【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及新型半导体，尤其涉及一种hemt外延结构及其制备方法。
技术介绍
1、gan材料具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高和抗辐射能力强等特性，是制备短波长发光器件和高频高功率电子器件的理想材料。但是由于目前电子器件的传统封装的散热能力较低，gan器件只能发挥其20％-30％的理论性能，随着高功率器件工作温度的升高，高功率器件的失效概率呈指数级增长，低散热能力严重影响了gan器件的电学性能和工作可靠性。
2、金刚石被称为终极半导体材料，具有超高硬度、良好导热性、化学稳定性等特点，因此，多晶金刚石具有的超高热导率使其成为了理想的导热基板。目前使用金刚石进行散热的主流方法包括如下：将器件上原来硅基衬底磨掉，然后利用中间键合层将gan层与金刚石衬底键合；但是，该方法在高温情况下容易出现键合层失效，由于gan薄膜本身是在硅衬底上外延，从而导致晶格失配及热失配等原因，致使gan具有非常大的翘曲度，键合失败，不仅影响金刚石散热性能，甚至导致晶圆破裂。因此，提供一种hemt外延结构及其制备方法以解决现有gan异质外延的晶格失配、热失...
【技术保护点】
1.一种HEMT外延结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的HEMT外延结构的制备方法，其特征在于，步骤a中，所述多晶金刚石衬底的厚度为100μm-600μm。
3.如权利要求1所述的HEMT外延结构的制备方法，其特征在于，步骤a中，所述硅离子的离子注入能量为55keV-100keV。
4.如权利要求1所述的HEMT外延结构的制备方法，其特征在于，步骤a中，所述硅离子的离子注入剂量为1E17atoms/cm2-3E17atoms/cm2。
5.如权利要求1所述的HEMT外延结构的制备方法，其特征...
【技术特征摘要】
1.一种hemt外延结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的hemt外延结构的制备方法，其特征在于，步骤a中，所述多晶金刚石衬底的厚度为100μm-600μm。
3.如权利要求1所述的hemt外延结构的制备方法，其特征在于，步骤a中，所述硅离子的离子注入能量为55kev-100kev。
4.如权利要求1所述的hemt外延结构的制备方法，其特征在于，步骤a中，所述硅离子的离子注入剂量为1e17atoms/cm2-3e17atoms/cm2。
5.如权利要求1所述的hemt外延结构的制备方法，其特征在于，步骤b中，所述退火的时间为10min-25min。...
【专利技术属性】
技术研发人员：高楠，房玉龙，王波，张志荣，尹甲运，王浩然，崔起源，陈宏泰，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：
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