一种半导体二极管器件的封装结构制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体二极管器件的封装结构，属于半导体封装技术领域，所述半导体二极管器件的封装结构包括依次层叠的钢化玻璃板、树脂复合材料胶膜、半导体二极管器件层、金属‑树脂复合材料胶膜以及背板。本发明专利技术采用新型的复合材料胶膜对半导体二极管器件进行封装，提高了半导体二极管器件的使用寿命，且该封装结构具有稳定性好、性能优越、耐候性好等优点。

The packaging structure of a semiconductor diode device

The invention relates to a packaging structure of semiconductor diode device, which belongs to the technical field of semiconductor package, the package structure of semiconductor diode device comprises a tempered glass plate, sequentially stacked resin composite film, semiconductor diode device layer, metal film resin composite materials and backplane. The invention adopts new composite film to encapsulate semiconductor diode device, which improves the service life of semiconductor diode device, and the packaging structure has the advantages of good stability, superior performance and good weather resistance.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体二极管器件的封装结构
本专利技术涉及半导体封装
，具体涉及一种半导体二极管器件的封装结构。
技术介绍
近年来，半导体二极管器件常应用树脂材料进行封装，特别是针对太阳能电池或光电探测器，常规的封装结构为透明盖板、EVA封装胶层、太阳能电池层或光电探测器层、EVA封装胶层以及背板，因此，如何设计一种综合性能优异的封装结构，是业界亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种半导体二极管器件的封装结构。为实现上述目的，本专利技术提出的一种半导体二极管器件的封装结构，所述半导体二极管器件的封装结构包括依次层叠的钢化玻璃板、树脂复合材料胶膜、半导体二极管器件层、金属-树脂复合材料胶膜以及背板；所述树脂复合材料胶膜包括依次层叠的靠近所述半导体二极管器件层的第一乙烯-1-丁烯共聚物层、第一环氧树脂粘结层、聚萘二甲酸乙二醇酯基层、第二环氧树脂粘结层以及第一聚四氟乙烯层，其中所述聚萘二甲酸乙二醇酯基层中开设有多个贯穿所述聚萘二甲酸乙二醇酯基层的通孔，所述通孔中填充有第一环氧树脂粘结加强柱，所述第一环氧树脂粘结加强柱连接所述第一环氧树脂粘结层和所述第二环氧树脂粘结层；所述金属-树脂复合材料胶膜包括依次层叠的靠近所述半导体二极管器件层的第二乙烯-1-丁烯共聚物层、第三环氧树脂粘结层、金属基层、第四环氧树脂粘结层以及第二聚四氟乙烯层，其中所述金属基层中开设有多个贯穿所述金属基层的通孔，所述通孔中填充有第二环氧树脂粘结加强柱，所述第二环氧树脂粘结加强柱连接所述第三环氧树脂粘结层和所述第四环氧树脂粘结层。