一种整流二极管芯片结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种整流二极管芯片结构及其制备方法，该整流二极管芯片结构包括长基区N，设置在长基区N上表面的N+层，设置在长基区N下表面的P和P+层，所述N+层向下延伸至P层设有电压槽，所述电压槽位于芯片的周边，为单边槽结构；在P层平面上设置有P型凸台，所述P型凸台位于电压槽的下方；所述P型凸台的宽度大于电压槽底部的宽度。所述电压槽斜边的长度大于N型基区的厚度，以利于耗尽层的展宽。该整流二极管芯片具有机械强度好，且不容易崩边，能够有效提高了合格率和电特性。可广泛应用于整流二极管芯片领域。

【技术实现步骤摘要】
一种整流二极管芯片结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体功率器件领域，尤其是涉及一种整流二极管芯片结构及其制备方法。
技术介绍
目前流行的正方形、长方形整流二极管芯片均从阳极面(P)开电压槽，电压槽内填有玻璃粉然后烧结成型，该结构芯片不足之处在于芯片阳极面朝下与散热板焊接时，因开槽后阳极面变小，阳极面的导热面积缩小，通电流后产生的热量散热慢，易造成热击穿(如图1所示)。而阳极朝下，且在阴极面开电压槽的结构(如图2)，虽然阳极面面积较阴极面大，与散热片焊接后通电时利于热传导，但由于电压槽时必须从N+(阴极面)刻蚀过P层，刻蚀后电压槽距阳极面仅有50um左右，由于硅材料机械强度不够，晶圆划片分离后，单个芯片边缘薄，在后道工序操作中容易崩边损伤，造成芯片的耐压软击穿，产品合格率低。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供一种整流二极管芯片结构及其制备方法。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种整流二极管芯片结构，包括长基区N，设置在长基区N上表面的N+层，设置在长基区N下表面的掺淡硼扩散层P和掺浓硼扩散层P+，还设置有电压槽，所述电压槽从掺浓磷扩散层N+的上表面向下延伸，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种整流二极管芯片结构，包括长基区N，设置在长基区N上表面的掺浓磷扩散层N+，设置在长基区N下表面的掺淡硼扩散层P和掺浓硼扩散层P+，还设置有电压槽，所述电压槽从掺浓磷扩散层N+的上表面向下延伸；其特征在于：所述掺淡硼扩散层P向长基区N扩散设置有P型凸台，所述P型凸台位于电压槽的下方且电压槽的底部经过P型凸台；所述P型凸台的宽度大于电压槽底部的宽度。

【技术特征摘要】
1.一种整流二极管芯片结构，包括长基区N，设置在长基区N上表面的掺浓磷扩散层N+，设置在长基区N下表面的掺淡硼扩散层P和掺浓硼扩散层P+，还设置有电压槽，所述电压槽从掺浓磷扩散层N+的上表面向下延伸；其特征在于：所述掺淡硼扩散层P向长基区N扩散设置有P型凸台，所述P型凸台位于电压槽的下方且电压槽的底部经过P型凸台；所述P型凸台的宽度大于电压槽底部的宽度。2.如权利要求1所述的整流二极管芯片结构，其特征在于：所述电压槽位于整流二极管芯片的四周且为单边槽结构，所述P型凸台沿整流二极管芯片的四周设置有一圈从而形成一圈凸棱。3.如权利要求1所述的整流二极管芯片结构，其特征在于：所述P型凸台的下方设置有至少一圈盲孔，盲孔的深度与P型凸台的高度相适配。4.如权利要求3所述的整流二极管芯片结构，其特征在于：所述盲孔为激光孔或刻蚀孔。5.如权利要求3所述的整流二极管芯片结构，其特征在于：所述盲孔设置有两圈或三圈，相邻两圈盲孔间的距离为100～160um。6.如权利要求3所述的整流二极管芯片结构，其特征在于：所述凸台的高度大于50um，盲孔的直径为60～100um，同一圈中相邻两盲孔的距离为40～120um。7.如权利要求1所述的整流二极管芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：王民安，黄富强，汪杏娟，郑春鸣，叶民强，黄永辉，王志亮，王日新，
申请(专利权)人：安徽省祁门县黄山电器有限责任公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34