具有集成栅源电容的IGBT器件制造技术

本发明专利技术涉及一种具有集成栅源电容的IGBT器件，其在半导体基板内还设置至少一个用于形成栅源电容的沟槽栅，所述沟槽栅包括位于第二导电类型阱区内的电容沟槽，所述电容沟槽的高度小于第二导电类型阱区的深度；所述电容沟槽的侧壁及底壁设置覆盖有电容绝缘氧化层，并在覆盖有电容绝缘氧化层的电容沟槽内填充有电容导电多晶硅，且所述电容沟槽的槽口由第一主面上的电容绝缘介质层覆盖；电容沟槽内的电容导电多晶硅与半导体基板第一主面上用于形成栅电极的栅极金属欧姆接触。本发明专利技术结构紧凑，能在不增加芯片面积的情况下集成得到栅源电容，可以灵活设计栅源电容的分布状态，且能精确控制栅源电容的电容值，与现有工艺相兼容，安全可靠。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种IGBT器件，尤其是一种具有集成栅源电容的IGBT器件，属于IGBT器件的

技术介绍
目前，功率器件追求高功率密度，使得芯片体积越来越小、电流密度越来越大，而大电流密度功率器件的快速开通和关断容易使功率器件承受高电压应力（高压高电流和高电压电流的变化速率），高电压应力容易导致器件瞬间损坏；此外，栅控信号以及输出电压电流波形易振荡，这种振荡对大功率模块里面的并联芯片极为不利，容易导致并联芯片电流分布不均匀，从而导致烧坏器件。而解决以上功率器件快速开通、关断以及栅控信号振荡的一种有效方法就是在功率器件内集成栅源电容，集成栅源电容后，器件栅极充电时间长，器件开通变慢，而栅极和集电极的米勒电容相对于栅源电容变小，器件栅极电压振荡可以得到很好的抑制。目前，解决栅控信号振荡或者栅极开通、关断太快的最接近的现有技术，是在互联层集成栅源电容，即在功率器件正面元胞制备后，在金属互联层直接制备栅源电容，这种集成栅电容的介质一般为互联层的绝缘介质。如图1所示，为现有集成栅源电容的示意图，所述IGBT器件包括源极导体30、绝缘介质层31、多晶硅栅极32、阱区33以及衬底34；其中，源极导体30通过接触孔与阱区33欧姆接触，多晶硅栅极32与正面元胞以及栅极焊盘电连接，因此，这种集成栅源电容的方式可以有多种方式，第一种方式为通过源极导体30、多晶硅栅极32以及绝缘介质层21形成栅源电容，第二种方式为通过多晶硅栅极33、阱区33以及位于多晶硅栅极32与阱区33间的绝缘介质层31来形成栅源电容，第三种形成栅源电容的方式是将第一种方式与第二种方式相结合来形成所需的栅源电容。一般各互联层材料都是通过淀积、化学机械抛光和刻蚀形成的，因此各层材料的尺寸精度较差，而且尺寸一般比较大（微米量级）。上述集成栅源电容的缺点是集成栅电容的大小范围非常有限，因为互联层的绝缘介质层2一般比较厚，这样如果要集成大的电容时，就需要大的额外芯片面积（因为互联层介质较厚），而且精度比较差（电容介质的厚度不易精确控制）。同时栅电容的面积受到栅极以及源极金属布线的限制，集成栅源电容不可以在较大范围内变动，也不能根据设计的需要灵活的调整电容分布于芯片各处的大小。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种具有集成栅源电容的IGBT器件，其结构紧凑，能在不增加芯片面积的情况下集成得到栅源电容，可以灵活设计栅源电容的分布状态，且能精确控制栅源电容的电容值，与现有工艺相兼容，安全可靠。