作为优选，所述第一乙烯-1-丁烯共聚物层的厚度为200-400微米，所述第一环氧树脂粘结层和所述第二环氧树脂粘结层的厚度范围为400-800纳米，所述聚萘二甲酸乙二醇酯基层的厚度为300-500微米，所述第一聚四氟乙烯层的厚度为100-200微米，所述聚萘二甲酸乙二醇酯基层中的多个通孔呈矩阵排列。作为优选，所述第二乙烯-1-丁烯共聚物层的厚度为100-500微米，所述第三环氧树脂粘结层和所述第四环氧树脂粘结层的厚度为500-900纳米，所述金属基层的厚度为600-900微米，所述第二聚四氟乙烯层的厚度为100-300微米，所述金属基层中的多个通孔呈矩阵排列。作为优选，所述金属基层的材质为铝、铜和不锈钢中的一种。作为优选，所述半导体二极管器件层中的半导体二极管器件为太阳能电池或光电探测器。作为优选，所述背板为金属背板或TPT背板。本专利技术的有益效果如下：本专利技术的树脂复合材料胶膜和金属-树脂复合材料胶膜中，通过在聚萘二甲酸乙二醇酯基层或金属基层中设置贯穿通孔，使得基层两侧的环氧树脂粘结层通过环氧树脂粘结加强柱连接，提高了复合材料胶膜的粘附力和稳定性，避免发生剥离。本专利技术的金属-树脂复合材料胶膜中通过设置金属基层，可以有效反射透过半导体二极管器件层的光，进而提高光的利用率。本专利技术通过在靠近半导体二极管器件层侧的复合材料胶膜中设置乙烯-1-丁烯共聚物层，而远离半导体二极管器件层侧的复合材料胶膜中设置聚四氟乙烯层，上述结构的设置，保证封装稳定性的同时提高了封装结构的耐候性。附图说明图1为本专利技术的半导体器件的封装结构的结构示意图；图2为本专利技术的树脂复合材料胶膜的截面示意图；图3为本专利技术的金属-树脂复合材料胶膜的截面示意图。具体实施方式参见图1-3，一种半导体二极管器件的封装结构，所述半导体二极管器件的封装结构包括依次层叠的钢化玻璃板1、树脂复合材料胶膜2、半导体二极管器件层3、金属-树脂复合材料胶膜4以及背板5；所述树脂复合材料胶膜2包括依次层叠的靠近所述半导体二极管器件层的第一乙烯-1-丁烯共聚物层21、第一环氧树脂粘结层22、聚萘二甲酸乙二醇酯基层23、第二环氧树脂粘结层24以及第一聚四氟乙烯层25，其中所述聚萘二甲酸乙二醇酯基层23中开设有多个贯穿所述聚萘二甲酸乙二醇酯基层23的通孔，所述通孔中填充有第一环氧树脂粘结加强柱26，所述第一环氧树脂粘结加强柱26连接所述第一环氧树脂粘结层22和所述第二环氧树脂粘结层24；所述金属-树脂复合材料胶膜4包括依次层叠的靠近所述半导体二极管器件层的第二乙烯-1-丁烯共聚物层41、第三环氧树脂粘结层42、金属基层43、第四环氧树脂粘结层44以及第二聚四氟乙烯层45，其中所述金属基层43中开设有多个贯穿所述金属基层的通孔，所述通孔中填充有第二环氧树脂粘结加强柱46，所述第二环氧树脂粘结加强柱46连接所述第三环氧树脂粘结层42和所述第四环氧树脂粘结层44。其中，所述第一乙烯-1-丁烯共聚物层21的厚度为200-400微米，所述第一环氧树脂粘结层22和所述第二环氧树脂粘结层24的厚度范围为400-800纳米，所述聚萘二甲酸乙二醇酯基层23的厚度为300-500微米，所述第一聚四氟乙烯层25的厚度为100-200微米，所述聚萘二甲酸乙二醇酯基层23中的多个通孔呈矩阵排列。所述第二乙烯-1-丁烯共聚物层41的厚度为100-500微米，所述第三环氧树脂粘结层42和所述第四环氧树脂粘结层44的厚度为500-900纳米，所述金属基层43的厚度为600-900微米，所述第二聚四氟乙烯层45的厚度为100-300微米，所述金属基层43中的多个通孔呈矩阵排列。所述金属基层43的材质为铝、铜和不锈钢中的一种。所述半导体二极管器件层3中的半导体二极管器件为太阳能电池或光电探测器。所述背板5为金属背板或TPT背板。