一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，本发明专利技术在第三道光罩工艺中，对光阻表面进行疏水性处理，形成疏水性基团；而疏水性基团的存在，使得溶液型透明金属和OLED材料不会覆盖在光阻表面，便于光阻的剥离，使得剥离效率以及制程效率提高；而光阻的存在使得OLED材料能形成固定的图案，节省了一道光罩，降低了制作成本。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法
本专利技术涉及平板显示器制造
，特别涉及一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法。
技术介绍
LCD(Liquidcrystaldisplays，液晶显示器)是一种被广泛应用的平板显示器，主要是通过液晶开关调制背光源光场强度来实现画面显示。而OLED(OrganicLightEmittingDiode，有机发光二极管)器件由于自发光、全固态、宽视角、响应快等优点，在平板显示产品中有巨大应用前景，甚至被认为是继LCD、PDP(plasmadisplaypanel，等离子)之后的新一代的平板显示产品。LCD和OLED显示装置中均包括TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)器件。在工艺上，薄膜晶体管制程一般采用五道光罩(5mask)，过多的光罩次数会增加制程成本，同时也会增大生产时间，使生产效率大大降低。为了达到缩减光罩数量的目的，很多公司纷纷发展四道光罩(4mask)技术，将AS(有源层)和S/D(源漏极)用一道HTM(半色调光罩)或GTM(灰阶光罩)同时形成。HTM或GTM光罩可以使光阻得到两种不同的膜厚，这两种膜厚分别可以用来定义AS和SD的图案。为了进一步缩减光罩数量，采用Lift-off(剥离工艺)制程可以将ITO(透明金属层)和PV(钝化层)用一张光罩同时形成，从而使总光罩数量减小至三张(3mask)。但传统的3mask制程多数只针对TN(TwistedNematic，扭曲向列型)模式，ITO并不形成狭缝图形；或者ITO形成狭缝图形，但因ITO只能沉积于挖洞处，使所有ITO层(包括像素区)都处在氮矽化合物的凹槽中，ITO横向电场减弱，影响液晶显示效果，形成使显示器亮度不均匀。随着技术的发展，改进后的3mask技术PV/ITO层使用一张HTM或GTM光罩形成，使像素区的ITO既能形成狭缝，又能覆盖在PV层上方，形成与4mask完全一样的结构。而此3mask技术难点在于光阻被ITO覆盖后难以被剥离，使剥离效果差，效率低。另外，光阻剥离残留和毛边问题都会严重影响制程或产品性能。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，以解决薄膜晶体管阵列基板的制造过程中光阻因被透明金属层覆盖而难以被剥离的问题。为实现上述目的，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供了一种薄膜晶体管阵列基板制造方法，所述制造方法包括：步骤S110，使用第一光罩，在基板表面形成薄膜晶体管的栅极与栅线；步骤S120，使用第二光罩，在所述基板表面形成所述薄膜晶体管的栅极绝缘层、有源层、源电极、漏电极以及钝化层；步骤S130，在所述钝化层上涂布第一光阻层，采用灰色调掩模板或半透式掩模板对所述第一光阻层进行曝光，使所述光阻图案化，形成相互分离的第一光阻区域和第二光阻区域；步骤S140，通过蚀刻工艺移除所述钝化层中未被所述第一光阻区域和所述第二光阻区域覆盖的部分，形成钝化层过孔，以露出漏极；步骤S150，对所述第一光阻区域和所述第二光阻区域进行灰化处理，保留部分第一光阻区域和部分第二光阻区域；步骤S160，对所述部分第一光阻区域和部分第二光阻区域的表面进行疏水处理；步骤S170，在未被所述部分第一光阻区域和部分第二光阻区域覆盖的钝化层上涂布溶液型透明金属，对所述溶液型透明金属进行固化处理，形成连接所述漏极的像素电极；步骤S180，对所述部分第一光阻区域和部分第二光阻区域进行剥离处理。根据本专利技术一优选实施例，所述第二光阻区域包括相互连接的第一光阻子区域和第二光阻子区域，所述第一光阻子区域的厚度小于所述第二光阻子区域的厚度；所述对所述第一光阻区域和所述第二光阻区域进行灰化处理的步骤包括：去除第二光阻区域的第一光阻子区域并减少所述第二光阻子区域的厚度，形成部分第二光阻区域；减少所述第一光阻区域的厚度，形成部分第一光阻区域。根据本专利技术一优选实施例，所述步骤S110包括：步骤S111，提供一基板，在所述基板表面沉积第一金属层；步骤S112，在所述第一金属层上涂布第二光阻层；步骤S113，所述第二光阻层经曝光、显影后，对所述第一金属层进行蚀刻，，形成所述薄膜晶体管的所述栅极和所述栅线；步骤S114，剥离第二光阻层。根据本专利技术一优选实施例，所述步骤S120包括：步骤S121，在所述基板表面依次沉积栅极绝缘层、有源层以及第二金属层；步骤S122，在所述第二金属层上涂布第三光阻层；步骤S123，所述第三光阻层经曝光、显影后，对所述第二金属层进行蚀刻，形成源电极和漏电极；步骤S124，剥离第三光阻层；步骤S125，在所述栅极绝缘层上沉积钝化层。