一种非晶先驱体陶瓷孔隙率大范围连续调节的实现方法技术

一种非晶先驱体陶瓷孔隙率大范围连续调节的实现方法，属于陶瓷材料制备工艺技术领域。所述方法如下：1、部分交联先驱体的制备；2、完全交联先驱体的制备；3、制粉；4、混合粉体；5、先驱体块状胚体的制备；6、SiCN块状陶瓷的制备。本发明专利技术的优点是：本发明专利技术原理简单，易于实现，价格低廉；本发明专利技术提供了一种能在较宽范围内连续调节非晶先驱体陶瓷孔隙率的方法，可以从完全致密开始连续调节SiCN陶瓷的孔隙率，最大孔隙可以达到21.32%，从而满足多种尺寸SiCN陶瓷的气体排放和强度要求；固化后的先驱体均采用粉末形式，更方便均匀混合；通过该方法不仅可以制备完全致密的先驱体转化陶瓷，还能够在较大范围内实现孔隙的连续性调节。

A method of continuous adjustment of a large range of ceramic porosity in a amorphous precursor

A method for realizing a continuous adjustment of a large range of ceramic porosity of an amorphous precursor belongs to the technical field of the preparation of ceramic materials. The following methods are as follows: 1. Preparation of partially cross-linked precursors; 2, preparation of fully cross-linked precursors; 3, milling, 4, mixing powder, 5, preparation of precursor bulk embryos, and 6, SiCN bulk ceramics. The advantages of this invention is simple in principle, easy to implement, the price is low; the invention provides a method to continuously adjust the porosity of the amorphous precursor ceramics in a wide range, from the start of continuous adjustment of fully dense SiCN ceramic porosity, maximum pore can reach 21.32%, so as to meet the requirements of gas emission and the strength of various sizes of SiCN ceramics; precursor after curing are used in powder form, more convenient for uniform mixing; by this method not only can precursor conversion of fully dense ceramic preparation, but also can regulate the continuous implementation of the pore in a large range.

【技术实现步骤摘要】
一种非晶先驱体陶瓷孔隙率大范围连续调节的实现方法
本专利技术属于陶瓷材料制备工艺
，具体涉及一种非晶先驱体陶瓷孔隙率大范围连续调节的实现方法。
技术介绍
先驱体转化陶瓷（PDCs）具有共价键以及无定型等独特的纳米结构，这使得先驱体转化陶瓷表现出一系列优异的高温特性，包括高比强度和抗蠕变性、优异的抗氧化性能以及高结晶/分解稳定性。因此先驱体转化陶瓷在极端环境下的结构应用上具有广泛的前景。使用先驱体转化的方法制备块状陶瓷是非常困难的。因为在先驱体转化成陶瓷的过程中，会有大量的气体释放出来。这将会导致陶瓷中裂纹的产生，从而破坏块状陶瓷的完整性。在先驱体中引入孔洞来制备块状先驱体转化陶瓷是一种新颖且经济的途径。合适的孔洞将成为裂解时产生气体的释放路径，从而避免了裂纹的产生，保证结构件的完整性，获得无缺陷块体陶瓷材料。在该制备方法中，孔隙的可控性是及其重要的。合理的孔隙率不仅有助于裂解过程中气体的释放，还能够满足较高的结构强度。尤其是针对先驱体转化陶瓷的微型器件，获得完全致密的微观结构是更为合适的。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了使孔隙的可控性问题得以解决，提供了一种非晶先驱体陶瓷孔隙本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非晶先驱体陶瓷孔隙率大范围连续调节的实现方法，其特征在于：所述方法具体步骤如下：步骤一：部分交联先驱体的制备：将聚硅氮烷先驱体PSN放入管式炉中，在氩气保护下以1.5~5℃/min的速度升温到150~200℃，并保温30~60min，得到部分交联的PC‑PSN；步骤二：完全交联先驱体的制备：将聚硅氮烷先驱体PSN放入管式炉中，在氩气保护下以1.5~5℃/min的速度升温到350℃，并保温3小时，得到完全交联的CC‑PSN；步骤三：制粉：将步骤一交联固化后的PC‑PSN和步骤二交联固化后的CC‑PSN分别进行球磨处理，然后过200目标准筛3~5次；步骤四：混合粉体：将步骤三过筛后的PC‑PS...

【技术特征摘要】
1.一种非晶先驱体陶瓷孔隙率大范围连续调节的实现方法，其特征在于：所述方法具体步骤如下：步骤一：部分交联先驱体的制备：将聚硅氮烷先驱体PSN放入管式炉中，在氩气保护下以1.5~5℃/min的速度升温到150~200℃，并保温30~60min，得到部分交联的PC-PSN；步骤二：完全交联先驱体的制备：将聚硅氮烷先驱体PSN放入管式炉中，在氩气保护下以1.5~5℃/min的速度升温到350℃，并保温3小时，得到完全交联的CC-PSN；步骤三：制粉：将步骤一交联固化后的PC-PSN和步骤二交联固化后的CC-PSN分别进行球...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟松鹤，牛家宏，张高铭，李金平，易法军，许承海，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江,23