LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种LED芯片，包括：衬底；成形在衬底上、且由N型半导体层、发光层和P型半导体层组成的外延层；分别与N型半导体层和P型半导体层电连接的N型电极和P型电极；所述LED芯片还包括在LED芯片背面位于所述衬底表面的光致发光膜层和/或滤光膜层，所述LED芯片与PCB基板电气连接能够实现光子从所述衬底端经由所述光致发光膜层和/或滤光膜层出射发光。本发明专利技术还提供了一种LED芯片的制作方法。本发明专利技术通过在LED芯片背面的衬底表面设置光致发光膜层，LED芯片发出的光通过衬底经由光致发光膜出射发光，在LED所发出的波长在蓝绿色区的光的激发下发射出波长更加集中的单色绿色、蓝色的光，从而单色出光效率更高。

【技术实现步骤摘要】
LED芯片及其制作方法
本专利技术涉及半导体芯片领域，尤其是一种LED芯片及其制作方法。
技术介绍
发光二极管（Light-EmittingDiode，LED）是一种能发光的半导体电子元件。这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出其它单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线以及紫外线，光度也提高到相当的光度。由于其具有节能、环保、安全、寿命长、低功耗、低热、高亮度、防水、微型、防震、易调光、光束集中、维护简便等特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明等领域。关于蓝绿光色区的LED芯片，因目前传统蓝宝石衬底的蓝绿光LED芯片，通过在蓝宝石衬底上依次生长n-GaN、InGaN/AlGaN量子阱、p-GaN，为异质结外延结构，存在严重的自发极化和压电极化，因此很难生长出波长单色性很好的高质量蓝绿光外延，通常芯片的波长半波宽大于15nm+，发光光谱宽，发光效率低，尤其在封装白光时，对应荧光粉的激发效率低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种LED芯片，该LED芯片可以实现蓝绿光色区的芯片更高效率的单色出光。本专利技术的目的还在于提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片，包括：衬底；成形在衬底上、且由N型半导体层、发光层和P型半导体层组成的外延层；分别与N型半导体层和P型半导体层电连接的N型电极和P型电极；其特征在于：所述LED芯片还包括在LED芯片背面位于所述衬底表面的光致发光膜层和/或滤光膜层，所述LED芯片与PCB基板电气连接能够实现光子从所述衬底端经由所述光致发光膜层和/或滤光膜层出射发光。

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，包括：衬底；成形在衬底上、且由N型半导体层、发光层和P型半导体层组成的外延层；分别与N型半导体层和P型半导体层电连接的N型电极和P型电极；其特征在于：所述LED芯片还包括在LED芯片背面位于所述衬底表面的光致发光膜层和/或滤光膜层，所述LED芯片与PCB基板电气连接能够实现光子从所述衬底端经由所述光致发光膜层和/或滤光膜层出射发光。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括位于所述P型半导体层表面的带有反光作用的电流传导膜层，所述P型电极位于所述电流传导膜层上并通过电流传导膜层与所述P型半导体层电连接。3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述电流传导膜层构造为反光TCL电流传输层。4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述外延层上设有露出所述N型半导体层的N型半导体台面，所述N型电极位于所述N型半导体台面上。5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片背面位于所述衬底表面的为光致发光膜层，所述光致发光膜层的制成材料至少包括无机、有机或有机无机复合物。6.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：S1、提供一衬底；S2、在所述衬底上外延生长形成N型半导体层、发光层和P型半导体层组成的外延层；S3、刻蚀外延层形成N型半导体台面；S4、在外延层的P型半导体层上生长具有反光作用的电流传导膜层；S5、在电流传导膜层上形成与P型半导体层电连接的P型电极，在N型台面上形成与N型半导体层电连接的N型电...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘佳擎，李庆，陈立人，
申请(专利权)人：聚灿光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32