位中的所述至少一者。

System and method for correcting data errors in memory

An embodiment of the invention provides a system and method for correcting data errors in a memory. An integrated circuit IC containing a memory is formed. Determine the address of the memory location that is easily lost when the temperature is subjected to high temperature. The data bits are written to the memory, where the data bits contain a set of bits written to the memory location. The group bits are written to the storage device of the IC bare piece that is not easily lost when the high temperature is subjected to the high temperature. After the IC bare pieces are subjected to high temperature, at least one of the said bits stored at the address is rewritten. The at least one of the said bits is rewritten on the basis of the set of bits written to the storage device.

【技术实现步骤摘要】
用于校正存储器中的数据错误的系统及方法
本专利技术实施例涉及一种用于校正存储器中的数据错误的系统及方法。
技术介绍
集成电路(IC)是制造至半导体材料的薄衬底的表面中的电子电路。IC现今实际上用于全部电子装备中且已彻底改变电子世界。现在，计算机、移动电话及其它数字家用器具是现代社会结构的不可或缺的部分，此因生产IC的低成本而成为可能。在已生产IC之后，IC的后续处理可包含使IC经受相对较高的温度。例如，在一些实例中，在将IC附接到印刷电路板(PCB)时，将IC加热到大约260摄氏度的温度。
技术实现思路
本专利技术实施例涉及一种形成装置的方法，所述方法包括：形成包含存储器的集成电路(IC)裸片；确定当经受高温时易受数据遗失的存储器位置的地址；将数据位写入到所述存储器，所述数据位包含写入到所述存储器位置的一组位；将所述组位写入到当经受所述高温时不易受数据遗失的所述IC裸片的存储装置；在使所述IC裸片经受高温之后，重写存储于所述地址处的所述位中的至少一者，基于写入到所述存储装置的所述组位重写所述位中的所述至少一者。本专利技术实施例涉及一种形成装置的方法，所述方法包括：形成包含存储器的集成电路(IC)裸片；将数据位及对应于所述数据位的第一校验位写入到所述存储器；及在使所述IC裸片经受高温之后，使用所述第一校验位来检测并校正所述数据位中的错误。本专利技术实施例涉及一种集成电路(IC)裸片，其包括：存储器，其包含当经受高温时易受数据遗失的存储器位置；存储装置，其在经受所述高温时不易受数据遗失；及逻辑模块，其经配置以：将数据位写入到所述存储器，所述数据位包含写入到所述存储器位置的一组位；将所述组位写入到所述存储装置；及在使所述IC裸片经受高温之后，重写存储于所述存储器中的所述位中的至少一者，基于写入到所述存储装置的所述组位重写所述位中的所述至少一者。附图说明当结合附图阅读时，从以下[具体实施方式]最好地理解本揭露的方面。应注意，根据产业中的标准实践，各个装置未按比例绘制。事实上，为清楚论述，各个装置的尺寸可任意增大或缩小。图1A描绘根据一些实施例的用于形成装置的示范性方法的操作。图1B描绘根据一些实施例的用于形成装置的另一示范性方法的操作。图2A描绘根据一些实施例的在回流工艺之后用于校正存储于存储器上的数据的示范性方法的操作。图2B描绘根据一些实施例的形成于IC裸片上的存储器及存储装置。图2C及2D描绘根据一些实施例的包含测试装备、形成于印刷电路板(PCB)上的CPU或状态机以及IC裸片的示范性设备。图2E描绘根据一些实施例的示范性码编程步骤。图2F描绘根据一些实施例的在回流工艺之后对存储于存储器上的数据的示范性校正。图3描绘根据一些实施例的用于形成装置的示范性方法的操作。图4描绘根据一些实施例的用于形成装置的另一示范性方法的操作。具体实施方式以下揭露提供用于实施所提供标的的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件及布置的特定实例以简化本揭露。当然，这些实例仅为实例且并不意图为限制性的。例如，在下文描述中，第一装置形成于第二装置上方或上可包含其中第一装置及第二装置经形成而直接接触的实施例，且还可包含其中额外装置可形成于第一装置与第二装置之间使得第一装置及第二装置可未直接接触的实施例。