脚距抑制磁干扰的电容器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种脚距抑制磁干扰的电容器，包括呈圆饼状的芯片部，其还包括：第一引脚部，其具有第一径向延伸部和第一垂直延伸部；第二引脚部，其具有第二径向延伸部和第二垂直延伸部，第二径向延伸部与第一径向延伸部形成“X”字形结构，第二垂直延伸部与第一垂直延伸部相互平行。本实用新型专利技术解决了现有技术中爬电距离偏小的问题，从而消除了爬电距离偏小对使用上安全性和便利性所造成的影响，有效地抑制磁干扰。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电容器，具体而言，涉及一种脚距抑制磁干扰的电容器。
技术介绍
电容器是电子设备中被广泛应用的一种电子元件，根据材料的不同，目前所使用的电容器又包括了瓷质电容器、云母电容器、有机电容器和电解电容器等等。这其中，特别对于瓷质电容器，为了抑制电磁的干扰，安规标准对于电容器的爬电距离(即引脚间的距离)作出了规定，需要至少为10.0mm。目前的电容器受限于其结构，无法进一步地将爬电距离做大，只能将距离控制在10.0mm+/-1.0mm，无法尽量地将爬电距离做大，从而便会对使用者在使用上的安全性和便利性造成影响。
技术实现思路
鉴于此，本技术提供了一种脚距抑制磁干扰的电容器，旨在解决现有技术中爬电距离偏小的问题，从而消除爬电距离偏小对使用上安全性和便利性所造成的影响，有效地抑制磁干扰。本技术提供了一种脚距抑制磁干扰的电容器，包括呈圆饼状的芯片部，其还包括：第一引脚部，其固定连接于芯片部的顶面，第一引脚部沿着顶面的径向向外延伸形成第一引脚部的第一径向延伸部，第一径向延伸部的自由端折弯后继续沿着垂直方向延伸形成第一引脚部的第一垂直延伸部；第二引脚部，其相对第一引脚部固定连接于芯片部的底面，第二引脚部沿着底面的径向向外延伸形成第二引脚部的第二径向延伸部，第二径向延伸部的自由端折弯后继续沿着垂直方向延伸形成第二引脚部的第二垂直延伸部，第二径向延伸部与第一径向延伸部形成“八”字形或者“X”字形结构，第二垂直延伸部与第一垂直延伸部相互平行。进一步地，上述第二垂直延伸部与第一垂直延伸部之间的间距为12-13mm。进一步地，上述第二垂直延伸部与第一垂直延伸部之间的间距为12.5mm。进一步地，上述第一引脚部位于顶面上的一端部偏心设置于顶面上。进一步地，上述第二引脚部位于底面上的一端部偏心设置于底面上。进一步地，上述第一径向延伸部在接近第一垂直延伸部的一端具有弧形的第一拱起部，第二径向延伸部在接近第二垂直延伸部的一端具有弧形的第二拱起部。本技术提供的脚距抑制磁干扰的电容器，通过设置具有第一径向延伸部和第一垂直延伸部的第一引脚部、以及具有第二径向延伸部和第二垂直延伸部的第二引脚部，同时设置第二径向延伸部与第一径向延伸部形成“八”字形或者“X”字形结构、第二垂直延伸部与第一垂直延伸部相互平行，使得第一引脚部和第二引脚部的间距(即爬电距离)可以尽量地做大，从而可以尽量地将爬电距离做大，使得电容器在使用上的安全性和便利性获得提高，有效地抑制磁干扰。附图说明通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：图1为本技术实施例提供的脚距抑制磁干扰的电容器在主视角度下的结构示意图；图2为本技术实施例提供的脚距抑制磁干扰的电容器在侧视角度下的结构示意图。具体实施方式下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。参见图1至图2，图中示出了本技术实施例提供的脚距抑制磁干扰的电容器的优选结构。该脚距抑制磁干扰的电容器包括呈圆饼状的芯片部1以及第一引脚部2和第二引脚部3，该芯片部1在一些常见的结构中可以包括有陶瓷芯片13和分设于该陶瓷芯片13两侧面的电极14，芯片部1的外部包覆有树脂等材料制成的包封皮15；作为其中的改进之处，第一引脚部2固定连接于芯片部1的顶面11上(即其中一电极14上)，第一引脚部2沿着顶面11的径向向外延伸形成第一引脚部2的第一径向延伸部21，第一径向延伸部21的自由端折弯后继续沿着垂直方向延伸形成第一引脚部2的第一垂直延伸部22，第二引脚部3相对第一引脚部2固定连接于芯片部1的底面12(即另一电极14上)，第二引脚部3沿着底面12的径向向外延伸形成第二引脚部3的第二径向延伸部31，第二径向延伸部31的自由端折弯后继续沿着垂直方向延伸形成第二引脚部3的第二垂直延伸部32，第二径向延伸部31与第一径向延伸部21形成“X”字形结构，第二垂直延伸部32与第一垂直延伸部22相互平行。