温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及一种具有集成栅源电容的IGBT器件，其在半导体基板内还设置至少一个用于形成栅源电容的沟槽栅，所述沟槽栅包括位于第二导电类型阱区内的电容沟槽，所述电容沟槽的高度小于第二导电类型阱区的深度；所述电容沟槽的侧壁及底壁设置覆盖有电容绝缘氧...该专利属于江苏中科君芯科技有限公司;中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过江苏中科君芯科技有限公司;中国科学院微电子研究所授权不得商用。