按照本专利技术提供的技术方案，所述具有集成栅源电容的IGBT器件，包括具有两个相对主面的半导体基板，半导体基板的两个相对主面包括第一主面以及与第一主面相对应的第二主面；半导体基板的第一主面与第二主面间包括第一导电类型基区；在半导体基板的第一导电类型基区内设置若干规则排布且相互平行分布的有源元胞，所述有源元胞包括位于第一导电类型基区内上部的第二导电类型阱区，所述第二导电类型阱区与半导体基板第一主面上的源极金属欧姆接触；在半导体基板内还设置至少一个用于形成栅源电容的浅槽栅，所述浅槽栅包括位于第二导电类型阱区内的电容沟槽，所述电容沟槽的高度小于第二导电类型阱区的深度；所述电容沟槽的侧壁及底壁设置覆盖有电容绝缘氧化层，并在覆盖有电容绝缘氧化层的电容沟槽内填充有电容导电多晶硅，且所述电容沟槽的槽口由第一主面上的电容绝缘介质层覆盖；电容沟槽内的电容导电多晶硅与半导体基板第一主面上用于形成栅电极的栅极金属欧姆接触。所述电容沟槽外侧壁上方设有第一导电类型电容源极区，所述第一导电类型电容源极区与电容沟槽的外侧壁相接触。在所述半导体基板的第二主面上设置集电极结构，所述集电极结构包括集电极金属以及与所述集电极金属欧姆接触的第二导电类型集电极层，第二导电类型集电极层位于集电极金属与半导体基板的第二主面间。所述第二导电类型集电极层与半导体基板的第二主面间还设有第一导电类型缓冲层。所述有源元胞呈平面状或沟槽状。所述有源元胞采用平面状结构时，所述平面有源元胞包括两相邻的第二导电类型阱区以及位于所述第二导电类型阱区内的第一导电类型元胞源极区，相邻的第二导电类型阱区通过第一导电类型基区相间隔，在间隔相邻第二导电类型阱区的第一导电类型基区的正上方设有元胞导电多晶硅以及元胞绝缘介质层，元胞导电多晶硅通过元胞绝缘介质层与半导体基板的第一主面以及源极金属绝缘隔离，且元胞导电多晶硅的两端与下方的第一导电类型元胞源极区相交叠，第一导电类型元胞源极区与源极金属欧姆接触，所述元胞导电多晶硅与栅极金属欧姆接触。所述有源元胞采用沟槽状结构时，所述沟槽有源元胞包括位于第二导电类型阱区内的元胞沟槽，所述元胞沟槽的槽底位于第二导电类型阱区的下方，元胞沟槽的内壁及底壁覆盖有元胞绝缘氧化层，并在覆盖有元胞绝缘氧化层的元胞沟槽内填充有元胞导电多晶硅，元胞沟槽的槽口由半导体基板第一主面上的元胞绝缘介质层覆盖；在元胞沟槽外壁的侧上方设有第一导电类型元胞源极区，所述第一导电类型元胞源极区位于第二到类型阱区内，且第一导电类型元胞源极区与元胞沟槽的外侧壁相接触，第一导电类型元胞源极区与源极金属欧姆接触，且元胞导电多晶硅与栅极金属欧姆接触。所述半导体基板的材料包括硅。所述有源元胞内包括与栅极金属欧姆接触的元胞导电多晶硅，所述电容导电多晶硅的长度小于或等于元胞导电多晶硅的长度。所述电容沟槽呈方形或长条形。所述“第一导电类型”和“第二导电类型”两者中，对于N型IGBT器件，第一导电类型指N型，第二导电类型为P型；对于P型IGBT器件，第一导电类型与第二导电类型所指的类型与N型IGBT器件正好相反。本专利技术的优点：利用浅槽栅来形成栅源电容，浅槽栅的数量可以为一个或多个，浅槽栅内的电容绝缘氧化层作为栅源介质，电容绝缘氧化层的厚度可以精确控制，得到栅源电容的面积可以通过电容沟槽的宽度、深度等参数进行调节，从而能够实现对栅源电容参数的精确控制，浅槽栅的分布灵活，能够在不增加芯片面积的情况下集成大的栅源电容，结构紧凑，与现有工艺兼容，适应范围广，安全可靠。附图说明图1为现有栅源电容的集成形式。图2为本专利技术沟槽PT型IGBT器件的剖视图。图3为本专利技术沟槽型PT型IGBT器件内具有多个浅槽栅的剖视图。图4为本专利技术平面PT型IGBT器件的剖视图。图5为本专利技术沟槽NPT型IGBT器件的剖视图。图6为本专利技术平面NPT型IGBT器件的剖视图。图7为本专利技术沟槽型IGBT器件栅极金属与元胞导电多晶硅、电容导电多晶硅配合的一种俯视图。