陶瓷外壳磨抛方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种陶瓷外壳磨抛方法及装置，涉及陶瓷封装技术领域，包括以下步骤：确定待加工陶瓷外壳的待磨抛区域；在所述待磨抛区域制作定位标识；利用所述定位标识对所述待磨抛区域进行磨抛处理。本发明专利技术通过设计陶瓷外壳磨抛方法，首先确定待磨抛区域，然后在待磨抛区域制作定位标识，从而确定磨抛区域，对陶瓷外壳进行磨抛时，利用定位标识精准定位磨抛区域，保证在磨抛时只限定在磨抛区域，不损伤磨抛区域之外的部分，达到最好的磨抛效果。

Grinding and polishing method and device for ceramic shell

【技术实现步骤摘要】
陶瓷外壳磨抛方法及装置
本专利技术涉及陶瓷封装
，特别是涉及一种陶瓷外壳磨抛方法及装置。
技术介绍
陶瓷封装外壳中有些种类外壳对待磨抛区域安装平面度有较高要求，例如用于封装电荷耦合器件（ChargeCoupleDevice，CCD）微型图像传感器的陶瓷外壳。CCD器件具有光电转换和信号电荷存储、转移及读出的功能，被广泛应用在卫星光学成像仪、军事装备、目标跟踪等产品上，是侦察卫星、资源卫星、海洋卫星、气象卫星及卫星星空等成像仪的核心元器件。以封口区、芯区进行表面磨抛处理为例，CCD用陶瓷外壳封口方式采用胶粘封口，盖板采用光学膜蒸镀玻璃盖板，对封口区域平面度要求较高，大面阵CCD用陶瓷外壳为了满足粘接芯区的要求，需对芯区平面度进行控制。在陶瓷外壳生产过程中，需在烧结后采用熟瓷磨抛工艺，对规定的封口区、芯区进行表面磨抛处理，来满足平面度要求。由于陶瓷外壳体积小，在磨抛过程中不容易控制磨抛区域，造成封口去或芯区损伤，影响成品性能，甚至造成产品报废。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，提供一种陶瓷外壳磨抛方法及装置，解决陶瓷外壳生产过程中磨抛区域不容易定位的问题，具有精准定位磨抛区域的特点。为解决上述技术问题，本专利技术所采取的技术方案是：一种陶瓷外壳磨抛方法，包括以下步骤：确定待加工陶瓷外壳的待磨抛区域；在所述待磨抛区域制作定位标识；利用所述定位标识对所述待磨抛区域进行磨抛处理。优选地，所述定位标识为下嵌腔体或者金属化图形。优选地，所述下嵌腔体的形状为L型、十字型、T字型中的任意一种，所述金属化图形的形状为L型、十字型、T字型中的任意一种。优选地，所述下嵌腔体为利用激光刻蚀或模具冲孔工艺在所述待磨抛区域腔体内形成的下嵌腔。优选地，所述金属化图形为利用丝网印刷工艺在所述待磨抛区域表面形成的金属图形。优选地，所述下嵌腔体的腔深不小于0.1毫米。优选地，所述金属化图形的线宽不小于0.08毫米。优选地，所述待磨抛区域包括封口区和芯区。一种陶瓷外壳磨抛装置，包括：待磨抛区域确定模块，用于确定待加工陶瓷外壳的待磨抛区域；定位标识制作模块，用于在所述待磨抛区域制作定位标识；磨抛处理模块，用于利用所述定位标识对所述待磨抛区域进行磨抛处理。优选地，所述定位标识为下嵌腔体或者金属化图形。采用上述技术方案所产生的有益效果在于：本专利技术实施例通过确定待磨抛区域，在待磨抛区域制作定位标识，对陶瓷外壳进行磨抛时，利用定位标识精准定位磨抛区域，保证在磨抛时只限定在磨抛区域，不损伤磨抛区域之外的部分，达到最好的磨抛效果。附图说明图1是本专利技术一个实施例中陶瓷外壳磨抛方法的逻辑流程图。图2是本专利技术一个实施例中芯区定位标识示意图。图3是本专利技术一个实施例中封口区定位标识示意图。图中：1、定位标识；2、芯区；3、封口区。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明，但本专利技术的保护范围不局限于以下所述。如图1所示，为本专利技术陶瓷外壳磨抛方法的逻辑流程图，包括以下步骤：步骤S100，确定待加工陶瓷外壳的待磨抛区域；步骤S200，在待磨抛区域制作定位标识1；步骤S300，利用定位标识1对待磨抛区域进行磨抛处理。在对陶瓷外壳进行磨抛时，首先确定待磨抛区域，然后在待磨抛区域制作定位标识1，从而确定磨抛区域，对陶瓷外壳进行磨抛时，利用定位标识1精准定位磨抛区域，保证在磨抛时只限定在磨抛区域，不损伤磨抛区域之外的部分，达到最好的磨抛效果。定位标识1为预设第一形状的下嵌腔体或者具有预设第二形状的金属化图形，下嵌腔体的形状和金属化图形的形状可以相同也可不同。