实施例1参见图1-3，一种半导体二极管器件的封装结构，所述半导体二极管器件的封装结构包括依次层叠的钢化玻璃板1、树脂复合材料胶膜2、半导体二极管器件层3、金属-树脂复合材料胶膜4以及背板5；所述树脂复合材料胶膜2包括依次层叠的靠近所述半导体二极管器件层的第一乙烯-1-丁烯共聚物层21、第一环氧树脂粘结层22、聚萘二甲酸乙二醇酯基层23、第二环氧树脂粘结层24以及第一聚四氟乙烯层25，其中所述聚萘二甲酸乙二醇酯基层23中开设有多个贯穿所述聚萘二甲酸乙二醇酯基层23的通孔，所述通孔中填充有第一环氧树脂粘结加强柱26，所述第一环氧树脂粘结加强柱26连接所述第一环氧树脂粘结层22和所述第二环氧树脂粘结层24；所述金属-树脂复合材料胶膜4包括依次层叠的靠近所述半导体二极管器件层的第二乙烯-1-丁烯共聚物层41、第三环氧树脂粘结层42、金属基层43、第四环氧树脂粘结层44以及第二聚四氟乙烯层45，其中所述金属基层43中开设有多个贯穿所述金属基层的通孔，所述通孔中填充有第二环氧树脂粘结加强柱46，所述第二环氧树脂粘结加强柱46连接所述第三环氧树脂粘结层42和所述第四环氧树脂粘结层44。其中，所述第一乙烯-1-丁烯共聚物层21的厚度为200微米，所述第一环氧树脂粘结层22和所述第二环氧树脂粘结层24的厚度为400纳米，所述聚萘二甲酸乙二醇酯基层23的厚度为300微米，所述第一聚四氟乙烯层25的厚度为100微米，所述聚萘二甲酸乙二醇酯基层23中的多个通孔呈矩阵排列。所述第二乙烯-1-丁烯共聚物层41的厚度为100微米，所述第三环氧树脂粘结层42和所述第四环氧树脂粘结层44的厚度为500纳米，所述金属基层43的厚度为600微米，所述第二聚四氟乙烯层45的厚度为100微米，所述金属基层43中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体二极管器件的封装结构，其特征在于：所述半导体二极管器件的封装结构包括依次层叠的钢化玻璃板、树脂复合材料胶膜、半导体二极管器件层、金属‑树脂复合材料胶膜以及背板；所述树脂复合材料胶膜包括依次层叠的靠近所述半导体二极管器件层的第一乙烯‑1‑丁烯共聚物层、第一环氧树脂粘结层、聚萘二甲酸乙二醇酯基层、第二环氧树脂粘结层以及第一聚四氟乙烯层，其中所述聚萘二甲酸乙二醇酯基层中开设有多个贯穿所述聚萘二甲酸乙二醇酯基层的通孔，所述通孔中填充有第一环氧树脂粘结加强柱，所述第一环氧树脂粘结加强柱连接所述第一环氧树脂粘结层和所述第二环氧树脂粘结层；所述金属‑树脂复合材料胶膜包括依次层叠的靠近所述半导体二极管器件层的第二乙烯‑1‑丁烯共聚物层、第三环氧树脂粘结层、金属基层、第四环氧树脂粘结层以及第二聚四氟乙烯层，其中所述金属基层中开设有多个贯穿所述金属基层的通孔，所述通孔中填充有第二环氧树脂粘结加强柱，所述第二环氧树脂粘结加强柱连接所述第三环氧树脂粘结层和所述第四环氧树脂粘结层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体二极管器件的封装结构，其特征在于：所述半导体二极管器件的封装结构包括依次层叠的钢化玻璃板、树脂复合材料胶膜、半导体二极管器件层、金属-树脂复合材料胶膜以及背板；所述树脂复合材料胶膜包括依次层叠的靠近所述半导体二极管器件层的第一乙烯-1-丁烯共聚物层、第一环氧树脂粘结层、聚萘二甲酸乙二醇酯基层、第二环氧树脂粘结层以及第一聚四氟乙烯层，其中所述聚萘二甲酸乙二醇酯基层中开设有多个贯穿所述聚萘二甲酸乙二醇酯基层的通孔，所述通孔中填充有第一环氧树脂粘结加强柱，所述第一环氧树脂粘结加强柱连接所述第一环氧树脂粘结层和所述第二环氧树脂粘结层；所述金属-树脂复合材料胶膜包括依次层叠的靠近所述半导体二极管器件层的第二乙烯-1-丁烯共聚物层、第三环氧树脂粘结层、金属基层、第四环氧树脂粘结层以及第二聚四氟乙烯层，其中所述金属基层中开设有多个贯穿所述金属基层的通孔，所述通孔中填充有第二环氧树脂粘结加强柱，所述第二环氧树脂粘结加强柱连接所述第三环氧树脂粘结层和所述第四环氧树脂粘结层。2.根据权利要求1所述的半导体二极管器件的封装结构，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑剑华，孙彬，
申请(专利权)人：南通华隆微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32