倒置栅极结构的功率MOSFET及制作方法技术

本发明专利技术公开一种倒置栅极结构的功率MOSFET及制作方法，倒置栅极结构的功率MOSFET它包括其上设有源极、栅极和漏极的晶圆；本设计中，源极设置在所述晶圆的正面，漏极和栅极设置于晶圆的背面；本方法它包括a.晶圆正面源极的处理；b.晶圆背面栅极和漏极的处理两大步骤。

【技术实现步骤摘要】
倒置栅极结构的功率MOSFET及制作方法
本专利技术涉及功率半导体
，尤其涉及一种倒置栅极结构的功率MOSFET及制作方法。
技术介绍
对于普通的功率MOSFET而言，其晶圆的正面是器件的源极和栅极，晶圆的背面是器件的漏极；而对于某些特殊的应用是，希望将器件的栅极倒置到晶圆的背面；这样在晶圆的正面是器件的源极，晶圆的背面是器件的漏极和栅极；但现有技术中并无这样的的功率MOSFET。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，适应现实需要，提供一种倒置栅极结构的功率MOSFET及制作方法。为了实现本专利技术的目的，本专利技术所采用的技术方案为：本专利技术公开了一种倒置栅极结构的功率MOSFET，包括其上设有源极、栅极和漏极的晶圆；源极设置在所述晶圆的正面，漏极和栅极设置于晶圆的背面。所述源极上设有一电镀层或印刷有锡膏层。所述电镀层或印刷有锡膏层侧部的晶圆正面设有塑封层，与源极连接的电镀层或锡膏层裸露于塑封层外部。所述漏极和栅极穿过衬底裸露于晶圆的背面。所述漏极和栅极上设有金属层，漏极上的金属层和栅极上的金属层通过凹槽隔离。所述凹槽内设有聚酰亚胺绝缘体，漏极上的金属层和栅极上的金属层通过聚酰亚胺绝缘体隔离。本专利技术还公开了一种制作如上任一所述倒置栅极结构的功率MOSFET的方法，本方法在具有源极、栅极和漏极的晶圆上实施，源极、栅极和漏极的压焊点均位于晶圆的正面，其特征在于：它包括如下步骤：a.晶圆正面源极的处理:（1）晶圆正面源极的压焊点处做电镀层或印刷锡膏层；（2）晶圆正面塑封形成塑封层；（3）晶圆正面研磨将源极裸露；b.晶圆背面栅极和漏极的处理：（1）在栅极和漏极的压焊点处向衬底方向刻蚀深槽，深槽的下端止于衬底的内部；深槽内用掺杂多晶硅填充；（2）将晶圆的背面厚度减薄并将深槽内的多晶硅漏出；（3）晶圆背面金属化形成金属层；（4）晶圆背面光刻做出所述凹槽，将漏极和栅极隔离；（5）晶圆背面做聚酰亚胺涂覆并进行光刻，光刻时对凹槽以外的聚酰亚胺进行光刻，保留凹槽内的聚酰亚胺形成聚酰亚胺绝缘体。步骤a与步骤b顺序互换。本专利技术的有益效果在于：本专利技术一改传统的功率MOSFET设计，将其漏极和栅极设置于晶圆的背面，使本功率MOSFET可以使用于某些特殊的用于中。附图说明图1为本专利技术中的晶圆背面处理步骤（1）结构示意图；图2为本专利技术中的晶圆证明处理步骤（1）结构示意图；图3为本专利技术中的晶圆背面处理步骤（2）结构示意图；图4为本专利技术中的晶圆背面处理步骤（3）结构示意图；图5为本专利技术中的晶圆背面处理步骤（4）结构示意图；图6为本专利技术中的晶圆背面处理步骤（5）结构示意图；图7为本专利技术中的晶圆正面处理步骤（2）结构示意图；图中：1.晶圆;2.衬底;3.栅极压焊点处;4.源极压焊点处;5.漏极压焊点处;7.多晶硅;8.电镀层或印刷锡膏层;9.塑封层;10.源极;11.金属层;12.凹槽;13.聚酰亚胺绝缘体。