用于半导体器件的具有高高宽比的穿过电介质的导电路径制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于半导体器件的具有高高宽比的穿过电介质的导电路径
本说明书涉及在半导体器件上形成穿过电介质的导电路径，并且更具体地涉及使用导电柱形成的这种路径。
技术介绍
半导体和微机械管芯或芯片常常被封装，以针对外部环境进行保护。封装向位于封装内部的管芯提供物理保护、稳定性、外部连接，并且在一些情况下，提供冷却。典型地，管芯被附接到基底，并且然后在管芯之上放置附接到基底的盖体。替代地，管芯被附接到盖体，并且然后在管芯上形成封装基底或再分布层。在一些情况下，管芯盖体横向延伸通过管芯区域，并且再分布层被施加到管芯区域和横向扩展区以形成扇出封装。晶片级球栅阵列(WLB)封装和其它封装常常使用位于芯片表面与再分布层之间的电介质层。电介质层机械地保护管芯表面并且充当应力缓冲物。这有助于确保来自印刷电路板的应力不会损伤封装或通往板的封装连接。电介质层还限定了管芯的功能金属结构与连接到板的再分布层之间的间隙或距离。该间隙通过限制RDL与管芯表面之间的电容性耦合而提高了电气性能。此外，RDL与芯片表面之间的限定的间隙允许在两者之间构建具有明确限定的线阻抗的传输线。其它类型的封装使用芯片表面与...
【技术保护点】
一种方法，包括：在半导体基底上形成多个导电连接焊盘，以连接到形成在所述基底上的电路；在所述连接焊盘的子集中的每个连接焊盘上形成柱，所述柱由导电材料形成；在所述半导体基底之上，包括在所述连接焊盘和所述柱之上形成电介质层；通过去除直接位于所述柱之上的所述电介质层来形成孔；利用导电材料填充所形成的孔；以及在每个填充的孔之上形成连接器。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.20 US 14/717,1691.一种方法，包括：在半导体基底上形成多个导电连接焊盘，以连接到形成在所述基底上的电路；在所述连接焊盘的子集中的每个连接焊盘上形成柱，所述柱由导电材料形成；在所述半导体基底之上，包括在所述连接焊盘和所述柱之上形成电介质层；通过去除直接位于所述柱之上的所述电介质层来形成孔；利用导电材料填充所形成的孔；以及在每个填充的孔之上形成连接器。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述柱从所述基底延伸到所述电介质层的大约一半的高度。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述柱和所形成的孔具有横截面表面积，并且所述柱具有比所述孔更大的横截面表面积。4.根据权利要求1-3中的任一项或多项所述的方法，其中，所述柱的导电材料和填充所述孔的导电材料是相同的导电材料。5.根据权利要求1-4中的任一项或多项所述的方法，其中，所述导电材料是铜。6.根据权利要求1-5中的任一项或多项所述的方法，其中，形成多个导电连接焊盘包括形成具有第一直径的所述连接焊盘的第一子集和具有更大的第二直径的所述连接焊盘的第二子集，并且其中，形成柱包括仅在连接焊盘的所述第一子集的焊盘上形成柱。7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成孔包括使用图案化的光致抗蚀剂形成孔以及蚀刻在所述导电连接焊盘之上的所述电介质层。8.根据权利要求6所述的方法，其中，形成孔包括：使用光可构造的电介质，暴露所述电介质的位于所述导电连接焊盘之上的一部分，以及去除未暴露的电介质。9.根据权利要求8所述的方法，其中，填充所形成的孔包括将铜电镀至所述孔中。10.根据权利要求1-9中的任一项或多项所述的方法，其中，形成多个导电连接焊盘包括形成具有第一直径的所述连接焊盘的第一子集和具有更大的第二直径的所述连接焊盘的第二子集，并且其中，形成柱包括在连接焊盘的所述第一子集和所述第二子集的焊盘上形成柱，并且其中，形成孔包括通过激光烧蚀形成孔。11.根据权利要求1-10中的任一项或多项所述的方法，还包括：在形成所述柱之后将所述半导体基底切块以形成多个管芯，以及在模制化合物中嵌入所述多个管芯中的至少一部分，并且暴露所述柱，并且其中，形成电介质层是在嵌入之后执行的。12.根据权利要求10所述的方法，其中，嵌入还包括：在条带上放置所述管芯中的至少一部分，使得所述柱嵌入所述条带中，所述条带被附接到暂时载体；在所述管芯和所述暂时载体之上施加所述模制化合物；以及去除所述条带和所述暂时载体以暴露所述柱。13.根据权利要求1所述的方法，还包括在填充所述孔的同时在所述电介质层之上形成再分布层，并且其中，形成连接器包括形成焊料球阵列。14.根据权利要求1-13中的任一项或多项所述的方法，其中，形成孔包括：在所述电介质之上溅镀晶种层，在所述晶种层之上沉积...
【专利技术属性】
技术研发人员：T·迈尔，A·沃尔特，
申请(专利权)人：英特尔IP公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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