IGBT吸收电容器制造技术

本实用新型专利技术公开一种IGBT吸收电容器，其包括电容芯子，形成在所述电容芯子两端部的两喷焊层，分别自所述两喷焊层引出的两焊接端子，容设所述电容芯子、所述焊接端子的外壳，其中，所述电容芯子为压扁电容，包括平行的两侧面，所述两焊接端子定位在所述电容芯子的同一侧，每一所述焊接端子分别包括部分贴设在所述电容芯子的侧面之一的纵长的伸入板，由所述伸入板的外侧缘垂直伸出的焊接在相应所述喷焊层的焊接板，由所述伸入板一端向与所述焊接板相反的方向弯折延伸的连接板、由所述连接板末端向与所述伸入板相反的方向弯折延伸的固定板，所述伸入板与所述外壳的侧壁之间相间隔，所述连接板支撑在所述侧壁上，所述两焊接端子的固定板并列设置。

【技术实现步骤摘要】
IGBT吸收电容器
本技术涉及电容器领域，尤其涉及一种IGBT吸收电容器。
技术介绍
目前的IGBT吸收电容器因引脚与喷焊层之间的接触面积较小等原因，使得所述吸收电容器的耐脉冲电流冲击能力较差。而且，因为所述吸收电容器的引脚较长，使得所述吸收电容与IGBT开关晶闸管的距离较大，造成杂散电感较大，吸收效果比较差。因此，有必要提供一种IGBT吸收电容器，具有改善的耐脉冲电流冲击能力和吸收效果。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种IGBT吸收电容器，具有改善的耐脉冲电流冲击能力和吸收效果。为了实现上述目的，本技术IGBT吸收电容器包括电容芯子，形成在所述电容芯子两端部的两喷焊层，分别自所述两喷焊层引出的两焊接端子，容设所述电容芯子、所述焊接端子的外壳，以及灌注在所述电容芯子、所述两焊接端子与所述外壳之间的环氧树脂，其中，所述电容芯子为压扁电容，包括平行的两侧面，所述两焊接端子定位在所述电容芯子的同一侧，每一所述焊接端子分别包括部分贴设在所述电容芯子的侧面之一的纵长的伸入板，由所述伸入板的外侧缘垂直伸出的焊接在相应所述喷焊层的焊接板，由所述伸入板一端向与所述焊接板相反的方向弯折延伸的连接板、由所述连接板末端向与所述伸入板相反的方向弯折延伸的固定板，所述伸入板与所述外壳的侧壁之间相间隔，所述连接板支撑在所述侧壁上，所述两焊接端子的固定板并列设置。与现有技术相比，本技术的两焊接端子的尺寸(间距、空距等)可以依据IGBT的形状尺寸进行设计，从而可以最大限度缩短所述IGBT吸收电容器与所述IGBT开关晶闸管之间的距离，大大降低了串联等效电感值，从而具有更好的吸收效果；而且，所述焊接板与所述喷焊层之间的焊接面积，也大于传统引脚的焊接面积，减少芯子和焊片之间的接触电阻，有效提升了所述IGBT吸收电容器的耐脉冲电流冲击能力。较佳地，所述焊接板34的厚度为0.8mm。较佳地，所述焊接端子的伸入板延伸有相间隔的两个所述焊接板，通过两个所述焊接板与所述喷焊层进行焊接，进一步增加了焊接面积，强化了所述IGBT吸收电容器的耐脉冲电流冲击能力，而且，两个所述焊接板焊接的机械强度也比单一焊点大大增加。较佳地，所述连接板中部向与所述伸入板相同的方向凸伸形成定位短板，所述定位短板定位在所述外壳的侧壁的外侧面，从而达到更好定位所述焊接端子的目的。较佳地，所述固定板上开设有与所述IGBT的连接孔相对应的安装孔，安装时，所述两焊接端子的安装孔与所述IGBT的连接孔分别对应，然后固定，从而将所述IGBT吸收电容器直接固定在所述IGBT上，使得连接电感几乎可以忽略，进而具有更佳的吸收效果。附图说明图1本技术实施例的IGBT吸收电容器的结构示意图。图2是图1所示IGBT吸收电容器的焊接端子的立体示意图。图3是图1所示IGBT吸收电容器的另一结构示意图。具体实施方式为详细说明本技术的
技术实现思路
