一种使用Ni纳米模板制备多波段发光的InGaN/GaN量子阱结构的方法技术
A method of using Ni nano template to prepare InGaN/GaN quantum well structure with multi band luminescence
The invention relates to a method for preparing multi band luminescent InGaN/GaN quantum well structure using Ni nano template, wherein the manufacturing method includes: depositing GaN buffer layer, N type GaN and Ni metal film on substrate. Ni nanoscale masks were prepared by rapid annealing. The conical GaN nanostructure was prepared by ICP etching process, and the metal Ni was removed from the surface of the conical GaN nanostructure. Then the InGaN/GaN quantum well and P type GaN were deposited on the surface of the conical GaN nanostructure, and a complete GaN based LED epitaxial film was obtained. The InGaN/GaN quantum well prepared by this method can realize the spectrum of multiple bands at one time and take into account the current production process of semiconductor devices.
【技术实现步骤摘要】
一种使用Ni纳米模板制备多波段发光的InGaN/GaN量子阱结构的方法
：本专利技术属于发光器件制造领域，具体涉及一种使用Ni纳米模板制备多波段发光的InGaN/GaN量子阱结构的方法。
技术介绍
：发光二极管作为新一代的固体照明光源，在室内外照明、大屏显示、背光、交通信号灯、汽车灯等各个领域都具有广泛的应用。目前大多的发光二极管均为单一波段的LED，市面上常用的白光LED大多是通过在蓝光LED芯片上添加黄色荧光粉来实现。但是这种方法会导致色温不均、能量损耗等问题。因此，制备出高效的白光LED芯片，一直是本领域技术人员亟待解决的技术问题之一。
技术实现思路
：本专利技术的目的是提供一种使用Ni纳米模板制备多波段发光的InGaN/GaN量子阱结构的方法，在现有的工艺基础上就能实现该结构量子阱的制备，能够实现单一InGaN/GaN量子阱结构出射多个波段光谱。为解决上述问题，本专利技术提供了一种使用Ni纳米模板制备多波段发光的InGaN/GaN量子阱结构的方法，包括如下步骤：提供衬底，优选的，所述衬底为蓝宝石衬底；在所述的蓝宝石衬底沉积缓冲层，优选的，缓冲层为GaN薄膜；在...
【技术保护点】
一种使用Ni纳米模板制备多波段发光的InGaN/GaN量子阱结构的方法，其特征在于，包括：提供衬底，在衬底正面沉积缓冲层、N型GaN、Ni薄膜；将所述的外延片在氮气氛围中进行快速退火处理，得到Ni纳米颗粒；采用ICP刻蚀的方法制备获得锥形GaN阵列；除去外延片表面的金属Ni。在所述的锥形GaN阵列上依次沉积InGaN/GaN量子阱，P型GaN。
【技术特征摘要】
1.一种使用Ni纳米模板制备多波段发光的InGaN/GaN量子阱结构的方法，其特征在于，包括：提供衬底，在衬底正面沉积缓冲层、N型GaN、Ni薄膜；将所述的外延片在氮气氛围中进行快速退火处理，得到Ni纳米颗粒；采用ICP刻蚀的方法制备获得锥形GaN阵列；除去外延片表面的金属Ni。在所述的锥形GaN阵列上依次沉积InGaN/GaN量子阱，P型GaN。2.根据权利要求1所述的一种使用Ni纳米模板制备多波段发光的InGaN/GaN量子阱结构的方法，其特征在于：所述的衬底材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓等其中的一种。3.根据权利要求1所述的一种使用Ni纳米模板制备多波段发光的InGaN/GaN量子阱结构的方法，其特征在于：...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨国锋，汪金，张秀梅，谢峰，钱维莹，
申请(专利权)人：江南大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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