集成电路结构制造技术

一种集成电路结构。此集成电路结构包括参考电路以及至少两个核心电路。参考电路产生参考电流。至少两个核心电路耦接参考电路以接收此参考电流。每个核心电路包括电流校准电路。电流校准电路依据所述参考电流产生位于所述核心电路中的偏压电流。核心电路使用所述偏压电流来取代所述参考电流。在所述集成电路结构于测试阶段时，所述参考电路透过所述集成电路结构的接脚电性连接至外部阻抗来产生所述参考电流，且在所述测试阶段后，断开所述参考电路与所述集成电路结构的所述接脚之间的连接。

integrated-circuit patterns

An integrated circuit structure. The integrated circuit structure consists of a reference circuit and at least two core circuits. The reference circuit generates a reference current. At least two core circuits are coupled to the reference circuit to receive the reference current. Each core circuit consists of a current calibration circuit. The current calibration circuit generates a bias current in the core circuit according to the reference current. The core circuit uses the bias current to replace the reference current. In the integrated circuit structure in the testing phase, the reference circuit through the integrated circuit structure of the pin is electrically connected to the external impedance to generate the reference current, and in the test phase, disconnect the connection between the reference circuit and the integrated circuit structure of the pin the.

【技术实现步骤摘要】
集成电路结构
本专利技术是有关于一种集成电路技术，且特别是有关于一种利用电流校准电路所产生的偏压电流来取代参考电流的集成电路结构。
技术介绍
集成电路中需要一个稳定的参考电流，藉以确保同一个集成电路中各个核心电路或硅智产(SiliconIntellectualProperty，SIP，简称IP)元件的操作稳定度。一般的集成电路可透过带差参考电路(bandgapreferencecircuit)产生参考电压，透过集成电路的接脚外接准确外部电阻，藉以产生准确的参考电流。然而，虽然带差参考电路位于集成电路内部，但是带差参考电路与各个核心电路或硅智产元件之间的电流路径可能会受到杂讯的干扰，使得参考电流还是可能因干扰而发生抖动，导致讯号效能降低。各个硅智产元件的电源端/接地端杂讯也会对电流路径产生干扰。此外，集成电路必须耗费额外的接脚连接外部电阻方能产生参考电流。外部杂讯也可能透过耦合至外部电阻接脚进而影响参考电流的品质。因此，如何产生准确且干净的参考电流，便成为集成电路厂商所必须面对的课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种集成电路结构，其藉由电流校准电路所产生的偏压电流来取代原先的参考电流，以获得稳定且不受杂讯干扰的电流信号。本专利技术的集成电路结构包括参考电路以及至少两个核心电路。参考电路产生参考电流。至少两个核心电路耦接所述参考电路以接收所述参考电流。所述核心电路包括电流校准电路。电流校准电路依据所述参考电流产生位于所述核心电路中的偏压电流。所述核心电路使用所述偏压电流来取代所述参考电流。在所述集成电路结构于测试阶段时，所述参考电路透过所述集成电路结构的接脚电性连接至外部阻抗来产生所述参考电流，且在所述测试阶段后，断开所述参考电路与所述集成电路结构的所述接脚之间的连接。在本专利技术的一实施例中，上述的电流校准电路包括电压产生器、电流产生器、数字控制电流镜以及电流比较器。电压产生器用以产生内部参考电压。电流产生器耦接所述电压产生器，电流产生器依据所述内部参考电压产生内部参考电流。数字控制电流镜耦接所述电流产生器，数字控制电流镜依据所述内部参考电流产生校正电流。电流比较器耦接所述数字控制电流镜。电流比较器用以比较所述参考电流以及所述校正电流。在所述电流校准电路启动时，所述数字控制电流镜调整所述校正电流的电流值。所述数字控制电流镜依据所述电流比较器判断所述校正电流与所述参考电流的比较结果产生所述偏压电流，其中所述偏压电流的电流值与所述参考电流的当前电流值相同。基于上述，本专利技术实施例所述的集成电路结构在每个核心电路中设置电流校准电路，让这些核心电路能够藉由参考电流来产生由电流校准电路所产生的偏压电流，并取代原先带差参考电路所产生的参考电流。本专利技术实施例的集成电路所产生的参考电流除了不受到绝对温度变动以及系统电压变动的影响而产生改变之外，还可以消除制程的偏移，获得稳定且不受杂讯干扰的参考电流。再者，本专利技术实施例所述的集成电路结构可在测试阶段后将外部阻抗移除或将接脚转移给其他数字电路使用，藉此便可减少集成电路的接脚使用数量，节省电路面积。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。附图说明图1是依照本专利技术的第一实施例的集成电路结构的示意图。图2是依照本专利技术的第一实施例的电流校准电路的方块图。图3是依照本专利技术的第二实施例的集成电路结构的示意图。图4是依照本专利技术的第三实施例的集成电路结构的示意图。附图说明100、300、400：集成电路结构110：参考电路120-1：第一核心电路120-2：第二核心电路130：集成电路结构的接脚140：开关CC1/CC2、CC1、CC2：电流校准电路210：电压产生器220：电流产生器230：数字控制电流镜240：电流比较器250：电压比较器340：多路复用器350：其他电路360：参考电流产生器470：第二电流校准电路480：分配电流镜Iref：参考电流Im1、Im2：镜像电流I1：第一电流Vref：参考电压Rext：外部阻抗R1、R2：电阻It：内部参考电流Ib1、Ib2：偏压电流Ical：校正电流V1、V2：电压MM1、MM2：存储器单元MM3：存储器N1：电压比较器的第一输入端N2：电压比较器的第二输入端NM1：多路复用器的第一连接端NM2：多路复用器的第二连接端SR：比较结果具体实施方式为了使集成电路中的各个核心电路能够拥有稳定的参考电流，除了在集成电路结构中设置参考电路以产生参考电流之外，本专利技术实施例还在各核心电路中设置电流校准电路，让各核心电路的电流校准电路能够藉由参考电流产生偏压电流。藉此，核心电路便可藉由此偏压电流来取代原先带差参考电路所产生的参考电流，使核心电路获得更为稳定且不受杂讯干扰的参考电流。再者，本专利技术实施例所述的集成电路结构可在完成测试后将与外部阻抗相连的接脚转移给其他电路(如，数字电路)使用，或是在完成测试后将带差参考电路与集成电路的接点之间的电性连接处断开，藉此减少集成电路的接脚使用数量，节省电路面积。以下提出符合本专利技术精神的各种实施例，但应用本实施例者并不仅限于此。图1是依照本专利技术的第一实施例的集成电路结构100的示意图。本实施例的集成电路结构100设置于电路基板上，如印刷电路板。集成电路结构100主要包括参考电路110以及至少两个核心电路(如，第一核心电路120-1及第二核心电路120-2)。参考电路110用以产生参考电流Iref。核心电路120-1、120-2可以是硅智财(IP)元件，或是各自独立且具有功能的电路。为方便说明，图1中仅绘示两个核心电路120-1、120-2，然应用本实施例者可依其需求来调整核心电路的数量。参考电路110与核心电路120-1、120-2之间的电流路径有可能被硅智产元件的电源端/接地端杂讯或其他的讯号杂讯干扰而导致参考电流Iref不稳定，因此本专利技术实施例便在各个核心电路120-1、120-2当中分别设置电流校准电路CC1、CC2，电流校准电路CC1、CC2能够依据参考电流Iref而在各自所在的核心电路120-1、120-2产生偏压电流Ib1、Ib2。于本实施例中，偏压电流Ib1、Ib2的电流值将约略等同于参考电流Iref的电流值。如此一来，由于本专利技术实施例将电流校准电路CC1、CC2设置在对应的核心电路120-1、120-2内部，在核心电路120-1、120-2外部的杂讯干扰将不会影响到电流校准电路CC1、CC2。并且，核心电路120-1、120-2与各自的电流校准电路CC1、CC2皆位于相同的电源端以及接地端。因此，相对于参考电流Iref，偏压电流Ib1、Ib2较为稳定且不受杂讯干扰的影响。藉此，偏压电流Ib1、Ib2便可取代原本参考电流Iref的功用，使得核心电路120-1、120-2可确保其操作稳定度。本专利技术实施例的集成电路结构100在其出厂前的测试阶段时，透过集成电路结构100的接脚130将参考电路110电性连接至位于集成电路结构100外部的外部阻抗Rext，藉以产生稳定的参考电流Iref，而电流校准电路CC1、CC2也就此而产生偏压电流Ib1、Ib2。在另一实施例中，参考电路110可藉由其内部的记忆元件来记录参考电流Iref的电流值。并且，在集成电路结构100出厂前的测试阶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路结构，其特征在于，包括：参考电路，产生参考电流；以及至少两个核心电路，耦接所述参考电路以接收所述参考电流，其中所述核心电路包括：电流校准电路，依据所述参考电流产生位于所述核心电路中的偏压电流，所述核心电路使用所述偏压电流来取代所述参考电流，其中在所述集成电路结构于测试阶段时，所述参考电路透过所述集成电路结构的接脚电性连接至外部阻抗来产生所述参考电流，且在所述测试阶段后，断开所述参考电路与所述集成电路结构的所述接脚之间的连接。

