等离子体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及等离子体装置。通过等离子体CVD法对工件的一部分进行成膜或蚀刻的等离子体装置具备：真空容器，具备第一模和第二模，所述第一模具备第一凹陷部和配置于第一凹陷部的周围的第一平面部，所述第二模与第一模对向地配置；绝缘部件，配置于第一平面部与第二模之间，在使工件的被处理对象部分朝向第一凹陷部内的空间并且使工件从第一平面部离开的状态下与工件接触；以及电力施加部，向工件施加电力。工件与绝缘部件间的接触点和第一平面部之间的距离小于工件和第一凹陷部的底部之间的距离。

Plasma device

The present invention relates to a plasma device. The plasma device through the plasma CVD part of the workpiece through the film or etching has a vacuum container having a first die and the first plane around the second mock exam, the first mold having a first concave portion and is configured on the first concave part, wherein the first and the second mock exam the first mock exam to configure the insulation; member is disposed between the first part and the second plane in the workpiece is the second mock exam, the processing object part toward the first recess in the space and make the workpiece from the first plane leaving the state in contact with the workpiece; and the power supply department, applying power to the workpiece. The distance between the contact point between the workpiece and the insulating part and the first plane is less than the distance between the part of the workpiece and the bottom of the first depression.

【技术实现步骤摘要】
等离子体装置
本专利技术涉及等离子体装置。
技术介绍
已知有通过等离子体CVD法对基板进行成膜的装置。日本特开2013-206652中记载了一种在真空容器内设置保持基板的支架并从偏置电源向支架施加偏置电压来进行成膜的装置。在该装置中，真空容器和偏置电源通过绝缘部件来绝缘。
技术实现思路
在日本特开2013-206652记载的装置中，由于电场在从偏置电源向支架连接的电压线和绝缘部件相接触的部位集中，所以若等离子体侵入该部位，则有时会发生异常放电。并且，在通过等离子体CVD法进行蚀刻的情况下，也同样有时会发生异常放电。因此，在通过等离子体CVD法进行成膜或蚀刻的装置中，期望能够抑制这样的异常放电的产生的技术。本专利技术提供抑制异常放电的产生的等离子体装置。根据本专利技术的一方式，提供一种以通过等离子体CVD法对工件的一部分进行成膜或蚀刻的方式构成的等离子体装置。该等离子体装置具备：真空容器，具有第一模和第二模，所述第一模具备第一凹陷部和配置于所述第一凹陷部的周围的第一平面部，所述第二模与所述第一模对向地配置；绝缘部件，配置于所述第一模的所述第一平面部与所述第二模之间，在使所述工件的被处理对象部分朝向所述第一凹陷部内的空间并且使所述工件从所述第一平面部离开的状态下与所述工件接触；以及电力施加部，向所述工件施加电力，所述工件与所述绝缘部件的接触点和所述第一平面部之间的距离小于所述工件和所述第一凹陷部的底部之间的距离。若是这种等离子体装置，则与工件接触的绝缘部件配置于第一平面部与第二模之间，工件与绝缘部件的接触点和第一平面部之间的距离小于工件和第一凹陷部的底部之间的距离，因此抑制等离子体从第一凹陷部向由工件和第一平面部形成的空间内侵入。因此，工件与绝缘部件的接触点处的等离子体的量降低，因此能够抑制异常放电的发生。在上述方式的等离子体装置中，可以的是，从所述第一凹陷部与所述第一平面部间的连接部位至所述接触点为止的沿所述第一平面部的距离大于0。若是这种等离子体装置，则由第一凹陷部形成的产生等离子体的空间和工件与绝缘部件的接触点分离，因此进一步降低接触点处的等离子体的量，因此能够进一步抑制异常放电的发生。在上述方式的等离子体装置中，可以的是，所述接触点和所述第一平面部之间的距离比在所述工件和所述第一平面部之间形成的鞘层的距离短。若是这种等离子体装置，则工件与绝缘部件的接触点和第一平面部之间的距离比在工件与第一平面部之间形成的鞘层的距离短，因此能够避免在工件与第一平面部之间产生等离子体。因而，能够有效地降低接触点处的等离子体的量，因此能够有效地抑制异常放电的发生。在上述方式的等离子体装置中，可以的是，所述接触点和所述第一平面部之间的距离为2.0mm以下。若是这种等离子体装置，则进一步抑制等离子体从第一凹陷部向由工件和第一平面部形成的空间内侵入。并且，能够避免在工件与第一平面部之间产生等离子体。因而，能够进一步降低接触点处的等离子体的量，因此能够进一步抑制异常放电的发生。在上述方式的等离子体装置中，可以的是，所述工件具备被处理对象物和将所述被处理对象物的非被处理对象部分覆盖的掩蔽部件，所述第一凹陷部与所述第一平面部的连接部位位于从所述被处理对象部分的端部向所述绝缘部件侧远离的位置。