一种中温烧结线性脉冲陶瓷介质材料及其制备方法和一种MLCC电容器的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种中温烧结线性脉冲陶瓷介质材料及其制备方法和一种MLCC电容器的制备方法，涉及陶瓷介质材料及其制备方法和电容器制备技术领域，一种中温烧结线性脉冲陶瓷介质材料，包括以下材料制备而成：SBBT烧块、LNT烧块、碳酸锰和金属氧化物；所述SBBT烧块包括以下物质制备而成：碳酸锶、碳酸钡、三氧化二铋和二氧化钛；所述LNT烧块包括以下物质制备而成：三氧化二镧、三氧化二钕和二氧化钛。本发明专利技术在SBBT‑LNT体系中加入了掺杂剂碳酸锰和金属氧化物，除了烧结温度下降，还会使该SBBT‑LNT高介高稳定线性脉冲介质陶瓷材料的综合介电性能得以提高，可用于制作脉冲功率电容器、温度补偿电容器、高压电容器等。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及陶瓷介质材料及其制备方法和电容器制备，具体涉及一种中温烧结线性脉冲陶瓷介质材料及其制备方法和一种mlcc电容器的制备方法。

技术介绍

1、线性脉冲瓷介电容器具有高击穿电压、大容量、高稳定、反复充放电、快速充放电等优点，有隔直、滤波、旁路等左右作用，广泛用于应用于ac/dc、dc/dc模块及高压脉冲交流低损耗emi滤波器等，是电视机、激光器、雷达、电子显微镜、x光机及各种测试仪器的倍压电源电路、交流电断路器等高压电源和高压线路的关键元件之一。

2、随着现代移动通讯、卫星通讯、航空航天和军用雷达等的发展，对线路中使用的电子元器件提出了小体积大容量、耐高压、低损耗、高温度稳定、高可靠等更高的要求。高介电常数低损耗脉冲介质材料可用于制作高压电容器、温度补偿电容器、脉冲功率电容器，该介质材料制备的电容器在线路中可提供瞬时脉冲高压实现快速充放电、且能够反复的充放电，容量随温度变化呈线性变化。同时在脉冲或交流环境下也可平滑线路中的电压，使电压更稳定，提高电容器的可靠性和使用寿命。

3、目前常用作线性脉冲陶瓷电容器的介质材料有三种，即本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种中温烧结线性脉冲陶瓷介质材料，其特征在于，包括以下材料制备而成：SBBT烧块、LNT烧块、碳酸锰和金属氧化物；

2.根据权利要求1所述的一种中温烧结线性脉冲陶瓷介质材料，其特征在于，所述金属氧化物包括氧化铝、氧化锌、氧化镧、五氧化二铌、二氧化铈中的一种物质或者多种物质的混合。

3.根据权利要1所述的一种中温烧结线性脉冲陶瓷介质材料，其特征在于，在所述SBBT烧块的制备原料中，碳酸锶的质量百分数为33～37％，碳酸钡的质量百分数为2.3～2.6％，三氧化二铋的质量百分数为4.0～4.3％，二氧化钛的质量百分数为53～59％。

4.根据权利要求1所...

【技术特征摘要】

1.一种中温烧结线性脉冲陶瓷介质材料，其特征在于，包括以下材料制备而成：sbbt烧块、lnt烧块、碳酸锰和金属氧化物；

2.根据权利要求1所述的一种中温烧结线性脉冲陶瓷介质材料，其特征在于，所述金属氧化物包括氧化铝、氧化锌、氧化镧、五氧化二铌、二氧化铈中的一种物质或者多种物质的混合。

3.根据权利要1所述的一种中温烧结线性脉冲陶瓷介质材料，其特征在于，在所述sbbt烧块的制备原料中，碳酸锶的质量百分数为33～37％，碳酸钡的质量百分数为2.3～2.6％，三氧化二铋的质量百分数为4.0～4.3％，二氧化钛的质量百分数为53～59％。

4.根据权利要求1所述的一种中温烧结线性脉冲陶瓷介质材料，其特征在于，在所述lnt烧块的制备原料中，三氧化二镧的质量百分数为8～14％，三氧化二钕的质量百分数为24～38％，二氧化钛的质量百分数为48～56％。

5.权利要求1-4任意一项所述的一种中温烧结线性脉冲陶瓷介质材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

6.根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪小玲，谢波，冯清福，邓瑞，蒋悦清，李在映，
申请(专利权)人：成都宏科电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：