另外，本揭露可在各个实例中重复元件符号及/或字母。此重复是用于简单及清楚的目的，且本身并不指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。集成电路(IC)裸片是制造至半导体材料的薄衬底的表面中的电子电路。在已生产IC裸片之后，IC的后续处理可包含使IC裸片经受相对较高的温度。特定地说，在将IC裸片附接到印刷电路板(PCB)时，通常利用在相对较高温度(例如，260摄氏度)下执行的回流工艺(例如，焊料回流工艺)。存储在形成于IC裸片上的存储器上的数据常常因相对高温回流工艺而遗失或毁坏。当此数据遗失或毁坏发生时，IC裸片及PCB两者通常都呈现无效且因此可能报废(例如，除去)。IC裸片及PCB的此报废是非所要的且可为昂贵的。特定类型的存储器特别易受由高温处理引起的数据遗失。例如，与例如闪速存储器的常规存储器类型相比，例如磁性随机存取存储器(还称为磁阻式随机存取存储器或MRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、相变随机存取存储器(PCRAM)及铁电随机存取存储器(FRAM)的新兴存储器类型更易受起因于高温处理的数据遗失。因此，当形成于IC裸片上的存储器包括这些新兴存储器类型中的一者时，用来将IC裸片附接到PCB的相对高温回流工艺可引起存储器中的数据遗失或毁坏。本揭露的方法提供用于消除或最小化由IC裸片的高温处理引起的此数据遗失的系统及方法。在一个实施例中，执行筛选步骤以识别当经受高温时易受数据遗失的存储器位置。筛选步骤因此识别存储器的“弱位”，即可因回流工艺而经历值变化(例如，位值“0”改变为位值“1”，且反之亦然)的存储器位置。在于高温下执行回流工艺之后，视需要检查并校正存储于经识别存储器位置中的数据。识别弱位且校正数据帮助确保无数据因回流工艺而遗失。在另一实施例中，将数据位及校验位两者写入到存储器中。应注意，校验位可包含用以存储数据的任何形式的冗余位，例如检查和位、重复位等。因此，应注意，本文中描述的校验位不限于仅偶数/奇数校验位。在实例中，校验位是错误检查及校正(ECC)校验位。在于高温下执行回流工艺之后，使用校验位来检测并校正存储于存储器中的数据位中的错误。因此，如果回流工艺引起任何位值改变，那么这些改变将被检测为错误且随后被校正。在校正错误之后，释放校验位以空出存储器中的空间。本文中描述各种其它实施例。在一个此实施例中，IC裸片的存储器编程有压缩代码以减小代码大小。使用压缩代码空出存储器中的空间，且此空间可用来例如存储额外校验位用于更强ECC保护。在回流之后，ECC校验位用来校正经存储代码中的错误，如上文论述。此外，解压缩压缩代码，且将经解压缩代码写入到存储器。从存储器释放压缩代码，因此空出存储器中的空间。本文中进一步详细描述这些实施例及其它实施例。在实例中，本揭露的方法实施于用于处理IC裸片的生产流程的内容背景中。图1A描绘根据一些实施例的用于处理IC裸片的示范性生产流程100的操作。在步骤102，完成晶片(例如，衬底)的处理，产生形成于晶片上的多个IC裸片。在实例中，完成的IC裸片的各者包含形成于其上的一或多个存储器。在实例中，一或多个存储器包括MRAM、RRAM、PCRAM、FRAM或另一存储器类型。在实例中，完成的IC裸片的各者进一步包含用于各种功能的不同电路，例如微处理器及逻辑电路。在步骤104，执行生产流程的第一芯片探测(CP)阶段。为一般技术人员已知的芯片探测阶段用来检测缺陷裸片且是使用专门测试装备实行。通常，测试装备的测试头安装具有多个探测针或用于与晶片的电极(例如，接垫、凸块等)接触的其它接点部件的探测卡。探测卡使测试装备能够将电压或电流施加到待测试的晶片，因此使测试能够确定电效能是否在设计规范内。在步骤104的第一CP阶段进一步包含将数据的测试型样写入到形成于IC裸片上的一或多个存储器。在步骤106，执行数据保持焙烧。数据保持焙烧是用来测量装置在未施加电压偏压的情况下长时段保持电荷的能力的测试。在相对较高温度下加应力本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成装置的方法，所述方法包括：形成包含存储器的集成电路IC；确定当经受高温时易受数据遗失的存储器位置的地址；将数据位写入到所述存储器，所述数据位包含写入到所述存储器位置的一组位；将所述组位写入到当经受所述高温时不易受数据遗失的所述IC裸片的存储装置；在使所述IC裸片经受高温之后重写存储于所述地址处的所述位中的至少一者，基于写入到所述存储装置的所述组位重写所述位中的所述至少一者。

【技术特征摘要】
2016.08.04 US 15/228,2941.一种形成装置的方法，所述方法包括：形成包含存储器的集成电路IC；确定当经受高温时易受数据遗失的存储器位置的地址；将数据位写入到所述存储器，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：池育德，王清煌，史毅骏，施孟君，王家佑，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71