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明：实施例1：一种倒置栅极结构的功率MOSFET，参见图7；功率MOSFET包括其上设有源极、栅极和漏极的晶圆1(现有技术)；本设计中，本功率MOSFET的源极10设置在所述晶圆1的正面，漏极和栅极设置于晶圆的背面。进一步的，本设计的所述源极上设有一电镀层或印刷有锡膏层8，同时，所述电镀层或印刷有锡膏层8侧部的晶圆1正面设有塑封层9，与源极10连接的电镀层或锡膏层8裸露于塑封层9外部。而所述的漏极和栅极穿过衬底2裸露于晶圆1的背面，同时，在晶圆1背面上的所述漏极和栅极上设有金属层11，漏极上的金属层11和栅极上的金属层通过凹槽12隔离，所述凹槽12内设有聚酰亚胺绝缘体13，漏极上的金属层和栅极上的金属层11通过聚酰亚胺绝缘体13隔离。实施例2，参见图1至图7，一种制作如实施例1所述倒置栅极结构的功率MOSFET的方法，本方法在实施中是在具有源极、栅极和漏极的晶圆上实施，源极、栅极和漏极的压焊点均位于晶圆的正面，本方法它包括如下步骤：a.对晶圆正面源极的处理:（1）晶圆正面源极的压焊点处做电镀层或印刷锡膏层，参见图2；（2）晶圆正面塑封形成塑封层，参见图3；（3）晶圆正面研磨将源极裸露，参见图7；b.对晶圆背面栅极和漏极的处理：（1）在栅极和漏极的压焊点处向衬底方向刻蚀深槽，深槽的下端止于衬底的内部；深槽内用掺杂多晶硅填充，参见图1；（2）将晶圆的背面厚度减薄并将深槽内的多晶硅漏出，参见图3；（3）晶圆背面金属化形成金属层，参见图4；（4）晶圆背面光刻做出所述凹槽，将漏极和栅极隔离，参见图5；（5）晶圆背面做聚酰亚胺涂覆并进行光刻，光刻时对凹槽以外的聚酰亚胺进行光刻，保留凹槽内的聚酰亚胺形成聚酰亚胺绝缘体，参见图6。实施中，上述步骤a与步骤b顺序互换。如此通过本方法可以制作出如实施例1所述的倒置栅极结构的功率MOSFET，通过本方法制作出的倒置栅极结构的功率MOSFET在应用中可以用于需要将栅极倒置到晶圆的背面的情况下使用，能够使用在某些特殊的应用中。本专利技术的实施例公布的是较佳的实施例，但并不局限于此，本领域的普通技术人员，极易根据上述实施例，领会本专利技术的精神，并做出不同的引申和变化，但只要不脱离本专利技术的精神，都在本专利技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倒置栅极结构的功率MOSFET，包括其上设有源极、栅极和漏极的晶圆；其特征在于：源极设置在所述晶圆的正面，漏极和栅极设置于晶圆的背面。

【技术特征摘要】
1.一种倒置栅极结构的功率MOSFET，包括其上设有源极、栅极和漏极的晶圆；其特征在于：源极设置在所述晶圆的正面，漏极和栅极设置于晶圆的背面。2.如权利要求1所述的倒置栅极结构的功率MOSFET，其特征在于：所述源极上设有一电镀层或印刷有锡膏层。3.如权利要求2所述的倒置栅极结构的功率MOSFET，其特征在于：所述电镀层或印刷有锡膏层侧部的晶圆正面设有塑封层，与源极连接的电镀层或锡膏层裸露于塑封层...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨文良，黄凤明，杨彦峰，
申请(专利权)人：深圳市芯电元科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44