具有在偏置线路下面的多限定RF基板和导电材料空隙的RF电路制造技术

一种RF电路，该RF电路包括：第一介电材料、第一介电材料的第一表面上的信号线路和偏置线路、第一介电材料的第二表面上的导电层，以及导电层上的第二介电材料。第一介电材料和第二介电材料具有不同的介电常数。导电层包括接地平面，在该接地平面上形成信号线路。在第二导电层中存在导电材料空隙，偏置线路的区段与该导电材料空隙对齐。RF电路另外包括用于RF装置的安装区域。信号线路的第一端和偏置线路的区段位于接近于该安装区域处，以使得信号线路和偏置线路能够与RF装置的一个或多个导线电耦合。

【技术实现步骤摘要】

本文中描述的标的物的实施例大体上涉及射频(radio frequency，RF)电路，且更确切地说，涉及包括在电路基板上的信号线路和偏置线路的RF放大器。
技术介绍
RF放大器通常包括被配置成提供直流偏置电压到放大器晶体管的偏置电路系统。为了确保穿过偏置电路系统不会损失大量RF功率，重要的是将RF电路系统从直流偏置电路系统去耦合或隔离。可以例如通过在直流偏置传输线路中包括四分之一波(λ/4)传输线路来实现隔离，其中在四分之一波线路末端处的无功分量在RF电路系统的基频下谐振。理想地，使用这种配置，偏置线路模仿基频附近的频率下的无限阻抗，因此在那些频率下隔离偏置电路系统。然而，偏置线路的特性阻抗会限制可以实现有效隔离的频率的带宽。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供一种射频(RF)电路，包括：第一介电材料，所述第一介电材料具有第一表面和第二表面以及第一介电常数；在所述第一介电材料的所述第一表面上的第一导电层，其中所述第一导电层包括多个导电特征，所述多个导电特征包括信号线路和偏置线路，其中所述信号线路具有第一端和第二端，并且所述偏置线路具有第一区段，所述第一区段具有第一端和第二端；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频(RF)电路，其特征在于，包括：第一介电材料，所述第一介电材料具有第一表面和第二表面以及第一介电常数；在所述第一介电材料的所述第一表面上的第一导电层，其中所述第一导电层包括多个导电特征，所述多个导电特征包括信号线路和偏置线路，其中所述信号线路具有第一端和第二端，并且所述偏置线路具有第一区段，所述第一区段具有第一端和第二端；在所述第一介电材料的所述第二表面上的第二导电层，其中所述第二导电层包括接地平面，所述信号线路直接形成在所述接地平面上，并且其中在所述第二导电层中存在导电材料空隙，所述第一偏置线路的所述第一区段与所述导电材料空隙对齐；在所述第二导电层上的第二介电材料，其中所述第二介电材...

【技术特征摘要】
2015.06.22 US 14/746,1731.一种射频(RF)电路，其特征在于，包括：第一介电材料，所述第一介电材料具有第一表面和第二表面以及第一介电常数；在所述第一介电材料的所述第一表面上的第一导电层，其中所述第一导电层包括多个导电特征，所述多个导电特征包括信号线路和偏置线路，其中所述信号线路具有第一端和第二端，并且所述偏置线路具有第一区段，所述第一区段具有第一端和第二端；在所述第一介电材料的所述第二表面上的第二导电层，其中所述第二导电层包括接地平面，所述信号线路直接形成在所述接地平面上，并且其中在所述第二导电层中存在导电材料空隙，所述第一偏置线路的所述第一区段与所述导电材料空隙对齐；在所述第二导电层上的第二介电材料，其中所述第二介电材料具有不同于所述第一介电常数的第二介电常数；以及用于RF装置的安装区域，其中所述信号线路的所述第一端和所述偏置线路的所述第一区段的第一端位于接近于所述安装区域处，以使得所述信号线路和所述偏置线路能够与所述RF装置的一个或多个导线电耦合。2.根据权利要求1所述的RF电路，其特征在于，所述第二介电常数比所述第一介电常数小至少50％。3.根据权利要求1所述的RF电路，其特征在于：所述第一介电常数在4.0到12.0的范围内；以及所述第二介电常数在1.0到4.0的范围内。4.根据权利要求1所述的RF电路，其特征在于：所述偏置线路的所述第一区段是四分之一波传输线路。5.根据权利要求4所述的RF电路，其特征在于，所述偏置线路另外包括：谐振电路，所述谐振电路耦合到所述偏置线路的所述第一区段的所述第二端。6.根据权利要求5所述的RF电路，其特征在于，所述谐振电路包括由所述第一导电层的一部分形成的径向短柱。7.根据权利要求5所述的RF电路，其特征在于，所述谐振电路包括离散电容器，所述离散电容器包括电耦合到所述偏置线路的所述第一区段的第二端的端子。8.根据权利要求1所述的RF电路，其特征在于，所述偏置线路的所述第一区段的所述第一端耦合到所述信号线路的所述第一端，并且所述信号线路的所述第一端被配置成耦合到所述RF装置的导线。9.根据权利要求8所述的RF电路，其特征在于，另外包括：所述RF装置，所述RF装置耦合到所述安装区域，其中所述RF装置包括具有所述导线的封装功率RF晶体管。10.根据权利要求1所述的RF电路，其特征在于：所述偏置线路的所述第一区段的所述第一端被配置成用于待耦合到所述第一端的所述RF装置的第一导线；并且所述信号线路的所述第一端被配置成用于待耦合到所述第一端的所述RF装置的第二导线。11.根据权利要求10所述的RF电路，其特征在于，另外包括：所述RF装置，所述RF装置耦合到所述安装区域，其中所述RF装置包括具有所述第一导线和所述第二导线的封装功率RF晶体管。12.根据权利要求1所述的RF电路，其特征在于，所述偏置线路的所述第一区段具有第一宽度，并且其中所述导电材料空隙具...

【专利技术属性】
技术研发人员：特拉维斯·A·巴比利，巴希姆·H·努瑞，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：美国;US