【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件领域，特别涉及一种晶体管及其制作方法。
技术介绍
1、高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor，hemt)是一种异质结场效应晶体管，广泛应用于各种电器之中。
2、相关技术提供了一种晶体管结构，该晶体管结构包括，在衬底上依次层叠的沟道层和势垒层，贯穿所述势垒层与所述沟道层连接的源极和漏极，位于势垒层布置在源极和漏极之间的栅极。
3、晶体管在工作时，需要承受极高的漏极电压，电荷会在器件的栅极边缘聚集，导致晶体管的击穿电压较低，影响晶体管性能。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种晶体管及其制作方法，可以避免电荷聚集，使得电场更均匀，提升晶体管的击穿电压，提高晶体管性能。所述技术方案如下：
2、一方面，提供了一种晶体管，所述晶体管包括：
3、衬底，依次层叠在所述衬底的沟道层和势垒层；
4、源极与漏极，所述源极贯穿所述势垒层与所述沟道层连接，所述漏极贯穿所述势垒层与所述沟道层连接；
5、非掺杂氮化镓层，位于所述势垒层，且间隔布置在所述源极与所述漏极之间；所述非掺杂氮化镓层具有与所述势垒层连通的第一凹槽；
6、p型氮化镓层，覆盖所述非掺杂氮化镓层和所述第一凹槽；
7、栅极，位于所述p型氮化镓层且覆盖所述第一凹槽处。
8、可选地，所述非掺杂氮化镓层的厚度为20～50nm。
9、可选地，所述p型氮化镓层的厚度
10、可选地，所述晶体管还包括：
11、栅极绝缘层，位于所述栅极和所述p型氮化镓层之间。
12、可选地，所述栅极绝缘层的厚度为10～50nm。
13、可选地，所述p型氮化镓层具有与所述非掺杂氮化镓层连通的第二凹槽；
14、所述栅极绝缘层覆盖所述第二凹槽，所述栅极还覆盖所述第二凹槽。
15、可选地，所述第二凹槽与所述第一凹槽的距离为0.5～5μm。
16、可选地，所述晶体管还包括：
17、钝化层，覆盖所述势垒层、所述源极、所述漏极、所述p型氮化镓层和所述栅极；所述钝化层具有分别露出所述源极、所述漏极和所述栅极的三个第三凹槽。
18、另一方面，提供了一种晶体管的制作方法，所述方法包括：
19、在衬底上依次形成沟道层和势垒层；
20、在所述势垒层上制作非掺杂氮化镓层，所述非掺杂氮化镓层具有与所述势垒层连通的第一凹槽；
21、在所述非掺杂氮化镓层上制作p型氮化镓层，所述p型氮化镓层覆盖所述第一凹槽；
22、在所述势垒层上制作源极与漏极，所述源极贯穿所述势垒层与所述沟道层连接，所述漏极贯穿所述势垒层与所述沟道层连接，所述非掺杂氮化镓层间隔布置在所述源极与所述漏极之间；
23、在所述p型氮化镓层上制作栅极，所述栅极覆盖所述第一凹槽。
24、可选地，所述方法还包括：
25、制作栅极绝缘层，位于所述栅极和所述p型氮化镓层之间。
26、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
27、在本公开实施例中，衬底上依次形成有沟道层、势垒层、非掺杂氮化镓层、p型氮化镓层，以沟道层为氮化镓层，势垒层为铝镓氮层为例，上述结构为p-gan/u-gan/algan/gan结构，由于自发极化和压电极化效应，algan/gan界面处产生二维电子气(2deg)；在p-gan/u-gan/algan中，p-gan有更高的能带，在非第一凹槽的区域，p-gan/u-gan/algan结构能够提升能带，产生二维空穴气(2dhg)，形成极化超结。极化超结可以使整个器件承受均匀的电场，避免电荷聚集，消除电场峰值，大幅度提升器件耐压和可靠性，提升晶体管的击穿电压，提高晶体管性能。
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1.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述非掺杂氮化镓层(106)的厚度为20～50nm。
3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述P型氮化镓层(107)的厚度为20～150nm。
4.根据权利要求1至3任一项所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括：
5.根据权利要求4所述的晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层(109)的厚度为10～50nm。
6.根据权利要求4所述的晶体管，其特征在于，所述P型氮化镓层(107)具有与所述非掺杂氮化镓层(106)连通的第二凹槽(170)；
7.根据权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述第二凹槽(170)与所述第一凹槽(160)的距离为0.5～5μm。
8.根据权利要求1至3任一项所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括：
9.一种晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
【技术特征摘要】
1.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述非掺杂氮化镓层(106)的厚度为20～50nm。
3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述p型氮化镓层(107)的厚度为20～150nm。
4.根据权利要求1至3任一项所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括：
5.根据权利要求4所述的晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层(109)的厚度为10～50nm。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：田文，胥鹏程，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：
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