温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

描述了用于半导体器件的具有高高宽比的穿过电介质的导电路径。在一个示例中，在半导体基底上形成多个导电连接焊盘，以连接到形成在所述基底上的电路。在连接焊盘的子集中的每个连接焊盘上形成柱，该柱由导电材料形成。在半导体基底之上，包括在连接焊盘和柱之...
该专利属于英特尔IP公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔IP公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。