一种LED面板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种LED面板及其制作方法，属于半导体技术领域。制作方法包括：在衬底上形成若干芯片半成品，芯片半成品中的P型电极为磁体，芯片半成品之间设有隔离槽；通过隔离槽湿法腐蚀芯片半成品，直到芯片半成品变成倒圆锥体与衬底分离；在基板上设置电极固定块，电极固定块远离基板的一端和对应的芯片半成品中P型电极远离P型氮化镓层的一端为异名磁极；将所有芯片半成品和基板放入同一溶液中，各个芯片半成品的P型电极在磁力的作用下吸附在对应的电极固定块上；在各个芯片半成品上设置绝缘层；在绝缘层上设置N型电极连接线。本发明专利技术可以避免由于劈裂衬底分离芯片造成破片和发光层损伤，大大提高了产品良率。

A LED panel and its making method

The invention discloses a LED panel and a manufacturing method, which belongs to the field of semiconductor technology. The manufacturing method comprises: forming a plurality of semi-finished chip on the substrate, P type electrode chip in semi-finished products for the magnet isolation groove is arranged between the chip semi-finished products; through the isolation trench wet etching chip semi-finished products, semi-finished products until the chip separation into inverted cone and the substrate; electrode fixing block is arranged on the base plate, one end of the fixed electrode one end of the block away from the substrate and the corresponding chip type P electrode in semi-finished products from the P type gallium nitride layer as the synonym of the pole; all chips and semi-finished substrate into the same solution, P type electrode each chip of semi-finished products under the action of magnetic force adsorption on the electrode is fixed on the corresponding block; the insulating layer is arranged on the each chip on the semi-finished products; the insulating layer is arranged on the N type electrode connecting line. The invention can avoid the fragmentation and luminescent layer damage caused by split substrate separation chip, and greatly improve the product yield.

【技术实现步骤摘要】
一种LED面板及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种LED面板及其制作方法。
技术介绍
发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称：LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管，具有体积小、亮度高和能耗小的特点，被广泛地应用在显示屏、背光源和照明领域。LED的核心组件是芯片，若干芯片整齐排列在基板上形成LED面板。现有LED面板的制作方法包括：在衬底上依次形成缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层；在P型半导体层上开设延伸至N型半导体层的凹槽，在凹槽内的N型半导体层上形成延伸至衬底的隔离槽；在凹槽内的N型半导体层上形成N型电极，在P型半导体层上形成P型电极；将衬底粘附在蓝膜上，沿隔离槽的延伸方向劈裂衬底，形成若干相互独立的芯片；扩展蓝膜，将相互独立的芯片分离；将分离后的芯片分别固定在基板上，形成LED面板。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：微型发光二极管(英文简称：MicroLED)芯片是大小达到微米级的LED芯片，如果按照现有LED面板的制作方法处理MicroLED芯片，在劈裂衬底时容易造成破片和发光层损伤，产品良率太低，无法进行工业生产。
