一种功率集成器件及电源装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种功率集成器件及电源装置，包括引脚及封装体，封装体包括正面、背面、第一、第二、第三及第四侧面，背面用于连接散热装置，一个或多个引脚从第一侧面延伸出，第一侧面靠近背面的部分设置为第一斜面。本实用新型专利技术功率集成器件通过将封装体第一侧面靠近背面部分设置为斜面，增大了引脚与背面之间沿着封装体表面的距离，从而满足了封装体的爬电距离的要求；将封装体第一侧面靠近背面部分设置为斜面，在满足爬电距离要求的前提下，可以将封装体的背面与内部封装的芯片之间的厚度控制到更薄，从而可以减小封装体的体积；进一步保证封装体背面具有较大的散热面积，从而改善了功率集成器件的散热效果，增大功率集成器件的功率容量。

A power integrated device and power supply device

The utility model provides an integrated power device and a power supply device, including the pins and the package. The package includes front and back, first, second, third and four on the back side, for connecting the radiating device, one or a plurality of pins extending from the first side, the first side near the back of the part is set to the first inclined surface. The utility model integrated power device through the package first side near the back part of an inclined plane, increases the pins and the package back between the surface of the distance along, so as to meet the requirements of the creepage distance of the package will package; the first side near the back part of an inclined plane, to meet the requirements of the creepage distance next, can be between the back and the inside of the package package of the chip to control the thickness of thinner, which can reduce the package volume; further ensure that back package has larger heat dissipation area, thereby improving the cooling effect of integrated power device, power capacity increases power integrated device.