【技术特征摘要】
1.一种集成电路结构，其特征在于，包括：参考电路，产生参考电流；以及至少两个核心电路，耦接所述参考电路以接收所述参考电流，其中所述核心电路包括：电流校准电路，依据所述参考电流产生位于所述核心电路中的偏压电流，所述核心电路使用所述偏压电流来取代所述参考电流，其中在所述集成电路结构于测试阶段时，所述参考电路透过所述集成电路结构的接脚电性连接至外部阻抗来产生所述参考电流，且在所述测试阶段后，断开所述参考电路与所述集成电路结构的所述接脚之间的连接。2.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述电流校准电路包括：电压产生器，用以产生内部参考电压；电流产生器，耦接所述电压产生器，依据所述内部参考电压产生内部参考电流；数字控制电流镜，耦接所述电流产生器，依据所述内部参考电流产生校正电流；以及电流比较器，耦接所述数字控制电流镜，用以比较所述参考电流以及所述校正电流，其中在所述电流校准电路启动时，所述数字控制电流镜调整所述校正电流的电流值，所述数字控制电流镜依据所述电流比较器判断所述校正电流与所述参考电流的比较结果产生所述偏压电流，其中所述偏压电流的电流值与所述参考电流的当前电流值实质相同。3.如权利要求2所述的集成电路结构，其特征在于，所述电压产生器产生与绝对温度成正比的所述内部参考电压，并且，所述电流产生器包括具有正温度系数的阻抗元件，所述电流产生器依据所述内部参考电压而产生与系统电压及绝对温度无关的所述内部参考电流。4.如权利要求3所述的集成电路结构，其特征在于，还包括对应各个所述电流校准电路的存储器单元，所述存储器单元用以记录已校准的所述偏压电流的已校准电流值。5.如权利要求4所述的集成电路结构，其特征在于，所述参考电路包括参考电流产生器，其中，在所述集成电路结构于所述测试阶段时，所述参考电流产生...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈启彬，
申请(专利权)人：扬智科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71