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本发明提供了一种3D NAND闪存结构中晶圆连接的叠合连接工艺，包括以下步骤：提供两个晶圆结构；进行预处理，具体为对所述两个晶圆结构的叠合连接面进行预处理以粗糙化所述叠合连接面；将所述两个晶圆结构的叠合连接面叠合并将所述两个晶圆结构连接为一...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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