3D NAND闪存结构中晶圆的叠合连接工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种3D NAND闪存结构中晶圆连接的叠合连接工艺，包括以下步骤：提供两个晶圆结构；进行预处理，具体为对所述两个晶圆结构的叠合连接面进行预处理以粗糙化所述叠合连接面；将所述两个晶圆结构的叠合连接面叠合并将所述两个晶圆结构连接为一体结构。通过对叠合连接面进行等离子体处理，获得相对粗糙的叠合连接表面，以增加叠合连接后的界面键合力；采用离子注入对叠合连接面进行离子掺杂，减小叠合连接表面之间导电介质的接触电阻；通过对叠合连接后的一体结构进行退火处理，加速界面处的原子扩散，从而增加叠合连接后的界面键合力；通过本发明专利技术上述工艺，能够增强多个叠合晶圆连接界面的键合力，进而提高3D NAND闪存结构的产品性能。

Superimposition connection technology of wafer in 3D NAND flash memory structure

The present invention provides MICROTEK flash structure for 3D NAND round connection composite connection technology, which comprises the following steps: providing a two wafer structure; pretreatment, specifically to the two wafer structure composite connection surface pretreatment to the roughness of the composite surface of the connection; the two wafer structure superimposed connecting surface folded and connecting the two wafer structure as a whole structure. Plasma by analyzing the laminated connecting surface, relatively rough surface composite connection, in order to increase the composite interface bond after using force; ion implantation on the laminated connecting surface doped with ions, reduce the contact resistance between the laminated connecting surface conductive medium; the composite integrated structure of connection the annealing treatment, accelerate the diffusion of interface atoms, thus increasing the composite interface key connection after the invention by force; the above process can enhance a plurality of stacked wafer bonding interface bonding force, so as to improve the performance of 3D NAND flash memory structure.

【技术实现步骤摘要】
3DNAND闪存结构中晶圆的叠合连接工艺
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种3DNAND闪存结构及其制作方法，特别是一种能够增强3DNAND闪存结构中晶圆连接时键合力，同时降低导电介质接触电阻的晶圆的叠合连接工艺。
技术介绍
随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限，现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及最求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3DNOR(3D或非)闪存和3DNAND(3D与非)闪存。其中，在NOR型结构的3D闪存中，存储单元在位线和地线之间并联排列，而在NAND型结构的3D闪存中，存储单元在位线和地线之间串列排列。具有串联结构的NAND型闪存具有较低的读取速度，但是却具有较高的写入速度，从而NAND型闪存适合用于存储数据，其优点在于体积小、容量大。闪存器件根据存储单元的结构可分为叠置栅极型和分离栅极型，并且根据电荷存储层的形状分为浮置栅极器件和硅-氧化物-氮化物-氧化物(SONO)器件。其中，SON本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种3D NAND闪存结构中晶圆连接的叠合连接工艺，其特征在于：包括以下步骤：提供两个晶圆结构；进行预处理，具体为对所述两个晶圆结构的叠合连接面进行预处理以粗糙化所述叠合连接面；将所述两个晶圆结构的叠合连接面叠合并将所述两个晶圆结构连接为一体结构。

【技术特征摘要】
1.一种3DNAND闪存结构中晶圆连接的叠合连接工艺，其特征在于：包括以下步骤：提供两个晶圆结构；进行预处理，具体为对所述两个晶圆结构的叠合连接面进行预处理以粗糙化所述叠合连接面；将所述两个晶圆结构的叠合连接面叠合并将所述两个晶圆结构连接为一体结构。2.根据权利要求1所述的一种3DNAND闪存结构中晶圆连接的叠合连接工艺，其特征在于：所述预处理步骤，包括对所述两个晶圆结构的叠合连接面进行等离子体处理。3.根据权利要求2所述的一种3DNAND闪存结构中晶圆连接的叠合连接工艺，其特征在于：进一步的，所述预处理步骤，还包括采用离子注入对所述两个晶圆结构的叠合连接面进行离子掺杂。4.根据权利要求3所述的一种3DNAND闪存结构中晶圆连接的叠合连接工艺，其特征在于：根据实际接触电阻的需要调整离子注入的角度在1-60°之间、能量在10KeV-50MeV之间、掺杂计量在1×1013-1×1020...

【专利技术属性】
技术研发人员：张坤，刘藩东，夏志良，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42