技术实现思路
为了解决现有技术的问题，本专利技术实施例提供了一种LED面板及其制作方法。所述技术方案如下：一方面，本专利技术实施例提供了一种LED面板的制作方法，所述制作方法包括：在衬底上形成若干相互独立的芯片半成品，各个所述芯片半成品包括依次层叠在所述衬底上的氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层和P型电极，所述P型电极为磁体，相邻两个所述芯片半成品之间设有从所述P型电极延伸至所述衬底的隔离槽；通过所述隔离槽湿法腐蚀所述芯片半成品，直到所述芯片半成品变成倒圆锥体与所述衬底分离，所述芯片半成品中氮化铝缓冲层的腐蚀速率最快；在基板上设置与所述芯片半成品一一对应的电极固定块，所述电极固定块为磁体，所述电极固定块远离所述基板的一端和对应的所述芯片半成品中所述P型电极远离所述P型氮化镓层的一端为异名磁极；将所有所述芯片半成品和所述基板放入同一溶液中，各个所述芯片半成品的P型电极在磁力的作用下吸附在对应的所述电极固定块上；在各个所述芯片半成品上设置从所述N型氮化镓层延伸至所述基板的绝缘层；在所述绝缘层上设置N型电极连接线，所述N型电极连接线的两端分别与所述N型氮化镓层和所述基板连接。可选地，所述在衬底上形成若干相互独立的芯片半成品，各个所述芯片半成品包括依次层叠在所述衬底上的氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层和P型电极，所述P型电极为磁体，相邻两个所述芯片半成品之间设有从所述P型电极延伸至所述衬底的隔离槽，包括：采用金属有机化合物化学气相沉淀技术在衬底上依次生长氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层；采用光刻技术在所述P型氮化镓层上形成第一图形的光刻胶；采用物理气相沉积技术在所述第一图形的光刻胶、以及所述第一图形的光刻胶中露出的P型氮化镓层上形成P型电极；将所述P型电极放入第一磁场中进行磁化，所述第一磁场的方向与所述P型电极的层叠方向平行，直到所述P型电极变成磁体；采用物理气相沉积技术在所述P型电极上形成二氧化硅层；去除所述第一图形的光刻胶；干法刻蚀所述P型氮化镓层、所述发光层和所述N型氮化镓层，形成隔离槽。可选地，所述通过所述隔离槽湿法腐蚀所述芯片半成品，直到所述芯片半成品变成倒圆锥体与所述衬底分离，所述芯片半成品中氮化铝缓冲层的腐蚀速率最快，包括：将所述芯片半成品浸泡在腐蚀溶液中，所述腐蚀溶液对所述芯片半成品中P型电极上的二氧化硅层、所述隔离槽内的芯片半成品进行腐蚀，所述腐蚀溶液为磷酸溶液、硫酸溶液、或者磷酸和硫酸的混合溶液。可选地，所述腐蚀溶液的温度为200℃～250℃。可选地，所述二氧化硅层的厚度为100nm～5000nm。可选地，所述P型电极包括依次层叠在所述P型氮化镓层上的反射层和磁体层。可选地，所述磁体层的材料采用镍或者钕磁铁。可选地，当所述磁体层的材料采用镍时，所述反射层的材料采用银；当所述磁体层的材料采用钕磁铁时，所述反射层的材料采用银、铝、金或者铂。可选地，所述在基板上设置与所述芯片半成品一一对应的电极固定块，所述电极固定块为磁体，所述电极固定块远离所述基板的一端和对应的所述芯片半成品中所述P型电极远离所述P型氮化镓层的一端为异名磁极，包括：采用光刻技术在基板上形成第二图形的光刻胶；采用物理气相沉积技术在所述第二图形的光刻胶、以及所述第二图形的光刻胶中露出的基板上铺设磁性材料；去除所述第二图形的光刻胶，所述基板上的磁性材料形成电极固定块；将所述电极固定块放入第二磁场中进行磁化，所述第二磁场的方向与所述第一磁场的方向相反，直到所述电极固定块变成磁体，所述电极固定块远离所述基板的一端和对应的所述芯片半成品中所述P型电极远离所述P型氮化镓层的一端为异名磁极。另一方面，本专利技术实施例提供了一种LED面板，所述LED面板包括基板、若干电极固定块和与所述电极固定块一一对应的芯片，所述若干电极固定块分别设置在所述基板上，各个所述芯片包括氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层、P型电极、N型电极连接线和绝缘层，所述芯片中的P型电极、P型氮化镓层、发光层、N型氮化镓层、氮化铝缓冲层依次层叠在对应的所述电极固定块上形成圆锥体，所述绝缘层设置所述圆锥体上且从所述N型氮化镓层延伸至所述基板，所述N型电极连接线设置在所述绝缘层上且两端分别与所述N型氮化镓层和所述基板连接。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过在衬底上形成的相邻两个芯片半成品之间设置从P型电极延伸至衬底的隔离槽，并利用隔离槽湿法腐蚀芯片半成品，由于芯片半成品中最先层叠在衬底上的氮化铝缓冲层的腐蚀速率最快，因此芯片半成品被腐蚀成倒圆锥体与衬底分离，各个芯片半成品变成完全分离的个体，可以避免由于劈裂衬底分离芯片造成破片和发光层损伤，大大提高了产品良率，尤其适用于MicroLED的工业生产。