图8为本专利技术沟槽型IGBT器件栅极金属与元胞导电多晶硅、电容导电多晶硅配合的另一种俯视图。附图标记说明：1-源极金属、2-元胞绝缘介质层、3-N+元胞源极区、4-元胞导电多晶硅、5-P阱、6-N型基区、7-浅槽栅、8-沟槽有源元胞、9-元胞沟槽、10-N型缓冲层、11-P型集电极层、12-集电极金属、13-电容沟槽、14-元胞绝缘氧化层、15-电容导电多晶硅、16-电容绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有集成栅源电容的IGBT器件，包括具有两个相对主面的半导体基板，半导体基板的两个相对主面包括第一主面以及与第一主面相对应的第二主面；半导体基板的第一主面与第二主面间包括第一导电类型基区；在半导体基板的第一导电类型基区内设置若干规则排布且相互平行分布的有源元胞，所述有源元胞包括位于第一导电类型基区内上部的第二导电类型阱区，所述第二导电类型阱区与半导体基板第一主面上的源极金属欧姆接触；其特征是：在半导体基板内还设置至少一个用于形成栅源电容的浅槽栅，所述浅槽栅包括位于第二导电类型阱区内的电容沟槽，所述电容沟槽的高度小于第二导电类型阱区的深度；所述电容沟槽的侧壁及底壁设置覆盖有电容绝缘氧化层，并在覆盖有电容绝缘氧化层的电容沟槽内填充有电容导电多晶硅，且所述电容沟槽的槽口由第一主面上的电容绝缘介质层覆盖；电容沟槽内的电容导电多晶硅与半导体基板第一主面上用于形成栅电极的栅极金属欧姆接触。

【技术特征摘要】
1.一种具有集成栅源电容的IGBT器件，包括具有两个相对主面的半导体基板，半导体基板的两个相对主面包括第一主面以及与第一主面相对应的第二主面；半导体基板的第一主面与第二主面间包括第一导电类型基区；在半导体基板的第一导电类型基区内设置若干规则排布且相互平行分布的有源元胞，所述有源元胞包括位于第一导电类型基区内上部的第二导电类型阱区，所述第二导电类型阱区与半导体基板第一主面上的源极金属欧姆接触；其特征是：
在半导体基板内还设置至少一个用于形成栅源电容的浅槽栅，所述浅槽栅包括位于第二导电类型阱区内的电容沟槽，所述电容沟槽的高度小于第二导电类型阱区的深度；所述电容沟槽的侧壁及底壁设置覆盖有电容绝缘氧化层，并在覆盖有电容绝缘氧化层的电容沟槽内填充有电容导电多晶硅，且所述电容沟槽的槽口由第一主面上的电容绝缘介质层覆盖；电容沟槽内的电容导电多晶硅与半导体基板第一主面上用于形成栅电极的栅极金属欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的具有集成栅源电容的IGBT器件，其特征是：所述电容沟槽外侧壁上方设有第一导电类型电容源极区，所述第一导电类型电容源极区与电容沟槽的外侧壁相接触。
3.根据权利要求1所述的具有集成栅源电容的IGBT器件，其特征是：在所述半导体基板的第二主面上设置集电极结构，所述集电极结构包括集电极金属以及与所述集电极金属欧姆接触的第二导电类型集电极层，第二导电类型集电极层位于集电极金属与半导体基板的第二主面间。
4.根据权利要求2所述的具有集成栅源电容的IGBT器件，其特征是：所述第二导电类型集电极层与半导体基板的第二主面间还设有第一导电类型缓冲层。
5.根据权利要求1所述的具有集成栅源电容的IGBT器件，其特征是：所述有源元胞呈平面状或沟槽状。
6.根据权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨飞，谭骥，张广银，沈千行，朱阳军，卢烁今，田晓丽，
申请(专利权)人：江苏中科君芯科技有限公司，中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32