在陶瓷外壳磨抛时，允许对定位标识1有一定程度磨损的，可选用一定形状的下嵌腔体做定位标识1，这类定位标识1不妨碍整个磨抛加工过程；对于要求磨抛时不允许伤及定位标识1的可选用一定形状的金属化图形做标识，这类标识需要在磨抛加工过程中保持形状和图案，不允许产生损伤。下嵌腔体为利用激光刻蚀或模具冲孔工艺在陶瓷外壳腔体内形成的下嵌腔，金属化图形为利用丝网印刷工艺在陶瓷外壳表面形成的金属图形；下嵌腔体和金属化图形的制作均在陶瓷外壳生产过程中的生瓷阶段直接加工而成，当陶瓷外壳变为熟瓷是利用定位标识1进行定位磨抛区域进行磨抛工序。该方法可适用于各种磨抛类的陶瓷外壳，表面、腔体、侧面等需要磨抛的区域均可通过定位标识1，本说明书中以封口区3和芯区2为例进行说明。定位标识1形状可选为L型、十字型、T字型中的任意一种，除此之外还可选用其他形状，根据实际情况，选择在芯区2制作下嵌腔体定位标识1或金属化图形定位标识1，其中下嵌腔体的腔深不小于0.1毫米，金属化图形的线宽不小于0.08毫米。当定位标识1制作好以后，进行磨抛工序时需进行磨抛区域定位。如图2所示，为本专利技术一个实施例中芯区2定位标识示意图，本实施例中定位标识1选用L形的金属化图形，在需要磨抛区域的四个角均设置定位标识1，定位时只需要定位四个L形定位标识1的直角拐点，由此可以确定虚线包围部分即为磨抛区域，通过此种方法可以对芯区2磨抛区域进行精准定位，防止在芯区2磨抛过程中损伤周围的部件，以此达到最好的磨抛效果。如图3所示，为本专利技术一个实施例中封口区3定位标识示意图，本实施例中定位标识1选用L形的金属化图形，在封口区3需要磨抛区域的四个角均设置定位标识1，定位时只需要定位四个L形定位标识1的直角拐点，由此可以确定虚线包围部分即为磨抛区域，通过此种方法可以对封口区3磨抛区域进行精准定位，防止在封口区3磨抛过程中损伤周围的部件，以此达到最好的磨抛效果。本专利技术同时公开了一种陶瓷外壳磨抛装置，包括：待磨抛区域确定模块，用于确定待加工陶瓷外壳的待磨抛区域；定位标识制作模块，用于在待磨抛区域制作定位标识1；磨抛处理模块，用于利用定位标识1对待磨抛区域进行磨抛处理。工作时，待磨抛区域确定模块确定待磨抛的区域，并由定位标识制作模块对待磨抛区域的四个角制作定位标识1，当完成定位标识1的制作后，在陶瓷外壳进行磨抛工序时，磨抛处理模块对定位标识1进行识别并根据定位标识1确定磨抛区域，然后在磨抛区域中进行磨抛，通过此种技术手段，实现对磨抛区域的精确定位，保证在磨抛过程中只针对规定的区域进行磨抛，不会对其他部分造成损伤，达到最好的磨抛效果。定位标识1为下嵌腔体或者金属化图形，下嵌腔体的形状和金属化图形的形状可以相同也可不同。下嵌腔体的形状为L型、十字型、T字型中的任意一种，金属化图形的形状为L型、十字型、T字型中的任意一种。下嵌腔体为利用激光刻蚀或模具冲孔工艺在所述待磨抛区域腔体内形成的下嵌腔。金属化图形为利用丝网印刷工艺在所述待磨抛区域表面形成的金属图形。下嵌腔体的腔深不小于0.1毫米，金属化图形的线宽不小于0.08毫米。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种陶瓷外壳磨抛方法，其特征在于，包括以下步骤：确定待加工陶瓷外壳的待磨抛区域；在所述待磨抛区域制作定位标识；利用所述定位标识对所述待磨抛区域进行磨抛处理。

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷外壳磨抛方法，其特征在于，包括以下步骤：确定待加工陶瓷外壳的待磨抛区域；在所述待磨抛区域制作定位标识；利用所述定位标识对所述待磨抛区域进行磨抛处理。2.根据权利要求1所述的陶瓷外壳磨抛方法，其特征在于，所述定位标识为下嵌腔体或者金属化图形。3.根据权利要求2所述的陶瓷外壳磨抛方法，其特征在于，所述下嵌腔体的形状为L型、十字型、T字型中的任意一种，所述金属化图形的形状为L型、十字型、T字型中的任意一种。4.根据权利要求2所述的陶瓷外壳磨抛方法，其特征在于，所述下嵌腔体为利用激光刻蚀或模具冲孔工艺在所述待磨抛区域腔体内形成的下嵌腔。5.根据权利要求2所述的陶瓷外壳磨抛方法，其特征在于，所述金属化图形为利用丝网...

【专利技术属性】
技术研发人员：于斐，彭博，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北,13