【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置。
技术介绍
1、已知在具有多个源电极、多个栅电极以及多个漏电极的多指(multi-finger)型的场效晶体管(fet：field effect transistor)中将过孔连接于源电极(例如专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开平11－150127号公报
5、在多个源电极中离端最近的源电极和其他源电极，源极电感有时会不同。由此，高频工作有时会不稳定。
技术实现思路
1、本公开是鉴于上述问题而完成的，其目的在于使半导体装置的工作稳定化。
2、本公开的一个实施方式是一种半导体装置，其具备：基板；金属层，设于所述基板下；多个源电极，设于所述基板上，包括一对第一源电极和一对第二源电极，其中，所述一对第一源电极在所述多个源电极中离所述多个源电极排列的方向上排列的所述多个源电极的多个端最近，所述一对第二源电极在所述多个源电极中离所述多个端第二近；一个或多个第一过孔布线，与所述一对第一源电极之一在俯视观察下重叠，所述一个或多个第一过孔布线贯通所述基板，将所述金属层与所述一对第一源电极之一电连接；以及一个或多个第二过孔布线，与所述一对第二源电极之一在俯视观察下重叠，所述一个或多个第二过孔布线贯通所述基板，将所述金属层与所述一对第二源电极之一电连接，所述一对第一源电极之一与所述金属层之间的经由所述一个或多个第一过孔布线的第一电感大于所述一对第二源电极之一与所述金属层之间的经由所述一
3、专利技术效果
4、根据本公开，能使工作稳定化。
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1.一种半导体装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中，
10.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，具备：
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：菊池宪，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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