中温烧结低介低损耗微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种中温烧结低介低损耗微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用，中温烧结低介低损耗微波介质陶瓷材料包括主晶相和掺杂阳离子；所述主晶相的化学式为：(1‑x‑y)/2Mg<subgt;2</subgt;SiO<subgt;4</subgt;‑yMgSiO<subgt;3</subgt;‑xMgTi<subgt;2</subgt;O<subgt;4</subgt;，其中0.15≤x≤0.27，0.28≤y≤0.37；掺杂阳离子包括钡离子、钙离子、锶离子、铝离子、锌离子、镧离子、铌离子以及铋离子中至少一种；钡离子、钙离子以及锶离子取代主晶相中的镁离子，铝离子、锌离子、镧离子、铌离子以及铋离子取代主晶相中的镁离子、硅离子或钛离子。通过加入别的阳离子取代主晶相中的镁离子、硅离子或钛离子，使得主晶相的晶格畸变，从而降低主晶相合成所需的温度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微波元器件，具体涉及一种中温烧结低介低损耗微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用。

技术介绍

1、微波介质陶瓷为现代蜂窝基站、移动通讯、卫星通讯和军用雷达等谐振器、滤波器、介质陶瓷基板、介质陶瓷电容器等微波元器件的关键材料。随着新一代移动通信的快速发展，对信号传输速度及可靠性提出了更高的要求。相比传统材料，低介低损耗微波介质材料的微波介质陶瓷由于具有介质损耗低、使用频率高且传输速度快的优势，可满足微波器件向高频、高速及高可靠方向发展。正温度系数微波元器件在线路中用于补偿因温度变化引起的容量波动，有利于线路的频率温度稳定性。

2、微波介质陶瓷自1939年开始发展至今，各种低、中、高介的微波介质陶瓷取得了长足的发展。对于介电常数εr在12左右的低介电常数微波介质陶瓷主要是al2o3-tio2体系、mgal2o4-srtio3体系及mg2(sixti1-x)o4体系(公开号cn106187107a)，al2o3-tio2体系原料纯度低于99.99％时很难制备出在微波频率下低损耗的微波介质陶瓷，而高纯度的原料制成的产品本较高，mg2(sixt本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种中温烧结低介低损耗微波介质陶瓷材料，其特征在于，包括主晶相和掺杂阳离子；所述主晶相的化学式为：(1-x-y)/2Mg2SiO4-yMgSiO3-xMgTi2O4，其中0.15≤x≤0.27，0.28≤y≤0.37；掺杂阳离子包括钡离子、钙离子、锶离子、铝离子、锌离子、镧离子、铌离子以及铋离子中至少一种；钡离子、钙离子以及锶离子取代主晶相中的镁离子，铝离子、锌离子、镧离子、铌离子以及铋离子取代主晶相中的镁离子、硅离子或钛离子。

2.根据权利要求1所述的中温烧结低介低损耗微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述钡离子、钙离子以及锶离子来源于各自的碳酸盐。p>

3.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种中温烧结低介低损耗微波介质陶瓷材料，其特征在于，包括主晶相和掺杂阳离子；所述主晶相的化学式为：(1-x-y)/2mg2sio4-ymgsio3-xmgti2o4，其中0.15≤x≤0.27，0.28≤y≤0.37；掺杂阳离子包括钡离子、钙离子、锶离子、铝离子、锌离子、镧离子、铌离子以及铋离子中至少一种；钡离子、钙离子以及锶离子取代主晶相中的镁离子，铝离子、锌离子、镧离子、铌离子以及铋离子取代主晶相中的镁离子、硅离子或钛离子。

2.根据权利要求1所述的中温烧结低介低损耗微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述钡离子、钙离子以及锶离子来源于各自的碳酸盐。

3.根据权利要求1所述的中温烧结低介低损耗微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述铝离子、锌离子、镧离子、铌离子以及铋离子来源于各自的氧化物。

4.根据权利要求1-3任一项所述中温烧结低介低损耗微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪小玲，阮丽梅，康建宏，罗静，张馨，
申请(专利权)人：成都宏科电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：