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本发明涉及一种碳化硅基复相陶瓷材料在高温电阻元件中的应用，所述碳化硅基复相陶瓷材料包括碳化硅基体材料和ZrB2第二相材料，所述ZrB2第二相材料的含量为26～30wt%，所述碳化硅基复相陶瓷材料制备为所述高温电阻元件时，应用于600℃～80...
该专利属于中国科学院上海硅酸盐研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。

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