阻焊剂图案的形成方法技术

[课题]本发明专利技术的课题在于，提供一种阻焊剂图案的形成方法，该形成方法按顺序至少包括：在至少具有连接焊盘的电路基板上形成阻焊剂层的步骤，和将未固化的阻焊剂层薄膜化直至阻焊剂层的厚度为连接焊盘的厚度以下的薄膜化步骤，在形成方法中，阻焊剂层的薄膜化所需的时间可以缩短，生产性得以提高。[解决手段]阻焊剂图案的形成方法，其特征在于，在将未固化的阻焊剂层薄膜化的薄膜化步骤中使用的碱性水溶液含有(A)碱性化合物和(B)铵离子，(B)铵离子相对于(A)碱性化合物的摩尔比(B/A)超过0.00且低于1.85。

【技术实现步骤摘要】
阻焊剂图案的形成方法
本专利技术涉及阻焊剂图案的形成方法。
技术介绍
各种电气仪器内部的布线基板上，为了不使焊料附着于电路基板中的不需要焊料(はんだ)贴敷的导电布线，形成阻焊剂图案，以使该不需要焊料贴敷的导电布线被阻焊剂层被覆。另外，阻焊剂图案发挥以下作用：防止导电布线的氧化、电绝缘和保护免受外部环境影响。在电路基板上搭载有半导体芯片等的电子部件而得的半导体封装中，利用倒装焊接的电子部件的搭载在实现高速化、高密度化方面是有效的手段。倒装焊接中，导电布线的一部分作为倒装焊接用的连接焊盘发挥作用，例如，在该连接焊盘上配设的焊料凸点和电子部件的电极端子连接。作为在电路基板上形成阻焊剂图案的方法，通常已知有光蚀刻法。在光蚀刻法方式中，在绝缘层1上具有连接焊盘6和导电布线2的电路基板上形成阻焊剂层。然后，将该阻焊剂层曝光、显影、除去连接焊盘6周边的阻焊剂层，设置开口部。由此，形成图1所示的阻焊剂层限定(SolderMaskDefined(SMD))结构或图2所示的非阻焊层限定(NonSolderMaskDefined(NSMD))结构。在图1所示的SMD结构中，连接焊盘6的周边附近被阻焊剂层3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阻焊剂图案的形成方法，其是按顺序至少包括以下步骤的阻焊剂图案的形成方法：在至少具有连接焊盘的电路基板上形成阻焊剂层的步骤，和将未固化的阻焊剂层薄膜化直至阻焊剂层的厚度为连接焊盘的厚度以下的薄膜化步骤，其特征在于，在薄膜化步骤中使用的碱性水溶液包含(A)碱性化合物和(B)铵离子，(B)铵离子相对于(A)碱性化合物的摩尔比(B/A)超过0.00且低于1.85。

【技术特征摘要】
2016.06.20 JP 2016-121580;2017.01.06 JP 2017-001131.一种阻焊剂图案的形成方法，其是按顺序至少包括以下步骤的阻焊剂图案的形成方法：在至少具有连接焊盘的电路基板上形成阻焊剂层的步骤，和将未固化的阻焊剂层薄膜化直至阻焊剂层的厚度为连接焊盘的厚度以下的薄膜化步骤，其特征在于，在薄膜化步骤中使用的碱性水溶液包含(A)碱性化合物和(B)铵离子，(B)铵离子相对于(A)碱性化合物的摩尔比(B/A)超过0.00且低于1.85。2.权利要求1所述的阻焊剂图案的形成方法，其中，碱性水溶液中的(A)碱性化合物的含量为5～20质量%。3.权利要求1或2所述的阻焊剂图案的形成方法，其中，(A)碱性化合物为(A1)无机碱性化合物。4.权利要求3所述的阻焊剂图案的形成方法，其中，(A1)无机碱性化合物是选自碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属氢氧化物和碱金属硅酸盐中的至少1种的无机碱性化合物。5.权利要求4所述的阻焊剂图案的形成方法，其中，(A1)无机碱性化合物为碱金属硅酸盐，(B)铵离子相对于(A)碱性化合物的摩尔比(B/A)为0.04～0.71。6.权利要求4所述的阻焊剂图案的形成方法，其中，(A1)无机碱性化合物为碱金属碳酸盐，(B)铵离子相对于(A)碱性化合物的摩尔比(B/A)为0.04～1.67。7.权利要求4所述的阻焊剂图案的形成方法，其中，(A1)无机碱性化合物为碱金属氢氧化物，(B)铵离子相对于(A)碱性化合物的摩尔比(B/A)为0.04～1.67。8.权利要求4所述的阻焊剂图案的形成方法，其中，(A1)无机碱性化合物为碱金属硅酸盐和碱金属碳酸盐，(B)铵离子相对于(A)碱性化合物的摩尔比(B/A)为0.04～0.45。9.权利要求4所述的阻焊剂图案的形成方法，其中，(A1)无机碱性化合...

【专利技术属性】
技术研发人员：后闲宽彦，丰田裕二，
申请(专利权)人：三菱制纸株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP