一种透明导电膜制造技术

本发明专利技术公开了一种透明导电膜，包括由下往上层叠设置的基材、第一透明电介质层、第一抗氧化层、金属合金层、第二抗氧化层、第二透明电介质层，第二透明电介质层远离第二抗氧化层的表面还设置有增透保护层。本发明专利技术通过在透明导电膜结构中设置增透保护层，具有高透过率，低阻值，耐候性极强的性能。

A transparent conductive film

The invention discloses a transparent conductive film comprises a substrate, by setting up the first transparent laminated dielectric layer, the first layer of metal alloy layer, antioxidant, antioxidant, second layer second transparent dielectric layer, the surface of the second transparent dielectric layer away from the second antioxidant layer is also provided with a transparent protective layer. By setting an antitransparent protective layer in the structure of transparent conductive film, the invention has high transmittance, low resistance, and extremely weatherability.

【技术实现步骤摘要】
一种透明导电膜
本专利技术涉及薄膜
，具体而言，涉及一种透明导电膜。
技术介绍
在大尺寸触摸屏使用的高透低阻导电膜中(尺寸≥10.4英寸)，要求其表面电阻在5～10欧姆之间，光学透过率在85％以上。若使用传统的ITO作为主要导电材料，至少需要300纳米厚的ITO薄膜才能达到10欧姆的电阻，不仅成本高，而且光学和机械特性变差。现有技术CN03116461.7公开了一种透明导电薄膜，从下到上依次由衬底，第一氧化物层、金属层和第二氧化物层组成，还包括抑制层，所述的抑制层直接插在金属层与氧化物层之间，厚度为0.1～3nm；所述的透明导电薄膜的结构从下到上依次为衬底、第一氧化物层、第一抑制层、金属层、第二抑制层和第二氧化物层。该膜层结构的阻值小于10ohm。然而，上述技术方案的结构均在玻璃以及Si片上实验，其具有以下缺陷：(1)工艺制程复杂，制备周转过程较多，不利于柔性基材PET实现量产化；(2)在高折射率的基材Si片上，较容易实现高透；在低射率的透明基材(如玻璃、PET)上难实现高透；(3)三明治结构电介质/Ag/电介质，膜厚过厚在柔性基材PET上易脱落，附着性差；(4)三明治结构电介质/Ag/电介质，暴露在空中，阻值不稳定，偏差大；(5)三明治结构电介质/Ag/电介质，抗氧化能力差以及耐候性测试500h差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种透明导电膜，以解决现有技术中导电膜可见光透过率较低的问题。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种透明导电膜，包括由下往上层叠设置的基材、第一透明电介质层、第一抗氧化层、金属合金层、第二抗氧化层、第二透明电介质层，第二透明电介质层远离第二抗氧化层的表面还设置有增透保护层。进一步地，基材为能透射可见光的载体，如玻璃或柔性塑料材料。进一步地，增透保护层的折射率为1.30～1.80。进一步地，增透保护层的材料为MgF2、SiO2、冰晶石中的一种或多种。进一步地，第一透明电介质层和所述第二透明电介质层的材料为金属氧化物、氮化物、硫化物或掺杂金属的氮化物、硫化物。进一步地，掺杂金属为Al、Ga、Zr、B、Y、Mo中的至少一种。进一步地，第一透明电介质层和所述第二透明电介质层的材料为TiO2、SnO2、ZnO、SiO2、Nb2O5、Ta2O5、Si3N4、ZnS、AZO、GZO、YZO、ITO中的至少一种。进一步地，第一抗氧化层的材料为AZO、SnO2或Nb2O5。进一步地，金属合金层为银合金，所述银合金中银的重量比大于80％，其余为Zn、Cu、In、Pt、Pd和Au中的任一种或多种。进一步地，第二抗氧化层的材料为Ti、Ni、Cr或NiCr。进一步地，基材的厚度为0.01～1mm，第一透明电介质层的厚度为10～100nm，第一抗氧化层的厚度为1～20nm，金属合金层的厚度为5～20nm，第二抗氧化层的厚度为0.1～10nm，第二透明电介质层的厚度为10～100nm，增透保护层的厚度为1～150nm。与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：本专利技术通过在透明导电膜结构中设置增透保护层，具有高透过率，低阻值，耐候性极强的技术效果。