一种CdTe薄膜的热处理方法技术
A heat treatment method for CdTe thin film
The invention discloses a heat treatment method for CdTe film. The heat treatment method is the heat treatment of CdTe films under Phosphorus Environment; CdTe thin film comprising CdTe thin film and CdTe containing laminated film; Phosphorus Environment mentioned for maintaining the phosphorated material exist in the CdTe film during the heat treatment process can be phosphorus material present in the atmosphere, can also be the phosphorus containing material is directly deposited on the surface of CdTe film; the heat treatment temperature is 300 to 450 DEG C, the heat treatment time is 5 ~ 10 minutes. The heat treatment method of the invention can significantly improve the electrical properties of CdTe thin films, and the application of heat treated CdTe thin films to CdTe thin film solar cells can significantly improve the photoelectric properties of CdTe thin film solar cells.
【技术实现步骤摘要】
一种CdTe薄膜的热处理方法
本专利技术属于光伏新能源材料与器件领域，特别涉及一种CdTe薄膜的热处理方法。
技术介绍
CdTe薄膜太阳电池是目前光伏产品市场上晶硅太阳电池以外的第二大产品体系，兼具高转换效率和低成本，极具研究价值和市场潜力。CdTe是一种II-VI族化合物p型半导体，作为一种具有应用前景的薄膜太阳电池材料受到广泛地关注。这是由于CdTe的两大特性：首先，其禁带宽度为1.45eV，对太阳光谱的响应处在最理想的太阳光谱波段，以CdTe为吸收层的单结薄膜太阳电池就能获得较高的转换效率，其理论转换效率高达30％，目前其实验室最高转换效率达到22.1％；其次，CdTe的吸收系数在可见光范围高达105cm-1，太阳光中99％能量高于CdTe禁带宽度的光子可在2微米厚的吸收层内被吸收，CdTe作为吸收层的太阳电池，理论上吸收层所需厚度在几个微米左右，材料消耗极少，电池成本低。与其它化合物电池相比，如CuInxGa1-xSe2(CIGS)太阳电池，CdTe是二元化合物，物相相对简单，制备条件容忍度高，可以利用多种制备方法获得高质量的CdTe多晶薄膜。目前实验室制...
【技术保护点】
一种CdTe薄膜的热处理方法，其特征在于：将CdTe薄膜置于含磷环境中进行热处理。
【技术特征摘要】
1.一种CdTe薄膜的热处理方法，其特征在于：将CdTe薄膜置于含磷环境中进行热处理。2.根据权利要求1所述的CdTe薄膜的热处理方法，其特征在于：所述的含磷环境为在CdTe薄膜热处理过程中保持含磷材料的存在；所述的含磷材料通过如下任一项所述的方式提供：(1)在CdTe薄膜表面沉积含磷薄层；(2)将CdTe薄膜置于含磷气氛中；(3)在CdTe薄膜表面沉积含磷薄层，同时置于含磷气氛中。3.根据权利要求2所述的CdTe薄膜的热处理方法，其特征在于：所述的含磷材料包括磷单质和含磷化合物。4.根据权利要求3所述的CdTe薄膜的热处理方法，其特征在于：所述的磷单质为红磷；所述的含磷化合物为金属磷化物。5.根据权利要求2所述的CdTe薄膜的热处理方法，其特征在于：所述的表面沉积含磷薄层为采用真空热蒸发的方法进行表面沉积含磷薄层；所述的含磷薄层的厚度为2～200...
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