一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法，制造的屏蔽栅MOSFET在第一多晶硅下方的介质层包括第一氧化层、第一氮化硅和第二氮化硅，第一多晶硅侧面的介质层包括第一氧化层和第二氮化硅，也就是说，屏蔽栅下方的介质层厚度比侧面的介质层厚度更大，因此可弱化沟槽底部的电场强度，避免了现有技术中存在的沟槽底部电场更强的问题，因而本案提高了MOSFET击穿电压。穿电压。穿电压。

【技术实现步骤摘要】
一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法。

技术介绍

[0002]MOSFET芯片是一种分立器件，属于半导体功率器件范畴，与集成电路同属于半导体芯片领域，集成电路是通过工艺方法将成千上万个晶体管整合在同一个芯片中，MOSFET则是由成千上万个相同结构的元胞并列组成的单个晶体管。
[0003]MOSFET的关键动态参数包括寄生电容、开关时间、栅极寄生电阻等，其中寄生电容包括栅源寄生电容Cgs、栅漏寄生电容Cgd，漏源寄生电容Cds，从应用角度来看，将MOSFET的寄生电容归纳为输入电容Ciss＝Cgs+Cgd，输出电容Coss＝Cds+Cdg和反向传输电容Crss＝Cdg，其中反向传输电容Crss也叫做米勒电容，输入电容和米勒电容在MOSFET的开关损耗中起主导作用。芯片面积越大，芯片的导通电阻就越小，但寄生电容的面积也就越大，输入电容和米勒电容随之也就越大；在保证既定导通电阻的前提下，最大程度的减小MOSFET的输入电容和米勒电容，是芯片工程师的职责所在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在衬底的表面生长外延层，并在外延层中形成第一沟槽和第二沟槽，在第一沟槽及第二沟槽的表面形成第一氧化层；步骤S2：在第一氧化层表面生成第一氮化硅，腐蚀第一氮化硅，保留第一沟槽及第二沟槽底部的部分第一氮化硅；步骤S3：在第一氧化层和第一氮化硅表面淀积第二氮化硅，在第二氮化硅表面淀积第一多晶硅，腐蚀第一多晶硅，使得第一多晶硅的高度低于第一沟槽及第二沟槽；步骤S4：腐蚀第一沟槽内的第一多晶硅，使得第一沟槽内的第一多晶硅的高度低于第二沟槽内第一多晶硅的高度；步骤S5，在第一沟槽及第二沟槽内淀积第二氧化层，并研磨处理第二氧化层，使得第二氧化层的高度与第二氮化硅平齐，腐蚀第一沟槽内的部分第二氧化层；步骤S6：腐蚀第二氮化硅，使得第一沟槽内的第二氮化硅的高度与第二氧化层平齐，腐蚀第一氧化层，使得第一沟槽内的第一氧化层与第二氮化硅平齐；步骤S7：在第一沟槽及第二沟槽的侧壁生长第三氧化层，第三氧化层与第一氧化层的一端连接，淀积第二多晶硅，腐蚀第一沟槽内的部分第二多晶硅，腐蚀去除第二沟槽内的全部第二多晶硅；步骤S8：依次形成体区和源区，淀积介质层，在第一沟槽和第二沟槽的位置打孔获得第一接触孔及第二接触孔，在相邻的第一沟槽之间打孔获得第三接触孔。2.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法，其特征在于：所述第一沟槽和所述第二沟槽的深度为1.5
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15微米。3.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法，其特征在于：所述第一氧化层的厚度为30
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500纳米，所述第二氮化硅的厚度为30
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500纳米。4.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘光燃，胡瞳腾，
申请(专利权)人：深圳市芯电元科技有限公司，
类型：发明
国别省市：