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本发明涉及一种降低PERC电池片衰减的镀膜工艺方法，采用氨气、硅烷和甲烷作为反应气体，在硅片表面沉积碳化硅和氮化硅双层钝化减反膜，一方面由于碳化硅和氮化硅具有较好的体钝化效果，提升了硅片表面的钝化效果，提升了光电转换效率，另一方面碳化硅膜中...
该专利属于常州亿晶光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州亿晶光电科技有限公司授权不得商用。

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