其中，在第二径向延伸部31与第一径向延伸部21的端部不相交的情况之下，第二径向延伸部31与第一径向延伸部21也可以形成“八”字形结构。本实施例所提供的脚距抑制磁干扰的电容器，通过设置具有第一径向延伸部和第一垂直延伸部的第一引脚部、以及具有第二径向延伸部和第二垂直延伸部的第二引脚部，同时设置第二径向延伸部与第一径向延伸部形成“八”字形或者“X”字形结构、第二垂直延伸部与第一垂直延伸部相互平行，使得第一引脚部和第二引脚部的间距(即爬电距离)可以尽量地做大，从而可以尽量地将爬电距离做大，使得电容器在使用上的安全性和便利性获得提高，有效地抑制磁干扰。参见图1，为了便于走电的顺畅，还可以将第一径向延伸部21和第一垂直延伸部22之间通过弧角过渡，第二径向延伸部31和第二垂直延伸部32之间同样通过弧角过渡。继续参见图1，第一垂直延伸部22和第二垂直延伸部32之间还通过连接段4，同样为了便于走电的顺畅，连接段4与第一垂直延伸部22和第二垂直延伸部32之间的转角也可以做成弧角。参见图2，第一径向延伸部21在接近第一垂直延伸部22的一端还具有弧形的第一拱起部23，第二径向延伸部31在接近第二垂直延伸部32的一端还具有弧形的第二拱起部33，可以使得爬电距离获得进一步的扩大。在采用上述的结构之后，第二垂直延伸部32与第一垂直延伸部22之间的将优选的间距左侧了12-13mm之间，其中优选的为12.5mm，使得本电容器可以获得更佳的爬电距离，保证更优的安全性和便利性。继续参见图1，第一引脚部2位于顶面11上的一端部偏心设置于顶面11上，使得第一引脚部2的固定更为牢靠，具体可以通过锡料进行焊锡固定，也使得第一引脚部2的第一径向延伸部21可以尽量做长，从而使得引脚间的间距可以进一步地扩大。继续参见图1，第二引脚部3位于底面12上的一端部偏心设置于底面12上，使得第二引脚部3的固定更为牢靠，具体可以通过锡料进本文档来自技高网...

【技术保护点】
脚距抑制磁干扰的电容器，包括呈圆饼状的芯片部(1)，其特征在于，还包括：第一引脚部(2)，其固定连接于所述芯片部(1)的顶面(11)，所述第一引脚部(2)沿着所述顶面(11)的径向向外延伸形成所述第一引脚部(2)的第一径向延伸部(21)，所述第一径向延伸部(21)的自由端折弯后继续沿着垂直方向延伸形成所述第一引脚部(2)的第一垂直延伸部(22)；第二引脚部(3)，其相对所述第一引脚部(2)固定连接于所述芯片部(1)的底面(12)，所述第二引脚部(3)沿着所述底面(12)的径向向外延伸形成所述第二引脚部(3)的第二径向延伸部(31)，所述第二径向延伸部(31)的自由端折弯后继续沿着垂直方向延伸形成所述第二引脚部(3)的第二垂直延伸部(32)，所述第二径向延伸部(31)与所述第一径向延伸部(21)形成“八”字形或者“X”字形结构，所述第二垂直延伸部(32)与所述第一垂直延伸部(22)相互平行。

【技术特征摘要】
1.脚距抑制磁干扰的电容器，包括呈圆饼状的芯片部(1)，其特征在于，
还包括：
第一引脚部(2)，其固定连接于所述芯片部(1)的顶面(11)，所述第一
引脚部(2)沿着所述顶面(11)的径向向外延伸形成所述第一引脚部(2)的
第一径向延伸部(21)，所述第一径向延伸部(21)的自由端折弯后继续沿着
垂直方向延伸形成所述第一引脚部(2)的第一垂直延伸部(22)；
第二引脚部(3)，其相对所述第一引脚部(2)固定连接于所述芯片部(1)
的底面(12)，所述第二引脚部(3)沿着所述底面(12)的径向向外延伸形成
所述第二引脚部(3)的第二径向延伸部(31)，所述第二径向延伸部(31)的
自由端折弯后继续沿着垂直方向延伸形成所述第二引脚部(3)的第二垂直延
伸部(32)，所述第二径向延伸部(31)与所述第一径向延伸部(21)形成“八”
字形或者“X”字形结构，所述第二垂直延伸部(32)与所述第一垂直延伸部
(22)相互平行。
2.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：程传波，石怡，吴伟，胡鹏，杨必祥，
申请(专利权)人：昆山万盛电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32