抛光组合物制造技术

本发明专利技术的抛光组合物，用于形成半导体器件的配线的抛光，它含有特定的表面活性剂、氧化硅、选自羧酸及α－氨基酸中的至少一种、防腐蚀剂、氧化剂、水。使用该抛光组合物可抑制凹陷的发生。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于形成例如半导体器件的配线的抛光中所使用的抛光组合物。
技术介绍
高集成及高速的ULSI要求按细微的设计标准而制造。为了抑制由于半导体器件配线的细微化而导致的配线电阻的增大，近年来，人们开始使用含铜金属作为配线材料。含铜金属具有的性质使得难以对通过各向异性刻蚀进行加工。因此，含铜金属的配线是由化学机械抛光(CMP)法按照下所述方法形成。首先，在具有沟槽的绝缘膜上设置由含钽化合物制的阻挡膜。接着，将含铜金属制的导体膜设于阻挡膜上，至少埋没上述沟槽。其后，在第1抛光工序中，用化学机械抛光法去除位于沟槽之外的导体膜部分中的一部分。接着，在第2抛光工序中，用化学机械抛光法去除位于沟槽之外的导体膜部分中的另一部分，以使阻挡膜的上(表)面露出。最后，在第3抛光工序中，由化学机械抛光法去除位于沟槽之外的导体膜部分中的残余部分及位于沟槽之外的阻挡膜部分，以使绝缘膜的上(表)面露出。这样，位于沟槽中的导体膜的部分残留于绝缘膜上，该部分起配线作用。日本特许公开公报2000年第160141号揭示了含有抛光材料、α-氨基丙酸、过氧化氢和水的第1种现有技术的抛光组合物。日本特许开公开公本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抛光组合物，它用于形成半导体器件的配线的抛光，该抛光组合物含有表面活性剂、氧化硅、从羧酸及α－氨基酸中选择的至少一种、防腐蚀剂、氧化剂、水，所述表面活性剂含有选自以下述通式（１）～（７）表示的化合物及其盐中的至少一种，Ｒ ↑［１］－＊－＊－Ｒ↑［３］－Ｘ↑［１］…（１）在通式（１）中，Ｒ↑［１］表示含有８～１６个碳原子的烷基，Ｒ↑［２］表示氢原子、甲基或乙基，Ｒ↑［３］表示含有１～８个碳原子的亚烷基、－（ＣＨ↓［２］ＣＨ↓［２］Ｏ）↓［ｌ］－、－ （ＣＨ↓［２］ＣＨ（ＣＨ↓［３］）Ｏ）↓［ｍ］－、或其中至少两种的组合，Ｒ↑［３］表示－（Ｃ...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：松田刚，平野达彦，吴俊辉，河村笃纪，酒井谦儿，
申请(专利权)人：福吉米株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]