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例一提供的一种LED面板的制作方法的流程图；图2a-图2g是本专利技术实施例一提供的制作过程中芯片半成品的结构示意图；图3a-图3c是本专利技术实施例一提供的基板的结构示意图；图4a-图4c是本专利技术实施例一提供的LED面板的结构示意图；图5是本专利技术实施例二提供的一种LED面板的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。实施例一本专利技术实施例提供了一种LED面板的制作方法，参见图1，该制作方法包括：步骤101：在衬底上形成若干相互独立的芯片半成品，各个芯片半成品包括依次层叠在衬底上的氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层和P型电极，P型电极为磁体，相邻两个芯片半成品之间设有从P型电极延伸至衬底的隔离槽。可选地，芯片半成品与衬底接触的表面上两点之间的最大距离可以为3μm～15μm。具体地，该步本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底上形成若干相互独立的芯片半成品，各个所述芯片半成品包括依次层叠在所述衬底上的氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层和P型电极，所述P型电极为磁体，相邻两个所述芯片半成品之间设有从所述P型电极延伸至所述衬底的隔离槽；通过所述隔离槽湿法腐蚀所述芯片半成品，直到所述芯片半成品变成倒圆锥体与所述衬底分离，所述芯片半成品中氮化铝缓冲层的腐蚀速率最快；在基板上设置与所述芯片半成品一一对应的电极固定块，所述电极固定块为磁体，所述电极固定块远离所述基板的一端和对应的所述芯片半成品中所述P型电极远离所述P型氮化镓层的一端为异名磁极；将所有所述芯片半成品和所述基板放入同一溶液中，各个所述芯片半成品的P型电极在磁力的作用下吸附在对应的所述电极固定块上；在各个所述芯片半成品上设置从所述N型氮化镓层延伸至所述基板的绝缘层；在所述绝缘层上设置N型电极连接线，所述N型电极连接线的两端分别与所述N型氮化镓层和所述基板连接。

【技术特征摘要】
1.一种LED面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底上形成若干相互独立的芯片半成品，各个所述芯片半成品包括依次层叠在所述衬底上的氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层和P型电极，所述P型电极为磁体，相邻两个所述芯片半成品之间设有从所述P型电极延伸至所述衬底的隔离槽；通过所述隔离槽湿法腐蚀所述芯片半成品，直到所述芯片半成品变成倒圆锥体与所述衬底分离，所述芯片半成品中氮化铝缓冲层的腐蚀速率最快；在基板上设置与所述芯片半成品一一对应的电极固定块，所述电极固定块为磁体，所述电极固定块远离所述基板的一端和对应的所述芯片半成品中所述P型电极远离所述P型氮化镓层的一端为异名磁极；将所有所述芯片半成品和所述基板放入同一溶液中，各个所述芯片半成品的P型电极在磁力的作用下吸附在对应的所述电极固定块上；在各个所述芯片半成品上设置从所述N型氮化镓层延伸至所述基板的绝缘层；在所述绝缘层上设置N型电极连接线，所述N型电极连接线的两端分别与所述N型氮化镓层和所述基板连接。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在衬底上形成若干相互独立的芯片半成品，各个所述芯片半成品包括依次层叠在所述衬底上的氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层和P型电极，所述P型电极为磁体，相邻两个所述芯片半成品之间设有从所述P型电极延伸至所述衬底的隔离槽，包括：采用金属有机化合物化学气相沉淀技术在衬底上依次生长氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层；采用光刻技术在所述P型氮化镓层上形成第一图形的光刻胶；采用物理气相沉积技术在所述第一图形的光刻胶、以及所述第一图形的光刻胶中露出的P型氮化镓层上形成P型电极；将所述P型电极放入第一磁场中进行磁化，所述第一磁场的方向与所述P型电极的层叠方向平行，直到所述P型电极变成磁体；采用物理气相沉积技术在所述P型电极上形成二氧化硅层；去除所述第一图形的光刻胶；干法刻蚀所述P型氮化镓层、所述发光层和所述N型氮化镓层，形成隔离槽。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述通过所述隔离槽湿法腐蚀所述芯片半成品，直到所述芯片半成品变成倒圆锥体与所述衬底分离，所述芯片半成品中氮化铝缓冲层的腐蚀速率最快，包括：将所述芯片半成品浸...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹灵峰，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33