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本发明的课题在于，提供发光能量发生了约300meV低能量化的半导体单层碳纳米管及其制造方法，通过采用在大气中对半导体单层碳纳米管直接照射紫外光的方法，在大气中产生臭氧而使克量的氧原子导入至半导体单层碳纳米管中，能够获得发光能量发生了约300...
该专利属于国立研究开发法人产业技术综合研究所所有，仅供学习研究参考，未经过国立研究开发法人产业技术综合研究所授权不得商用。

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