其中，第一透明电介质层的作用为折射率匹配层；第一抗氧化层的作用为抗氧化性保护，阻隔水汽氧化；金属合金层用于降低阻值，增加抗氧化能力；第二抗氧化层用于抗氧化性的二次保护，阻隔水汽氧化，且可用于微调色度；第二透明电介质层的作用为折射率匹配；增透保护层用于与第二透明电介质层形成折射率匹配结构，具有增透及抗氧化性保护的作用。附图说明构成本专利技术的一部分的说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1示出了本专利技术的透明导电膜的结构示意图；其中，10为基材，20为第一透明电介质层，30为第一抗氧化层，40为金属合金层，50为第二抗氧化层，60为第二透明电介质层，70为增透保护层。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“上”、“下”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。由
技术介绍
可知，现有的透明导电膜阻值高、透过率较低。本专利技术的专利技术人针对上述问题进行了研究，提出了一种透明导电膜，如图1所示，包括由下往上层叠设置的基材10、第一透明电介质层20、第一抗氧化层30、金属合金层40、第二抗氧化层50、第二透明电介质层60，第二透明电介质层远离第二抗氧化层的表面还设置有增透保护层70。本专利技术通过对各层结构的优化设计，在第二透明电介质层上增加一层增透保护层，形成了折射率匹配结构，从而明显提高透明导电膜的透过率，且具有抗氧化性保护的作用。本专利技术提供的基材为能透射可见光的载体，如玻璃或柔性塑料材料。柔性塑料材料可以为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯树脂(PC)、聚丙烯树脂等。优选地，基材的厚度为0.01～1mm。第一透明电介质层和第二透明电介质层的材料可以为本领域中常见的金属氧化物、氮化物、硫化物或掺杂金属的氮化物、硫化物，其折射率为2.0～2.5。上述掺杂金属为Al、Ga、Zr、B、Y、Mo中的至少一种。本专利技术的第一透明电介质层和第二透明电介质层的材料可以为TiO2、SnO2、ZnO、SiO2、Nb2O5、Ta2O5、Si3N4、ZnS、AZO、GZO、YZO、ITO中的至少一种，第一透明电介质层和第二透明电介质层的材料可以相同也可以不同。优选地，第一透明电介质层和第二透明电介质层的厚度为10～100nm。本专利技术增透保护层的材料为本领域内常见的低折材料，折射率为1.30～1.80，例如MgF2、SiO2、冰晶石或其多种混合物。采用上述折射率的增透保护层，与第二透明电介质层形成折射率匹配结构，能够增透及具有抗氧化性保护的性能。增透保护层的厚度为1～150nm。第一抗氧化层用于进行抗氧化性的第一次保护，其材料可以为本领域内常见的具有抗氧化性的氧化物材料，例如AZO、SnO2或Nb2O5等。第一抗氧化层的厚度可以根据实际需求进行设定，本专利技术经过大量实验研究后发现，当第一抗氧化层的厚度1～20nm，第一抗氧化层与其他层之间具有更好的协同作用，使得透明导电膜具有很好的耐候性能。金属合金层为银合金，银合金可以增加其抗氧化能力。优选地，银合金中银的重量比大于80％，其余为Zn、Cu、In、Pt、Pd和Au中的任一种或多种。为了降低透明导电膜的厚度，优选地，金属合金层的厚度为5～20nm本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电膜，包括由下往上层叠设置的基材(10)、第一透明电介质层(20)、第一抗氧化层(30)、金属合金层(40)、第二抗氧化层(50)、第二透明电介质层(60)，其特征在于：所述第二透明电介质层远离所述第二抗氧化层的表面还设置有增透保护层(70)。

【技术特征摘要】
1.一种透明导电膜，包括由下往上层叠设置的基材(10)、第一透明电介质层(20)、第一抗氧化层(30)、金属合金层(40)、第二抗氧化层(50)、第二透明电介质层(60)，其特征在于：所述第二透明电介质层远离所述第二抗氧化层的表面还设置有增透保护层(70)。2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于：所述增透保护层的折射率为1.30～1.80。3.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于：所述增透保护层的材料为MgF2、SiO2、冰晶石中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于：所述第一透明电介质层和所述第二透明电介质层的材料为金属氧化物、氮化物、硫化物或掺杂金属的氮化物、硫化物。5.根据权利要求4所述的透明导电膜，其特征在于：所述掺杂金属为Al、Ga、Zr、B、Y、Mo中的至少一种。6.根据权利要求4或5所述的透明导电膜，其特征在于：所述第一透明电介质层和所述第二透明电介质层的材料为...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹铮杰，王平，张玉春，
申请(专利权)人：张家港康得新光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32