使半导体管芯从半导体衬底分离的方法、半导体衬底组件以及半导体管芯组件技术

本发明专利技术涉及将半导体管芯从半导体衬底分离的方法、半导体衬底组件以及半导体管芯组件。从主表面（101）向半导体衬底（100）中刻蚀分离凹槽（150）。所述分离凹槽（150）使芯片区（110）在平行于主表面（101）的水平方向上分离。所述分离凹槽（150）中的至少一些与所述半导体衬底（100）的横向外表面（103）隔开至多第一距离（ex1）。沿着横向表面（103）形成凹口（158）。凹口（158）从主表面101延伸到半导体衬底（100）中。凹口（158）的最小水平凹口宽度（ex2）等于或大于第一距离（d1）。凹口158关于主表面（101）的垂直延伸（v2）等于或大于分离凹槽（150）的垂直延伸（v1）。

A method for separating semiconductor core from a semiconductor substrate, a semiconductor substrate component, and a semiconductor core component

The invention relates to a method for separating a semiconductor core from a semiconductor substrate, a semiconductor substrate component and a semiconductor core component. An etching of a groove (150) is etched from the main surface (101) to the semiconductor substrate (100). The separation groove (150) separates the chip region (110) in a horizontal direction parallel to the main surface (101). At least some of the separation grooves (150) are separated from the transverse outer surface (103) of the semiconductor substrate (100) to the first distance (EX1). A concave mouth (158) is formed along the transverse surface (103). The concave mouth (158) extends from the main surface 101 to the semiconductor substrate (100). The minimum horizontal notch width (ex2) of the concave (158) is equal to or greater than the first distance (D1). The vertical extension (V2) of the concave 158 on the main surface (101) is equal to or greater than the vertical extension (V1) of the separation groove (150).

【技术实现步骤摘要】
使半导体管芯从半导体衬底分离的方法、半导体衬底组件以及半导体管芯组件
技术介绍
管芯单体化表示将各个半导体芯片或半导体管芯从半导体晶片隔离的工艺。通过划片和断裂（例如，通过机械锯切或激光切割）完成的切割工艺沿着切口线对半导体管芯进行分离。在切割之后，各个半导体芯片通常被安装到芯片载体和/或包封在芯片外壳中。DBG（研磨前切割）首先通过使用半分割切割器来对晶片进行不完全切割，所述半分割切割器在晶片正面上的芯片区之间形成切割道。切割道的深度等于或大于半导体芯片的最终目标厚度。固定到经切割的表面的刚性载体构件使经半切割的晶片在研磨工艺期间稳定，所述研磨工艺将晶片从未经切割的表面减薄到最终目标厚度。研磨工艺使切割道暴露并且完成半导体芯片的分离。柔性拾取带被附接到半导体芯片的与研磨带相对的一侧上，所述研磨带在下面被移除。拾取带可以将经分离的半导体芯片保持在适当的位置，直到处理装置或操作员拾取所述半导体芯片以进行进一步处理，例如进行封装或安置。需要改进用于管芯单体化的工艺（诸如DBG）的产量。
技术实现思路
通过独立权利要求的主题内容来实现所述目标。另外的实施例是从属权利要求的主题。根据实施例，一种制造半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：从主表面（101）向半导体衬底（100）中刻蚀分离凹槽（150），其中所述分离凹槽（150）使芯片区（110）在平行于所述主表面（101）的水平方向上分离，并且其中所述分离凹槽（150）中的至少一些与半导体衬底（100）的横向外表面（103）隔开至多第一距离（ex1）；以及沿着横向表面（103）形成凹口（158），其中所述凹口（158）从所述主表面（101）延伸到所述半导体衬底（100）中，最小水平凹口宽度（ex2）等于或大于第一距离（d1），并且所述凹口（158）关于所述主表面（101）的垂直延伸（v2）等于或大于所述分离凹槽（150）的垂直延伸（v1...

【技术特征摘要】
2016.05.25 DE 102016109693.81.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：从主表面（101）向半导体衬底（100）中刻蚀分离凹槽（150），其中所述分离凹槽（150）使芯片区（110）在平行于所述主表面（101）的水平方向上分离，并且其中所述分离凹槽（150）中的至少一些与半导体衬底（100）的横向外表面（103）隔开至多第一距离（ex1）；以及沿着横向表面（103）形成凹口（158），其中所述凹口（158）从所述主表面（101）延伸到所述半导体衬底（100）中，最小水平凹口宽度（ex2）等于或大于第一距离（d1），并且所述凹口（158）关于所述主表面（101）的垂直延伸（v2）等于或大于所述分离凹槽（150）的垂直延伸（v1）。2.权利要求1所述的方法，进一步包括：从与所述主表面（101）相对的后侧去除所述半导体衬底（100）的未经切割的区段（120），其中从后侧暴露所述分离凹槽（150）并且从所述芯片区（110）获得经隔离的半导体管芯（210）。3.权利要求2所述的方法，进一步包括：将可伸展拾取带（320）附接在通过去除所述未经切割的区段（120）而暴露的所述经隔离的半导体管芯（210）的一侧。4.权利要求2和3中的任一项所述的方法，其中所述半导体衬底（100）的所述未经切割的区段（120）通过研磨来去除。5.权利要求1至4中的任一项所述的方法，其中所述分离凹槽（150）包括平行的第一分离凹槽（151）和平行的第二分离凹槽（152），所述第二分离凹槽（152）与所述第一分离凹槽（151）正交地相交。6.权利要求1至5中的任一项所述的方法，其中所述凹口（158）至少包括圆的片段，所述圆具有与半导体衬底（100）的中心轴一致的中心点。7.权利要求1至6中的任一项所述的方法，其中机械地形成所述凹口（158）。8.权利要求1至7中的任一项所述的方法，其中通过圆形切割来形成所述凹口（158）。9.权利要求1至6中的任一项所述的方法，其中通过刻蚀来形成所述凹口（158）。10.权利要求1至9中的任一项所述的方法，其中在所述分离凹槽（150）的刻蚀期间，环形陶瓷框架至少覆盖沿着所述横向表面（103）的边缘排除区域的部分。11.权利要求1至10中的任一项所述的方法，进一步包括在形成所述凹口（158）之后将刚性载体构件（310）附接在所述主表面（101）上。12.权利要求1至11中的任一项所述的方法，其中所述分离凹槽（150）包括残段，所述残段延伸到由所述半导体衬底（100）的部分形成的衬底环（180）中。13.权利要求1至12中的任一项所述的方法，其中形成所述分离凹槽（150）包括在所述主表面（101）上形成刻蚀掩模（400），所述刻蚀掩模包括在所述芯片区（110）的垂直投影中的经隔离的掩模部分（410），其中使所述掩模部分（410）彼此分离的掩模沟槽（450）在纵向端面处终止。14.权利要求1至12中的任一项所述的方法，其中形成所述分离凹槽（150）包括在所述主表面（101）上形成刻蚀掩模（400），所述刻蚀掩模包括在所述芯片区（110）的垂直投影中的经隔离的掩模部分（410）以及掩模环（470），其中所述掩模环（470）到外横向表面（103）的距离是至少第一距离（d1），并且其中所述掩模沟槽（450）的沟槽端部展开到所述掩模...

【专利技术属性】
技术研发人员：M布伦鲍尔，F马里亚尼，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE