【技术实现步骤摘要】
本公开涉及光电子制造，特别涉及一种发光二极管的制备方法及制品。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，led)因具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，目前已经被广泛应用于背光、照明、景观等各个光源领域。
2、相关技术中，为了提高led的光提取效率，led电极会采用反射电极，以减少led电极对光的吸收。反射电极包括依次层叠的第一金属层和第二金属层。反射电极通常采用以下方法形成：先在同一工艺条件下，在位于衬底上的多个外延结构上形成具有电极制备孔的光刻胶层，然后在电极制备孔中依次蒸镀第一金属层和第二金属层。
3、然而，在蒸镀第二金属层时，由第二金属层热应力产生的外力等影响下会使得衬底的边缘区域中电极制备孔周围的光刻胶层整体向衬底的中心方向产生滑移，该滑移使第一金属层在形成led电极的表面的正投影的外轮廓上的任意点到第二金属层在形成led电极的表面的正投影的外轮廓之间的最小距离较小，第二金属层对下方的第一金属层的包覆效果较差，影响了led的可靠性。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种发光二极管的制备方法及制品，能提高led的可靠性。所述技术方案如下：
2、一方面，提供了一种发光二极管的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底具有相连的中心区域和环形区域，所述环形区域围绕所述中心区域；在所述衬底上形成多个外延结构；在所述外延结构的第一表面上形成光刻胶层，所述光刻胶层具有电极制备孔，所述电极制备孔为锥形孔且贯穿所
3、可选地，所述在所述外延结构的第一表面上形成光刻胶层，包括：在所述外延结构的第一表面上涂覆一层光刻胶材料；在掩膜板的遮挡下，对所述光刻胶材料进行曝光；在第一温度下对所述中心区域中的所述光刻胶材料进行曝光后烘烤，并且在第二温度下对所述环形区域中的所述光刻胶材料进行曝光后烘烤，所述第二温度大于所述第一温度；对所述光刻胶材料进行显影，得到所述光刻胶层。
4、可选地，所述第二温度与所述第一温度的差值为2℃至5℃。
5、可选地，所述第一温度为106℃至110℃，所述第二温度为108℃至115℃。
6、可选地，所述对所述光刻胶材料进行曝光，包括：采用第一曝光能量对所述中心区域中的所述光刻胶材料进行曝光；采用第二曝光能量对所述环形区域中的所述光刻胶材料进行曝光，所述第二曝光能量大于所述第一曝光能量。
7、可选地，所述第一曝光能量为75mj/cm2至100mj/cm2，所述第二曝光能量为90mj/cm2至120mj/cm2。
8、可选地，所述衬底为圆片，所述中心区域呈圆形，所述环形区域呈圆环形，所述中心区域与所述环形区域同心；所述环形区域的宽度与所述衬底的半径的比值为0.04至0.1。
9、可选地，所述环形区域的宽度为2mm至5mm。
10、另一方面，提供了一种制品，包括衬底、位于所述衬底上的多个外延结构和位于所述外延结构的第一表面上的反射电极，所述衬底具有相连的中心区域和环形区域，所述环形区域围绕所述中心区域；所述反射电极包括沿远离所述第一表面的方向依次层叠的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层在所述第一表面的正投影位于所述第二金属层在所述第一表面的正投影内；其中，所述中心区域中所述第一金属层在所述第一表面的正投影的外轮廓上的任意点到所述第二金属层在所述第一表面的正投影的外轮廓之间的最小距离为第一距离，所述环形区域中所述第一金属层在所述第一表面的正投影的外轮廓上的任意点到所述第二金属层在所述第一表面的正投影的外轮廓之间的最小距离为第二距离，所述第一距离大于或者等于所述第二距离。
11、可选地，所述第一距离为200nm至500nm，所述第二距离为50nm至500nm。
12、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
13、本公开实施例中，电极制备孔为锥形孔，锥形孔的大端靠近第一表面，由于第二金属层具有较大的热应力，在电极制备孔周围的光刻胶层的阻挡下，形成于光刻胶层上方且位于电极制备孔附近的第二金属层会对光刻胶层产生一个沿远离电极制备孔的中心方向的外力，该外力可以使电极制备孔的开口边缘的光刻胶层产生弹性形变，从而扩大电极制备孔的开口，使得形成第二金属层的过程中，电极制备孔的开口尺寸大于形成第一金属层之前电极制备孔的开口尺寸。
14、并且衬底具有相连的中心区域和环形区域，环形区域围绕中心区域，环形区域中光刻胶层的硬度大于中心区域中光刻胶层的硬度，因此位于衬底边缘的环形区域的光刻胶层抵抗形变的作用力较大，抗滑移能力较好，可以减小环形区域中光刻胶层整体向衬底的中心方向产生滑移的几率，因此可以使第一金属层在第一表面的正投影的外轮廓上的任意点到第二金属层在第一表面的正投影的外轮廓之间的最小距离更大，第二金属层对第一金属层的包覆效果更好，使第一金属层更难被氧化、腐蚀或与第二金属层中的金属反应生成合金，从而提高led电极的抗老化腐蚀能力，减小led电极脱落的几率，并减小生成合金导致led电压升高的几率，提高led的可靠性。
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1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述外延结构(10)的第一表面(11)上形成光刻胶层(20)，包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第二温度与所述第一温度的差值为2℃至5℃。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一温度为106℃至110℃，所述第二温度为108℃至115℃。
5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述对所述光刻胶材料进行曝光，包括：
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一曝光能量为75mJ/cm2至100mJ/cm2，所述第二曝光能量为90mJ/cm2至120mJ/cm2。
7.根据权利要求1至6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述衬底(50)为圆片，所述中心区域(1)呈圆形，所述环形区域(2)呈圆环形，所述中心区域(1)与所述环形区域(2)同心；所述环形区域(2)的宽度与所述衬底(50)的半径的比值为0.04至0.1。
8.根据权利要求7所述的制备方
9.一种制品，其特征在于，包括衬底(50)、位于所述衬底(50)上的多个外延结构(10)和位于所述外延结构(10)的第一表面(11)上的反射电极，
10.根据权利要求9所述的制品，其特征在于，所述第一距离为200nm至500nm，所述第二距离为50nm至500nm。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述外延结构(10)的第一表面(11)上形成光刻胶层(20)，包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第二温度与所述第一温度的差值为2℃至5℃。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一温度为106℃至110℃，所述第二温度为108℃至115℃。
5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述对所述光刻胶材料进行曝光，包括：
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一曝光能量为75mj/cm2至100mj/cm2，所述第二曝光能量为90mj/cm2至120m...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝亚磊，韩艺蕃，林云真，张旭东，王绘凝，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：
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