温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及将半导体管芯从半导体衬底分离的方法、半导体衬底组件以及半导体管芯组件。从主表面（101）向半导体衬底（100）中刻蚀分离凹槽（150）。所述分离凹槽（150）使芯片区（110）在平行于主表面（101）的水平方向上分离。所述分离凹槽...
该专利属于英飞凌科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。