近红外发光的半导体单层碳纳米管制造技术

本发明专利技术的课题在于，提供发光能量发生了约300meV低能量化的半导体单层碳纳米管及其制造方法，通过采用在大气中对半导体单层碳纳米管直接照射紫外光的方法，在大气中产生臭氧而使克量的氧原子导入至半导体单层碳纳米管中，能够获得发光能量发生了约300meV低能量化的半导体单层碳纳米管。

Semiconductor single-layer carbon nanotube with near infrared luminescence

The invention provides the semiconductor luminous energy of single-walled carbon nanotube is about 300meV low energy and its manufacturing method, by using the method of semiconductor single wall carbon nanotubes directly irradiated with ultraviolet light in the atmosphere, ozone in the atmosphere and the oxygen atoms into semiconductor monolayer carbon nanotubes g in quantity, can obtain light energy semiconductor single wall carbon nanotubes with low energy of about 300meV.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】近红外发光的半导体单层碳纳米管
本专利技术涉及近红外发光的半导体单层碳纳米管及其制造方法，特别是涉及发光波长发生了长波长化的半导体单层碳纳米管及其制造方法。
技术介绍
碳纳米管(以下，也称为CNT)为具有如下结构的碳结构体：碳原子在平面上配置成六边形而构成的碳片(即，由石墨形成的片)闭合成圆筒状而得到的结构。该CNT有多层的碳纳米管以及单层的碳纳米管，但已知：单层CNT(以下，也称为SWCNT)的电子特性依赖于其卷绕方式(直径、螺旋度)，会显示出金属的性质或半导体的性质。半导体SWCNT会在生物体透过性良好的近红外区域(800～2000nm)进行光吸收和发光，因此期待作为用于检测细胞、生物体功能的荧光探针极其有用。其中，1200～1400nm的波长区域为生物体透过性最好的区域。通过将氧原子、官能团导入至该半导体SWCNT中，可以使发光波长发生变化。例如，通过将添加有臭氧的水、与将SWCNT用表面活性剂分散而成的水溶液混合，一边照射光一边使其进行化学反应，由此，将纳米管壁中的一部分碳替换成氧原子(非专利文献1、2)。在如此操作而导入有氧原子时，大部分的氧原子以醚键的形式键合于SWCNT本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种近红外发光的半导体单层碳纳米管的制造方法，其特征在于，通过在大气中对半导体单层碳纳米管直接照射紫外线，产生臭氧而对半导体单层碳纳米管进行氧化处理。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.23 JP 2015-0115821.一种近红外发光的半导体单层碳纳米管的制造方法，其特征在于，通过在大气中对半导体单层碳纳米管直接照射紫外线，产生臭氧而对半导体单层碳纳米管进行氧化处理。2.根据权利要求1所述的近红外发光的半导体单层碳纳米管的制造方法，其特征在于，对在基板上形成为薄膜状的半导体单层碳纳米管照射所述紫外线。3.根据权利要求1或2所述的近红外发光的半导体单层碳纳米管的制造方法，其特征在于，在密闭的空间进行所述氧化处理。4.一种近红外发光的半导体单层碳纳米管，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：饭泉阳子，冈崎俊也，榊田创，金载浩，
申请(专利权)人：国立研究开发法人产业技术综合研究所，
类型：发明
国别省市：日本,JP