【技术实现步骤摘要】
一种功率集成器件及电源装置
本技术属于功率半导体器件封装领域，更具体地说，是涉及一种功率集成器件及电源装置。
技术介绍
在传统的封装技术中，封装结构大多采用引线框架封装的方式，即将切割后的单个芯片通过导电胶体焊接于引线框架上，再用连接导线将芯片的电极与引线框架的引脚连在一起，实现电性导通，最后用环氧树脂等封装胶体将其塑封起来，部分引线框架的引脚露在塑封体外，作为焊接电极，封装后的产品再通过回流焊的方式焊接应用于PCB板上。此种封装形式，热量主要通过引线框架的引脚传导出去，集成电路工作产生的热能不能实现良好的传导，主要集中在封装体的内部，散热效果不够理想，限制了封装芯片的功率。此外，在一些现有技术封装件设计中，引线框架在安装表面上暴露，以便在封装芯片和散热装置之间提供低热阻。在其他封装件设计中，引线框架通过设置在引线框架和半导体封装件的安装表面之间的封装胶体的薄层与散热装置进行电隔离，而在这种情况下，通常希望将引线框架和安装表面之间的封装胶体的厚度尽可能保持得较薄，以便在引线框架和安装表面之间提供低热阻。但是由于爬电距离(沿绝缘表面测得的两个导电零部件之间，在不同的使用情况下，由于导体周围的绝缘材料被电极化，导致绝缘材料呈现带电现象，此带电区的半径即为爬电距离)的要求，使得传统的封装件设计中该厚度通常都比较大，从而增大了引线框架和安装表面之间的热阻，散热效果不够理想，同时也增大了封装体积，不利于封装件的小型化。以上不足，有待改进。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种功率集成器件及电源装置，以解决现有技术中存在的封装件体积过大，散热效果不理想的技术问题。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：提供一种功率集成器件，包括：引脚及封装体，所述封装体包括正面、背面、第一侧面、第二侧面、第三侧面及第四侧面，所述背面用于连接散热装置，一个或多个所述引脚从所述第一侧面延伸出，所述第一侧面靠近所述背面部分的设置为第一斜面。进一步地，所述第二侧面靠近背面的部分设置为第二斜面，所述第二斜面与所述第一斜面相交于第一斜边；所述第四侧面与所述第一斜面相交于第四斜边。进一步地，所述引脚包括高压引脚和低压引脚，所述高压引脚靠近所述第一斜边，所述低压引脚靠近所述第四斜边，所述第一斜边和所述第四斜边与所述背面的一条底边相交，所述第一斜边与所述底边的第一夹角大于所述第四斜边与所述底边之间的第二夹角。进一步地，所述第一夹角不小于150度，所述第二夹角不大于100度。进一步地，所述封装体内部设有基岛、芯片和芯片连接线，所述芯片设于所述基岛的上表面，所述芯片通过所述芯片连接线与所述引脚相连。进一步地，所述基岛的下表面与所述背面齐平地暴露。进一步地，所述基岛包括第一基岛和第二基岛，所述第一基岛的面积大于所述第二基岛的面积，所述芯片包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片的面积大于所述第二芯片的面积，所述第一芯片设于所述第一基岛的上表面，所述第二芯片设于所述第二基岛的上表面。进一步地，所述第一基岛或所述第二基岛的下表面与所述背面齐平地暴露。进一步地，所述封装体嵌入有框架辅助承载片，所述框架辅助承载片一端外露，所述框架辅助承载片另一端与所述基岛相连，一个或多个所述框架辅助承载片从所述第二侧面、所述第三侧面或所述第四侧面中的至少一个侧面穿出，且暴露端与相应侧面对齐。本技术的另一目的在于提供一种电源装置，包括上述的功率集成器件。本技术提供的功率集成器件的有益效果在于：1、本技术功率集成器件通过将封装体第一侧面靠近背面部分设置为斜面，增大了引脚与背面之间沿着封装体表面的距离，从而满足了封装体的爬电距离的要求。2、本技术功率集成器件的第一侧面靠近背面部分设置为斜面，在满足爬电距离要求的前提下，可以将封装体的背面与内部封装的芯片之间的厚度控制到更薄，从而可以减小封装体的体积。3、本技术功率集成器件可进一步保证封装体背面具有较大的散热面积，从而改善了功率集成器件的散热效果，增大功率集成器件的功率容量。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的功率集成器件的结构示意图1；图2为本技术实施例提供的功率集成器件的结构示意图2；图3为本技术实施例提供的功率集成器件的与散热装置的连接示意图图4为图3中所示A部分的局部放大图；图5为本技术实施例提供的功率集成器件的正面结构示意图；图6为图5中所示B部分的局部放大图；图7为本技术实施例提供的功率集成器件的背面结构示意图1；图8为本技术实施例提供的功率集成器件的背面结构示意图2；图9为本技术实施例提供的功率集成器件的实施例示意图1；图10为本技术实施例提供的功率集成器件的实施例示意图2；图11为本技术实施例提供的功率集成器件的实施例示意图3；其中，图中各附图标记：1-引脚；11-第一引脚；12-第二引脚；2-封装体；21-第一侧面；22-第二侧面；23-第三横向侧；24-第四侧面；25-正面；26-背面；211-第一斜面；221-第二斜面；231-第三斜面；241-第四斜面；261-底边；2111-第一斜边；2211-第二斜边；2311-第三斜边；2411-第四斜边；3-基岛；301-上表面；302-下表面；31-第一基岛；32-第二基岛；4-芯片；41-第一芯片；42-第二芯片；5-芯片连接线；6-框架辅助承载片；7-散热装置；a-第一夹角；b-第二夹角；具体实施方式为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。请参阅图1至图7，功率集成器件包括引脚1和封装体2，封装体2包括第一侧面21、第二侧面22、第三侧面23、第四侧面24、正面25和背面26，背面26用于连接散热装置7，一个或多个引脚1从第一侧面21延伸出，第一侧面21靠近背面26的部分设置为斜面211。本技术提供的功率集成器件的有益效果在于：1、本技术功率集成器件通过将封装体第一侧面靠近背面部分设置为斜面，增大了引脚与背面之间沿着封装体表面的距离，从而满足了封装体的爬电距离的要求。2、本技术功率集成器件的第一侧面靠近背面部分设置为斜面，在满足爬电距离要求的前提下，可以将封装体的背面与内部封装的芯片之间的厚度控制到更薄，从而可以减小本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率集成器件，其特征在于：包括引脚及封装体，所述封装体包括正面、背面、第一侧面、第二侧面、第三侧面及第四侧面，所述背面用于连接散热装置，一个或多个所述引脚从所述第一侧面延伸出，所述第一侧面靠近所述背面的部分设置为第一斜面。

【技术特征摘要】
1.一种功率集成器件，其特征在于：包括引脚及封装体，所述封装体包括正面、背面、第一侧面、第二侧面、第三侧面及第四侧面，所述背面用于连接散热装置，一个或多个所述引脚从所述第一侧面延伸出，所述第一侧面靠近所述背面的部分设置为第一斜面。2.如权利要求1所述的功率集成器件，其特征在于：所述第二侧面靠近所述背面的部分设置为第二斜面，所述第二斜面与所述第一斜面相交于第一斜边；所述第四侧面与所述第一斜面相交于第四斜边。3.如权利要求2所述的功率集成器件，其特征在于：所述引脚包括高压引脚和低压引脚，所述高压引脚靠近所述第一斜边，所述低压引脚靠近所述第四斜边，所述第一斜边和所述第四斜边与所述背面的一条底边相交，所述第一斜边与所述底边的第一夹角大于所述第四斜边与所述底边的第二夹角。4.如权利要求3所述的功率集成器件，其特征在于：所述第一夹角不小于150度，所述第二夹角不大于100度。5.如权利要求1所述的功率集成器件，其特征在于：所述封装体内部设有基岛、芯片和芯片连接线，所述芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑凌波，罗小荣，周勇，
申请(专利权)人：深圳市力生美半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44