一种碳化硅基复相陶瓷材料在高温电阻元件中的应用制造技术

本发明专利技术涉及一种碳化硅基复相陶瓷材料在高温电阻元件中的应用，所述碳化硅基复相陶瓷材料包括碳化硅基体材料和ZrB2第二相材料，所述ZrB2第二相材料的含量为26～30wt%，所述碳化硅基复相陶瓷材料制备为所述高温电阻元件时，应用于600℃～800℃的高温环境下，其电阻率为1.20～1.25Ω·cm，且电阻率的变化率小于5%。

Application of a silicon carbide based composite ceramic material in high temperature resistance components

The invention relates to a silicon carbide based composite ceramic material used in high temperature resistance element, the silicon carbide ceramic materials including silicon carbide substrate and ZrB2 second phase materials, the content of ZrB2 second phase material is 26 ~ 30wt%, the silicon carbide matrix ceramic composites were prepared for the high temperature resistance element, high temperature environment applied to 600 to 800 DEG C, the resistivity is 1.20 ~ 1.25 cm, and the change of the resistivity rate is less than 5%.

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅基复相陶瓷材料在高温电阻元件中的应用
本专利技术涉及一种电阻率不受高温影响的碳化硅(SiC)基复相导电陶瓷在高温电阻元件中的应用，属于SiC陶瓷领域。
技术介绍
碳化硅(SiC)陶瓷具有高强度、高硬度、高导热、耐高温、耐腐蚀、耐磨损、性能稳定、不易老化等优良的性能，现已被广泛应用于各工业领域，但SiC陶瓷作为一种半导体材料，其伏安特性曲线是非线性的，且其电阻率会随使用温度升高而降低，在电子通信领域通常只被用作压敏陶瓷。比如电子工业有些精密部件要求在高温使用过程中具有稳定的电流通过并且具有抗氧化抗烧蚀的特性，但一般材料比如金属在使用过程难以避免的会遭遇外界环境温度的变化或因自身使用过程中发热而引起温度的变化，使得材料的电阻率也因此发生改变，或者可能会遭遇在高温下被氧化、高温下的强度大大降低等不利情况，这为这些精密电子元件的选材和设计增加了很大难度。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术的目的在于提供一种碳化硅(SiC)基复相导电陶瓷在高温电阻元件中的应用。具体地，本专利技术提供了一种碳化硅(SiC)基复相导电陶瓷在高温电阻元件中的应用，所述碳化硅基复相陶瓷材料包括碳化硅基体材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳化硅基复相陶瓷材料在高温电阻元件中的应用，其特征在于，所述碳化硅基复相陶瓷材料包括碳化硅基体材料和ZrB2第二相材料，所述ZrB2第二相材料的含量为26～30wt%，所述碳化硅基复相陶瓷材料制备为所述高温电阻元件时，应用于600℃～800℃的高温环境下，其电阻率为1.20～1.25Ω·cm，且电阻率的变化率小于5%。

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅基复相陶瓷材料在高温电阻元件中的应用，其特征在于，所述碳化硅基复相陶瓷材料包括碳化硅基体材料和ZrB2第二相材料，所述ZrB2第二相材料的含量为26～30wt%，所述碳化硅基复相陶瓷材料制备为所述高温电阻元件时，应用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈健，陈军军，黄政仁，刘学建，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31