The invention provides a diamond film composite glass cover plate, which comprises a glass substrate, a SiO2 layer, a first hydrogen containing DLC layer and a second hydrogen containing DLC layer in sequence, and the hydrogen content of the second hydrogen containing DLC layer is higher than that of the first hydrogen containing DLC. The invention combines the characteristics of hydrogen containing DLC, the design of a new type of double diamond film structure, the thin film layer two hydrogen containing different amount of DLC composite together, to ensure high optical transmission conditions, improve the hardness of the film and anti friction performance, reduce the friction coefficient of the film. The invention also provides a preparation method of a high hardness and wear-resistant glass cover plate. The method is coated by the magnetron sputtering method on the surface of the glass cover substrate, and the films are tightly bonded together to further improve the friction resistance of the product.
【技术实现步骤摘要】
一种类金刚石薄膜复合玻璃盖板及其制备方法
本专利技术属于膜
,尤其涉及一种类金刚石薄膜复合玻璃盖板及其制备方法。
技术介绍
现有玻璃盖板的镀膜有很多,根据光学要求有减反膜(AR),增透膜,防眩光膜(AG)以及各种装饰用的颜色膜等,此类膜层都是为了满足一定的光学要求,但膜层的硬度较低,抗划伤能力低,且表面粗糙度较大,使用手感较差。同时,由于玻璃本身的硬度较低,更容易划伤。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种类金刚石薄膜复合玻璃盖板及其制备方法,本专利技术中的玻璃盖板可同时满足高的光学透过率、高硬度及良好的耐摩擦性能。本专利技术提供一种类金刚石薄膜复合玻璃盖板,包括依次接触的玻璃基体、SiO2层、第一含氢DLC层和第二含氢DLC层;所述第二含氢DLC层的含氢量高于所述第一含氢DLC的含氢量。优选的,所述SiO2层的厚度为5~20nm。优选的,所述第一含氢DLC层的厚度为3~20nm;所述第二含氢DLC层的厚度为3~20nm。本专利技术提供一种类金刚石薄膜复合玻璃盖板的制备方法,包括以下步骤:A)以Si为靶材,通入Ar气和O2,在真空条件下对玻璃基体进行磁控溅射,得到镀有SiO2层的玻璃基体;B)以石墨为靶材,通入Ar气和H2,在真空条件下对镀有SiO2层的玻璃进行磁控溅射,得到镀有第一含氢DLC层的玻璃基体;所述H2的流量为10~30sccm;C)以石墨为复合靶材,通入Ar气和H2,在真空条件下对镀有含氢DLC层的玻璃基体进行磁控溅射,得到类金刚石薄膜复合玻璃盖板;所述H2的流量为20~60sccm。优选的,所述步骤A)中真空度为(3.0~6.0)E ...
【技术保护点】
一种类金刚石薄膜复合玻璃盖板,包括依次接触的玻璃基体、SiO2层、第一含氢DLC层和第二含氢DLC层;所述第二含氢DLC层的含氢量高于所述第一含氢DLC的含氢量。
【技术特征摘要】
1.一种类金刚石薄膜复合玻璃盖板,包括依次接触的玻璃基体、SiO2层、第一含氢DLC层和第二含氢DLC层;所述第二含氢DLC层的含氢量高于所述第一含氢DLC的含氢量。2.根据权利要求1所述的类金刚石薄膜复合玻璃盖板,其特征在于,所述SiO2层的厚度为5~20nm。3.根据权利要求1所述的类金刚石薄膜复合玻璃盖板,其特征在于,所述第一含氢DLC层的厚度为3~20nm;所述第二含氢DLC层的厚度为3~20nm。4.一种类金刚石薄膜复合玻璃盖板的制备方法,包括以下步骤:A)以Si为靶材,通入Ar气和O2,在真空条件下对玻璃基体进行磁控溅射,得到镀有SiO2层的玻璃基体;B)以石墨为靶材,通入Ar气和H2,在真空条件下对镀有SiO2层的玻璃进行磁控溅射,得到镀有第一含氢DLC层的玻璃基体;所述H2的流量为10~30sccm;C)以石墨为复合靶材,通入Ar气和H2,在真空条件下对镀有含氢DLC层的玻璃基体进行磁控溅射,得到类金刚石薄膜复合玻璃盖板;所述H2的流量为20~60sccm。5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述步骤A)中真空度为(3.0~6.0)E-6mTorr;Ar气的流量为3...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈立,吴德生,朱得菊,
申请(专利权)人:信利光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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