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本发明涉及新型半导体技术领域，具体公开一种HEMT外延结构及其制备方法。本发明提供的方法包括在金刚石表面注入硅离子，然后经过退火得到SiC/多晶金刚石复合的退火基底，进一步生长GaN外延。采用本发明的制备方法能使得GaN对衬底的晶格常数和热...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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