、构造特征、所实现的效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。请参阅图1至图2，本技术实施例的IGBT吸收电容器100包括电容芯子1，形成在所述电容芯子1两端部的两喷焊层2，分别自所述两喷焊层2引出的两焊接端子3，容设所述电容芯子1、所述焊接端子3的外壳4，以及灌注在所述电容芯子1、所述两焊接端子3与所述外壳4之间的环氧树脂5，其中，所述电容芯子1为压扁电容，包括平行的两侧面11，所述两焊接端子3定位在所述电容芯子1的同一侧，每一所述焊接端子3分别包括部分贴设在所述电容芯子1的侧面11之一的纵长的伸入板31，由所述伸入板31的外侧缘垂直伸出的焊接在相应所述喷焊层2的焊接板32，由所述伸入板31一端向与所述焊接板32相反的方向弯折延伸的连接板33、由所述连接板33末端向与所述伸入板31相反的方向弯折延伸的固定板34，所述伸入板31与所述外壳4的侧壁41之间相间隔，所述连接板33支撑在所述侧壁41上，所述两焊接端子3的固定板34并列设置以分别与IGBT的管脚(图未示)对应连接。较佳地，所述焊接板34的厚度为0.8mm。与现有技术相比，本技术的两焊接端子3的尺寸(间距、空距等)可以依据IGBT的形状尺寸进行设计，从而可以最大限度缩短所述IGBT吸收电容器与所述IGBT开关晶闸管之间的距离，大大降低了串联等效电感值，从而具有更好的吸收效果；而且，所述焊接板32与所述喷焊层2之间的焊接面积，也大于传统引脚的焊接面积，减少芯子和焊片之间的接触电阻，有效提升了所述IGBT吸收电容器的耐脉冲电流冲击能力。较佳地，请参阅图1及图2，所述焊接端子3的伸入板31延伸有相间隔的两个所述焊接板34，通过两个所述焊接板34与所述喷焊层2进行焊接，进一步增加了焊接面积，强化了所述IGBT吸收电容器的耐脉冲电流冲击能力，而且，两个所述焊接板34焊接的机械强度也比单一焊点大大增加。所述连接板33中部向与所述伸入板31相同的方向凸伸形成定位短板35，所述定位短板35定位在所述外壳4的侧壁41的外侧面，从而达到更好定位所述焊接端子3的目的。较佳地，请参阅图3，所述固定板34上开设有安装孔341，安装时，所述两焊接端子3的安装孔341与所述IGBT的连接孔分别对应，然后固定住，从而将所述IGBT吸收电容器直接固定在所述IGBT上，使得连接电感几乎可以忽略，进而具有更佳的吸收效果。以上所揭露的仅为本技术的较佳实例而已，当然不能以此来限定本技术之权利范围，因此依本技术申请专利范围所作的等同变化，仍属于本技术所涵盖的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT吸收电容器，其特征在于，包括电容芯子，形成在所述电容芯子两端部的两喷焊层，分别自所述两喷焊层引出的两焊接端子，容设所述电容芯子、所述焊接端子的外壳，以及灌注在所述电容芯子、所述两焊接端子与所述外壳之间的环氧树脂，其中，所述电容芯子为压扁电容，包括平行的两侧面，所述两焊接端子定位在所述电容芯子的同一侧，每一所述焊接端子分别包括部分贴设在所述电容芯子的侧面之一的纵长的伸入板，由所述伸入板的外侧缘垂直伸出的焊接在相应所述喷焊层的焊接板，由所述伸入板一端向与所述焊接板相反的方向弯折延伸的连接板、由所述连接板末端向与所述伸入板相反的方向弯折延伸的固定板，所述伸入板与所述外壳的侧壁之间相间隔，所述连接板支撑在所述侧壁上，所述两焊接端子的固定板并列设置。

【技术特征摘要】
1.一种IGBT吸收电容器，其特征在于，包括电容芯子，形成在所述电容芯子两端部的两喷焊层，分别自所述两喷焊层引出的两焊接端子，容设所述电容芯子、所述焊接端子的外壳，以及灌注在所述电容芯子、所述两焊接端子与所述外壳之间的环氧树脂，其中，所述电容芯子为压扁电容，包括平行的两侧面，所述两焊接端子定位在所述电容芯子的同一侧，每一所述焊接端子分别包括部分贴设在所述电容芯子的侧面之一的纵长的伸入板，由所述伸入板的外侧缘垂直伸出的焊接在相应所述喷焊层的焊接板，由所述伸入板一端向与所述焊接板相反的方向弯折延伸的连接板、由所述连接板末端向与所述伸入板相反的方向弯折延伸...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘竞泽，刘海平，
申请(专利权)人：东莞市国灿电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44