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本发明涉及一种使用Ni纳米模板制备多波段发光的InGaN/GaN量子阱结构的方法，其中制作方法包括：在衬底上依次沉积GaN缓冲层、N型GaN、Ni金属薄膜。快速退火制备Ni纳米颗粒掩膜。采用ICP刻蚀工艺制备获得锥形GaN纳米结构，除去锥形...
该专利属于江南大学所有，仅供学习研究参考，未经过江南大学授权不得商用。

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