根据本专利技术一优选实施例，所述步骤S150包括：使用第一等离子体对所述第一光阻区域和所述第二光阻区域进行灰化处理，所述第一等离子体为氧气。根据本专利技术一优选实施例，所述步骤S160包括：使用第二等离子体对所述部分第一光阻区域和部分第二光阻区域表面作疏水处理，使光阻表面形成疏水性基团，所述疏水性基团为对水无亲和力的烃基。根据本专利技术一优选实施例，所述第二等离子体为四氟化氮、六氟化硫、氧气中的一种或者一种以上的混合体。根据本专利技术一优选实施例，对所述部分第一光阻区域和部分第二光阻区域进行剥离处理之前，还包括步骤：在所述基板表面的透明金属层上涂布溶液型OLED材料。根据本专利技术一优选实施例，所述刻蚀工艺为干刻。根据本专利技术一优选实施例，所述第一道光罩工艺和所述第二道光罩工艺为半色调光罩或灰阶光罩。本专利技术的有益效果为：相比于现有技术，本专利技术在第三道光罩工艺中，对光阻表面进行疏水处理，使得透明金属和OLED材料不会覆盖在光阻表面，便于光阻的剥离，使得剥离效率以及制程效率提高；而光阻的存在使得OLED材料能形成固定的图案，节省了一道光罩，降低了制作成本。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例一薄膜晶体管阵列基板的制造方法流程图；图2A至2G为本专利技术实施例一薄膜晶体管阵列基板制造方法工艺流程图；图3为本专利技术实施例二薄膜晶体管阵列基板的制造方法流程图；图4A至4H为本专利技术实施例二薄膜晶体管阵列基板制造方法工艺流程图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。本专利技术针对现有3Mask技术中，因光阻被ITO覆盖后难以被剥离而导致剥离效果差、效率低等问题，而提出了一种薄膜晶体管的制造方法，本实施例能够改善该缺陷。图1为本专利技术实施例一薄膜晶体管阵列基板的制造方法流程图，所述方法包括步骤：步骤S110，使用第一光罩，在基板表面形成薄膜晶体管的栅极与栅线。具体包括：如图2A所示，在玻璃基板101上利用磁控溅射工艺沉积第一金属层薄膜，金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S110，使用第一光罩，在基板表面形成薄膜晶体管的栅极与栅线；步骤S120，使用第二光罩，在所述基板表面形成所述薄膜晶体管的栅极绝缘层、有源层、源电极、漏电极以及钝化层；步骤S130，在所述钝化层上涂布第一光阻层，采用灰色调掩模板或半透式掩模板对所述第一光阻层进行曝光，使所述光阻图案化，形成相互分离的第一光阻区域和第二光阻区域；步骤S140，通过蚀刻工艺移除所述钝化层中未被所述第一光阻区域和所述第二光阻区域覆盖的部分，形成钝化层过孔，以露出漏极；步骤S150，对所述第一光阻区域和所述第二光阻区域进行灰化处理，保留部分第一光阻区域和部分第二光阻区域；步骤S160，对所述部分第一光阻区域和部分第二光阻区域的表面进行疏水处理；步骤S170，在未被所述部分第一光阻区域和部分第二光阻区域覆盖的钝化层上涂布溶液型透明金属，对所述溶液型透明金属进行固化处理，形成连接所述漏极的像素电极；步骤S180，对所述部分第一光阻区域和部分第二光阻区域进行剥离处理。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S110，使用第一光罩，在基板表面形成薄膜晶体管的栅极与栅线；步骤S120，使用第二光罩，在所述基板表面形成所述薄膜晶体管的栅极绝缘层、有源层、源电极、漏电极以及钝化层；步骤S130，在所述钝化层上涂布第一光阻层，采用灰色调掩模板或半透式掩模板对所述第一光阻层进行曝光，使所述光阻图案化，形成相互分离的第一光阻区域和第二光阻区域；步骤S140，通过蚀刻工艺移除所述钝化层中未被所述第一光阻区域和所述第二光阻区域覆盖的部分，形成钝化层过孔，以露出漏极；步骤S150，对所述第一光阻区域和所述第二光阻区域进行灰化处理，保留部分第一光阻区域和部分第二光阻区域；步骤S160，对所述部分第一光阻区域和部分第二光阻区域的表面进行疏水处理；步骤S170，在未被所述部分第一光阻区域和部分第二光阻区域覆盖的钝化层上涂布溶液型透明金属，对所述溶液型透明金属进行固化处理，形成连接所述漏极的像素电极；步骤S180，对所述部分第一光阻区域和部分第二光阻区域进行剥离处理。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二光阻区域包括相互连接的第一光阻子区域和第二光阻子区域，所述第一光阻子区域的厚度小于所述第二光阻子区域的厚度；所述对所述第一光阻区域和所述第二光阻区域进行灰化处理的步骤包括：去除第二光阻区域的第一光阻子区域并减少所述第二光阻子区域的厚度，形成部分第二光阻区域；减少所述第一光阻区域的厚度，形成部分第一光阻区域。3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S110包括：步骤S111，提供一基板，在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐洪远，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44