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本公开提供了一种晶体管及其制作方法，属于半导体器件领域。所述晶体管包括：衬底，依次层叠在所述衬底的沟道层和势垒层；源极与漏极，所述源极贯穿所述势垒层与所述沟道层连接，所述漏极贯穿所述势垒层与所述沟道层连接；多个P型氮化镓结构，位于所述势垒层...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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