【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件领域，特别涉及一种晶体管及其制作方法。
技术介绍
1、高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor，hemt)是一种异质结场效应晶体管，广泛应用于各种电器之中。
2、相关技术提供了一种晶体管结构，该晶体管结构包括，在衬底上依次层叠的沟道层和势垒层，贯穿所述势垒层与所述沟道层连接的源极和漏极，位于势垒层布置在源极和漏极之间的栅极。
3、晶体管在工作时，需要承受极高的漏极电压，电荷会在器件的栅极边缘聚集，导致晶体管的击穿电压较低，影响晶体管性能。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种晶体管及其制作方法，可以增强对沟道控制能力，避免栅极下控制电流因栅极到漏极距离较大而过大，避免导致器件提前击穿，提高了晶体管的击穿电压。所述技术方案如下：
2、一方面，提供了一种晶体管，所述晶体管包括：
3、衬底，依次层叠在所述衬底的沟道层和势垒层；
4、源极与漏极，所述源极贯穿所述势垒层与所述沟道层连接，所述漏极贯穿所述势垒层与所述沟道层连接；
5、多个p型氮化镓结构，位于所述势垒层，且间隔布置在所述源极与所述漏极之间；
6、多个栅极结构，一一对应布置在所述多个p型氮化镓结构。
7、可选地，所述多个p型氮化镓结构的厚度不同。
8、可选地，所述多个p型氮化镓结构中相邻2个的厚度差为20～30nm。
9、可选地，所述多个p型氮
10、可选地，与所述源极最接近的p型氮化镓结构与所述源极的距离为1～2μm，与所述漏极最接近的p型氮化镓结构与所述漏极的距离为10～20μm。
11、可选地，所述多个p型氮化镓结构中任意相邻的2个p型氮化镓结构的间距为1～2μm。
12、可选地，所述晶体管包括3～5个所述p型氮化镓结构。
13、可选地，所述晶体管包括3个所述p型氮化镓结构，3个所述p型氮化镓结构的厚度分别为30～65nm、50～85nm和70～105nm。
14、可选地，所述栅极结构包括第一tin子层、al子层和第二tin子层的叠层结构。
15、另一方面，提供了一种晶体管的制作方法，所述方法包括：
16、在衬底上依次形成沟道层和势垒层；
17、在所述势垒层上制作多个p型氮化镓结构；
18、在所述势垒层上制作源极与漏极，所述源极贯穿所述势垒层与所述沟道层连接，所述漏极贯穿所述势垒层与所述沟道层连接，所述多个p型氮化镓结构间隔布置在所述源极与所述漏极之间；
19、在所述多个p型氮化镓结构上一一对应制作多个栅极结构。
20、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
21、在本公开实施例中，在源极和漏极之间分布多个p型氮化镓结构，并且每个p型氮化镓结构上布置一个栅极结构。通过在源漏极之间布置多个栅极结构，增强对沟道控制能力，避免栅极下控制电流因栅极到漏极距离较大而过大，避免导致器件提前击穿，提高了晶体管的击穿电压。
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1.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述多个P型氮化镓结构(106)的厚度不同。
3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述多个P型氮化镓结构(106)中任意相邻的2个P型氮化镓结构(106)的厚度差为20～30nm。
4.根据权利要求1至3任一项所述的晶体管，其特征在于，所述多个P型氮化镓结构(106)中，与所述源极(104)最接近的P型氮化镓结构(106)与所述源极(104)的距离，小于与所述漏极(105)最接近的P型氮化镓结构(106)与所述漏极(105)的距离。
5.根据权利要求4所述的晶体管，其特征在于，与所述源极(104)最接近的P型氮化镓结构(106)与所述源极(104)的距离为1～2μm，与所述漏极(105)最接近的P型氮化镓结构(106)与所述漏极(105)的距离为10～20μm。
6.根据权利要求4所述的晶体管，其特征在于，所述多个P型氮化镓结构(106)中任意相邻的2个P型氮化镓结构(106)的间距为1～2μm。
7.根据权利要
8.根据权利要求7所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管包括3个所述P型氮化镓结构(106)，3个所述P型氮化镓结构(106)的厚度分别为30～65nm、50～85nm和70～105nm。
9.根据权利要求1至3任一项所述的晶体管，其特征在于，所述栅极结构(107)包括第一TiN子层、Al子层和第二TiN子层的叠层结构。
10.一种晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述多个p型氮化镓结构(106)的厚度不同。
3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述多个p型氮化镓结构(106)中任意相邻的2个p型氮化镓结构(106)的厚度差为20～30nm。
4.根据权利要求1至3任一项所述的晶体管，其特征在于，所述多个p型氮化镓结构(106)中，与所述源极(104)最接近的p型氮化镓结构(106)与所述源极(104)的距离，小于与所述漏极(105)最接近的p型氮化镓结构(106)与所述漏极(105)的距离。
5.根据权利要求4所述的晶体管，其特征在于，与所述源极(104)最接近的p型氮化镓结构(106)与所述源极(104)的距离为1～2μm，与所述漏极(105)最接近的p...
【专利技术属性】
技术研发人员：许静，胥鹏程，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：
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