一种降低PERC电池片衰减的镀膜工艺方法技术

本发明专利技术涉及一种降低PERC电池片衰减的镀膜工艺方法，采用氨气、硅烷和甲烷作为反应气体，在硅片表面沉积碳化硅和氮化硅双层钝化减反膜，一方面由于碳化硅和氮化硅具有较好的体钝化效果，提升了硅片表面的钝化效果，提升了光电转换效率，另一方面碳化硅膜中含有较多的碳，其会通过高温扩散到硅材料中，与氧来形成碳氧相关的复合体，减少硅中氧的浓度，间接降低了硅片内部氧的含量，降低了光致衰减。

【技术实现步骤摘要】
一种降低PERC电池片衰减的镀膜工艺方法
本专利技术涉及太阳能电池片加工
，尤其是涉及一种降低PERC电池片衰减的镀膜工艺方法。
技术介绍
目前，传统的PERC电池片的正面主要采用PECVD生长减反射膜，一般是以氨气和硅烷作为反应气体，在硅片表面长一层蓝色的氮化硅减反射膜，但是，晶体硅在生长的过程中会引入氧和其他杂质，而引入的氧和其他杂质在光照的条件下会和硅片中掺杂的硼原子形成复合中心，导致电池片效率大幅度下降，产生光致衰减，降低组件的发电量。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是：为了克服现有技术中晶体硅在生长的过程中会引入氧和其他杂质，而引入的氧和其他杂质在光照的条件下会和硅片中掺杂的硼原子形成复合中心，导致电池片效率大幅度下降，产生光致衰减，降低组件的发电量的问题，提供一种降低PERC电池片衰减的镀膜工艺方法。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种降低PERC电池片衰减的镀膜工艺方法，包括如下步骤：（1）将经过清洗制绒、扩散和刻蚀的硅片插入石墨舟后送进炉管；（2）将硅片与低气压辉光放电的阴极连接，对炉管进行升温，利用辉光放电使硅片温度升高到400-500℃；（本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低PERC电池片衰减的镀膜工艺方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)将经过清洗制绒、扩散和刻蚀的硅片插入石墨舟后送进炉管；(2)将硅片与低气压辉光放电的阴极连接，对炉管进行升温，利用辉光放电使硅片表面温度升高到400‑500℃；(3)炉管抽真空，使炉管内压力降到35mtorr以下，进行检漏，完成捡漏后，再次抽真空；(4)给炉管通入甲烷和硅烷，甲烷流量为5000‑7000sccm，硅烷流量为500‑1200sccm，控制炉管内压力在1500‑1800mtorr，温度控制在400‑500℃；(5)炉管抽真空，使炉管内压力降到35mtorr以下，排掉炉管内多余的反应气体；(6)给炉管通入氨气和...

【技术特征摘要】
1.一种降低PERC电池片衰减的镀膜工艺方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)将经过清洗制绒、扩散和刻蚀的硅片插入石墨舟后送进炉管；(2)将硅片与低气压辉光放电的阴极连接，对炉管进行升温，利用辉光放电使硅片表面温度升高到400-500℃；(3)炉管抽真空，使炉管内压力降到35mtorr以下，进行检漏，完成捡漏后，再次抽真空；(4)给炉管通入甲烷和硅烷，甲烷流量为5000-7000sccm，硅烷流量为500-1200sccm，控制炉管内压力在1500-1800mtorr，温度控制在400-500℃；(5)炉管抽真空，使炉管内压力降到35mtorr以下，排掉炉管内多余的反应气体；(6)给炉管通...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡琴，朱露，
申请(专利权)人：常州亿晶光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32