制造半导体器件的方法和对应的器件技术

在一个实施例中，一种制造包括金属化结构(例如再布线层－RDL金属化结构)的方法包括：提供封盖堆叠至金属化结构上，其中堆叠包括至少一个镍层，在堆叠中包括镍层的配对，两者之间具有诸如钯或金之类的易延展材料的层。

Methods and corresponding devices for manufacturing semiconductor devices

In one embodiment, a manufacturing includes metallization structure (such as the re wiring layer RDL metal structure) the method comprises: providing a capping stack to the metal structure, wherein the stack includes at least one nickel layer, including nickel layer pairing between the two is on the stack, such as palladium or gold etc. the ductile material layer.

【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件的方法和对应的器件
说明书涉及制造半导体器件。一个或多个实施例可以例如应用于减小例如汽车和消费产品的集成电路中的热-机械应力。
技术介绍
各种类型的集成电路(IC)可以采用诸如BCD(双极－CMOS－DMOS)技术的技术。BCD技术可以有利地用于例如制造具有功率电子器件和逻辑控制电子器件的集成电路。BCD技术提供了一系列硅工艺，每一个将三种不同工艺技术的力量结合至单个芯片上：双极用于精确的模拟功能，CMOS(互补金属氧化物半导体)用于数字设计，以及DMOS(双扩散金属氧化物半导体)用于功率和高电压元件。实施BCD技术可以包括顶层铜金属互连，其被称作再布线层(RDL)。这可以包括使用铜RDL模块作为最终金属。该模块可以包括由例如Ni和Pd层或层堆叠所覆盖的Cu线条/焊盘/功率金属化结构(例如10微米－10×10-6米－高)。同样，氮化硅(SiN)或碳化硅(SiC)可以用于制造IC以为微芯片提供钝化层，例如用于提供针对水分子和微电子器件中腐蚀和不稳定性的其他来源的阻挡层。考虑由金属性材料(Ni、Pd、Cu、Ti、W)的热-机械膨胀/收缩在钝化材料(例如Si硅化物)上感应形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造包括至少一个金属化结构(10)的半导体器件的方法，所述方法包括：－在所述金属化结构(10)上提供封盖堆叠(141、161、142、162)，其中所述堆叠包括至少一个镍层，－在所述堆叠(141、161、142、162)中包括镍层配对(141，142)，所述镍层配对(141，142)在它们之间具有易延展材料(161)的层。

【技术特征摘要】
2016.06.13 EP 16425053.21.一种制造包括至少一个金属化结构(10)的半导体器件的方法，所述方法包括：－在所述金属化结构(10)上提供封盖堆叠(141、161、142、162)，其中所述堆叠包括至少一个镍层，－在所述堆叠(141、161、142、162)中包括镍层配对(141，142)，所述镍层配对(141，142)在它们之间具有易延展材料(161)的层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述易延展材料(161)选自钯和金。3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，包括提供所述金属化结构(10)作为铜金属化结构，优选地作为再布线层－RDL金属化结构。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括在所述堆叠中、与所述金属化结构(10)相对地提供易延展材料的至少一个外层(162，18)。5.根据权利要求4所述的方法，包括，在所述堆叠中、与所述金属化结构(10)相对地提供包括钯的第一外层(162)和包括金的最外层(18)。6.根据前述权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·莫尔格，F·希梅，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：意大利,IT