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本发明公开了一种整流二极管芯片结构及其制备方法，该整流二极管芯片结构包括长基区N，设置在长基区N上表面的N+层，设置在长基区N下表面的P和P+层，所述N+层向下延伸至P层设有电压槽，所述电压槽位于芯片的周边，为单边槽结构；在P层平面上设置有...
该专利属于安徽省祁门县黄山电器有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽省祁门县黄山电器有限责任公司授权不得商用。

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