【技术实现步骤摘要】
陶瓷外壳磨抛方法及装置
本专利技术涉及陶瓷封装
,特别是涉及一种陶瓷外壳磨抛方法及装置。
技术介绍
陶瓷封装外壳中有些种类外壳对待磨抛区域安装平面度有较高要求,例如用于封装电荷耦合器件(ChargeCoupleDevice,CCD)微型图像传感器的陶瓷外壳。CCD器件具有光电转换和信号电荷存储、转移及读出的功能,被广泛应用在卫星光学成像仪、军事装备、目标跟踪等产品上,是侦察卫星、资源卫星、海洋卫星、气象卫星及卫星星空等成像仪的核心元器件。以封口区、芯区进行表面磨抛处理为例,CCD用陶瓷外壳封口方式采用胶粘封口,盖板采用光学膜蒸镀玻璃盖板,对封口区域平面度要求较高,大面阵CCD用陶瓷外壳为了满足粘接芯区的要求,需对芯区平面度进行控制。在陶瓷外壳生产过程中,需在烧结后采用熟瓷磨抛工艺,对规定的封口区、芯区进行表面磨抛处理,来满足平面度要求。由于陶瓷外壳体积小,在磨抛过程中不容易控制磨抛区域,造成封口去或芯区损伤,影响成品性能,甚至造成产品报废。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足,提供一种陶瓷外壳磨抛方法及装置,解决陶瓷外壳生产过程中磨 ...
【技术保护点】
一种陶瓷外壳磨抛方法,其特征在于,包括以下步骤:确定待加工陶瓷外壳的待磨抛区域;在所述待磨抛区域制作定位标识;利用所述定位标识对所述待磨抛区域进行磨抛处理。
【技术特征摘要】
1.一种陶瓷外壳磨抛方法,其特征在于,包括以下步骤:确定待加工陶瓷外壳的待磨抛区域;在所述待磨抛区域制作定位标识;利用所述定位标识对所述待磨抛区域进行磨抛处理。2.根据权利要求1所述的陶瓷外壳磨抛方法,其特征在于,所述定位标识为下嵌腔体或者金属化图形。3.根据权利要求2所述的陶瓷外壳磨抛方法,其特征在于,所述下嵌腔体的形状为L型、十字型、T字型中的任意一种,所述金属化图形的形状为L型、十字型、T字型中的任意一种。4.根据权利要求2所述的陶瓷外壳磨抛方法,其特征在于,所述下嵌腔体为利用激光刻蚀或模具冲孔工艺在所述待磨抛区域腔体内形成的下嵌腔。5.根据权利要求2所述的陶瓷外壳磨抛方法,其特征在于,所述金属化图形为利用丝网...
【专利技术属性】
技术研发人员:于斐,彭博,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十三研究所,
类型:发明
国别省市:河北,13
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