为了在被施加电力的工件与真空容器之间产生等离子体来对被处理对象部分进行成膜或蚀刻，优选被处理对象部分与真空容器之间比所谓鞘层的距离远，有可能在被处理对象部分和真空容器接近的部位不产生等离子体而在被处理对象部分的端部发生成膜不良或蚀刻不良。但是，若是这种方式的等离子体装置，真空容器的第一凹陷部与第一平面部的连接部位位于从被处理对象物的被处理对象部分的端部向绝缘部件侧远离的位置，因此能够确保被处理对象部分与真空容器之间的距离。因而，能够抑制被处理对象部分的端部处的成膜不良或蚀刻不良。在上述方式的等离子体装置中，可以的是，所述掩蔽部件在所述被处理对象部分侧的端部具有朝向所述第一凹陷部侧倾斜的倾斜面。若是这种方式的等离子体装置，则能够抑制电场在掩蔽部件的被处理对象部分侧的端部集中，因此能够抑制在被处理对象部分的端部处成膜密度或蚀刻密度下降。在上述方式的等离子体装置中，可以的是，与所述被处理对象物接触的所述掩蔽部件的接触面和所述倾斜面所成的角为30°以下。若是这种方式的等离子体装置，则能够进一步抑制电场在掩蔽部件的被处理对象部分侧的端部集中，因此能够进一步抑制在被处理对象部分的端部处成膜密度或蚀刻密度下降。在上述方式的等离子体装置中，可以的是，所述第二模具有第二凹陷部和配置于所述第二凹陷部的周围的第二平面部，等离子体装置还具备：第一电极，配置于所述第一凹陷部内；第二电极，配置于所述第二凹陷部内；以及高频电力施加部，构成为向所述第一电极及所述第二电极施加高频电力，所述工件将所述第一凹陷部内的空间和所述第二凹陷部内的空间分离。若是这种方式的等离子体装置，通过工件将第一凹陷部内的空间与第二凹陷部内的空间分离，这些空间电绝缘，因此抑制向第一电极施加的高频和向第二电极施加的高频的相位发生干涉，因此能够高效地利用施加的电力来对工件进行成膜或蚀刻。本专利技术还能够以除上述的等离子体装置以外的各种方式来实现。例如能够以通过等离子体CVD法对工件的一部分进行成膜或蚀刻的方法、等离子体装置的控制方法及控制装置、用于实现这些装置或方法的功能的计算机程序、记录该计算机程序的记录介质等方式来实现。附图说明本专利技术的实施方式的特征、优点、技术及工业意义通过参照附图如下来描述，其中相同的标号表示相同的元件，其中，图1是表示本专利技术的第一实施方式中的等离子体装置的结构的概略截面图。图2是等离子体装置的分解立体图。图3是等离子体装置的局部放大图。图4是表示基于等离子体装置的等离子体处理方法的工序图。图5是表示第一实施方式的变形例1中的等离子体装置的图。图6是表示第一实施方式的变形例2中的等离子体装置的图。图7是表示第一实施方式的变形例3中的等离子体装置的图。图8是表示第一实施方式的变形例4中的等离子体装置的图。图9是表示第一实施方式的变形例6中的等离子体装置的图。图10是局部性地表示第二实施方式中的等离子体装置的结构的局部概略截面图。图11是局部性地表示第三实施方式中的等离子体装置的结构的局部概略截面图。图12是表示关于角度D的实验结果的图。图13是表示角度D与接触电阻值的关系的图。图14是局部性地表示第三实施方式的变形例1中的等离子体装置的结构的局部概略截面图。图15是局部性地表示第三实施方式的变形例2中的等离子体装置的结构的局部概略截面图。图16是表示第四实施方式中的等离子体装置的图。图17是表示第四实施方式的变形例中的等离子体处理方法的工序图。具体实施方式图1是表示本专利技术的第一实施方式中的等离子体装置200的结构的概略截面图。图2是等离子体装置200的分解立体图。图1及图2中图示了相互正交的XYZ轴。Y轴方向表示铅垂方向，X轴方向表示水平方向，Z轴方向表示与Y轴及X轴垂直的方向。该情况在以后的图中也一样。等离子体装置200是通过所谓等离子体CVD(ChemicalVaporDeposition：化学气相沉积)法而在具有导电性的工件W的被处理对象部分10A形成薄膜的装置。在本实施方式中，工件W本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体装置，构成为通过等离子体化学气相沉积法对工件的一部分进行成膜或蚀刻，其特征在于，所述等离子体装置包括：真空容器，具备第一模和第二模，所述第一模具备第一凹陷部和配置于所述第一凹陷部的周围的第一平面部，所述第二模与所述第一模对向地配置；绝缘部件，配置于所述第一模的所述第一平面部与所述第二模之间，在使所述工件的被处理对象部分朝向所述第一凹陷部内的空间并且使所述工件从所述第一平面部离开的状态下与所述工件接触；以及电力施加部，向所述工件施加电力，其中，所述工件与所述绝缘部件间的接触点和所述第一平面部之间的距离(A1)小于所述工件和所述第一凹陷部的底部之间的距离。

【技术特征摘要】
2016.04.25 JP 2016-086809;2016.06.13 JP 2016-116771.一种等离子体装置，构成为通过等离子体化学气相沉积法对工件的一部分进行成膜或蚀刻，其特征在于，所述等离子体装置包括：真空容器，具备第一模和第二模，所述第一模具备第一凹陷部和配置于所述第一凹陷部的周围的第一平面部，所述第二模与所述第一模对向地配置；绝缘部件，配置于所述第一模的所述第一平面部与所述第二模之间，在使所述工件的被处理对象部分朝向所述第一凹陷部内的空间并且使所述工件从所述第一平面部离开的状态下与所述工件接触；以及电力施加部，向所述工件施加电力，其中，所述工件与所述绝缘部件间的接触点和所述第一平面部之间的距离(A1)小于所述工件和所述第一凹陷部的底部之间的距离。2.根据权利要求1所述的等离子体装置，其特征在于，从所述第一凹陷部与所述第一平面部间的连接部位至所述接触点为止的沿所述第一平面部的距离大于0。3.根据权利要求1或2所述的等离子体装置，其特征在于，所述接触点和所述第一平面部之间的距离比在所述工...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉村拓也，小泉雅史，井出光太郎，芦高优，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP